단일 IGBT

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전력 - 최대 스위칭 에너지 입력 유형 게이트 충전 Td(켜짐/꺼짐) @ 25°C 테스트 조건 역방향 복구 시간(trr) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

단일 IGBT

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 IGBT를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 스위칭, 전력 변환 및 제어 회로 설계에 사용되는 단일 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 제품을 포함합니다.

당사는 단일 IGBT 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 IGBT 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전력 - 최대 스위칭 에너지 입력 유형 게이트 충전 Td(켜짐/꺼짐) @ 25°C 테스트 조건 역방향 복구 시간(trr) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IXBT32N300HV

IXBT32N300HV

IGBT 3000V 80A TO268HV

IXYS

8,252 -
RFQ
IXBT32N300HV

데이터시트

BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - 3000 V 80 A 280 A 3.2V @ 15V, 32A 400 W - Standard 142 nC 50ns/160ns 1250V, 32A, 2Ohm, 15V 1500 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXBT)
IXBH14N300HV

IXBH14N300HV

DISC IGBT BIMSFT VERYHIVOLT TO-2

IXYS

5,891 -
RFQ
IXBH14N300HV

데이터시트

BIMOSFET™ TO-247-3 Tube Active - 3000 V 38 A 120 A 2.7V @ 15V, 14A 200 W - Standard 62 nC - - 1.4 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247HV (IXBH)
IXGF20N250

IXGF20N250

IGBT 2500V 23A ISOPLUSI4

IXYS

2,701 -
RFQ
IXGF20N250

데이터시트

- i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Obsolete - 2500 V 23 A 105 A 3.1V @ 15V, 20A 100 W - Standard 53 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
IXGF30N400

IXGF30N400

IGBT 4000V 30A 160W I4-PAK

IXYS

9,830 -
RFQ
IXGF30N400

데이터시트

- i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Active - 4000 V 30 A 360 A 5.2V @ 15V, 90A 160 W - Standard 135 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
MMIX1G120N120A3V1

MMIX1G120N120A3V1

IGBT 1200V 220A 400W SMPD

IXYS

7,047 -
RFQ
MMIX1G120N120A3V1

데이터시트

GenX3™ 24-PowerSMD, 21 Leads Tube Obsolete PT 1200 V 220 A 700 A 2.2V @ 15V, 100A 400 W 10mJ (on), 33mJ (off) Standard 420 nC 40ns/490ns 960V, 100A, 1Ohm, 15V 700 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 24-SMPD
IXGT25N250HV

IXGT25N250HV

IGBT 2500V 60A TO268HV

IXYS

3,747 -
RFQ
IXGT25N250HV

데이터시트

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - 2500 V 60 A 200 A 2.9V @ 15V, 25A 250 W - Standard 75 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXGT)
IXBH32N300HV

IXBH32N300HV

DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT TO-2

IXYS

3,593 -
RFQ
IXBH32N300HV

데이터시트

BIMOSFET™ TO-247-3 Variant Tube Active - 3000 V 80 A 280 A 3.2V @ 15V, 32A 400 W - Standard 142 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247HV
IXGT25N250-T/R

IXGT25N250-T/R

IGBT NPT 2500V 60A TO268HV

IXYS

4,726 -
RFQ

-

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active NPT 2500 V 60 A 200 A 2.9V @ 15V, 25A 250 W - Standard 75 nC 68ns/209ns 1250V, 50A, 5Ohm, 15V 233 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXGT)
IXBF42N300

IXBF42N300

IGBT 3000V ISOPLUSI4

IXYS

2,852 -
RFQ
IXBF42N300

데이터시트

BIMOSFET™ i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Active - 3000 V 60 A 380 A 3V @ 15V, 42A 240 W - Standard 200 nC 72ns/445ns 1500V, 42A, 20Ohm, 15V 1.7 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
IXBT20N360HV

IXBT20N360HV

IGBT 3600V 70A TO268AA

IXYS

6,080 -
RFQ
IXBT20N360HV

데이터시트

BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Not For New Designs - 3600 V 70 A 220 A 3.4V @ 15V, 20A 430 W 15.5mJ (on), 4.3mJ (off) Standard 110 nC 18ns/238ns 1500V, 20A, 10Ohm, 15V 1.7 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
DF400R07W2S5FB77BPSA1

DF400R07W2S5FB77BPSA1

LOW POWER EASY

Infineon Technologies

3,845 -
RFQ

-

- - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXG65I3300KN

IXG65I3300KN

IGBT PT 3300V 85A ISOPLUS264

IXYS

6,988 -
RFQ

-

X2PT™ ISOPLUS264™ Tube Active PT 3300 V 85 A - - - - Standard - - - - - - - Through Hole ISOPLUS264™
IXG50I4500KN

IXG50I4500KN

IGBT PT 4500V 74A ISOPLUS264

IXYS

5,404 -
RFQ
IXG50I4500KN

데이터시트

X2PT™ ISOPLUS264™ Tube Active PT 4500 V 74 A - - - - Standard - - - - - - - Through Hole ISOPLUS264™
IXBX55N300

IXBX55N300

IGBT 3000V 130A 625W PLUS247

IXYS

4,057 -
RFQ
IXBX55N300

데이터시트

BIMOSFET™ TO-247-3 Variant Tube Not For New Designs - 3000 V 130 A 600 A 3.2V @ 15V, 55A 625 W - Standard 335 nC - - 1.9 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXBF55N300

IXBF55N300

DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT I4-P

IXYS

2,073 -
RFQ
IXBF55N300

데이터시트

BIMOSFET™ i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Active - 3000 V 86 A 600 A 3.2V @ 15V, 55A 357 W - Standard 335 nC - - 1.9 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
IXBF50N360

IXBF50N360

IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK

IXYS

4,195 -
RFQ
IXBF50N360

데이터시트

BIMOSFET™ i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Obsolete - 3600 V 70 A 420 A 2.9V @ 15V, 50A 290 W - Standard 210 nC 46ns/205ns 960V, 50A, 5Ohm, 15V 1.7 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
IXBL60N360

IXBL60N360

IGBT 3600V 92A ISOPLUSI5

IXYS

4,754 -
RFQ
IXBL60N360

데이터시트

BIMOSFET™ ISOPLUSi5-Pak™ Tube Active - 3600 V 92 A 720 A 3.4V @ 15V, 60A 417 W - Standard 450 nC 50ns/340ns 960V, 60A, 4.7Ohm, 15V 1.95 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUSi5-Pak™
IXBH42N300HV

IXBH42N300HV

DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT TO-2

IXYS

9,189 -
RFQ

-

BIMOSFET™ TO-247-3 Variant Tube Active - 3000 V 104 A 400 A 3V @ 15V, 42A 500 W - Standard 200 nC - - 1.7 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247HV
CSM350KN

CSM350KN

DISC IGBT XPT-GENX3 TO-264(3)

IXYS

5,680 -
RFQ

-

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXBL64N250

IXBL64N250

IGBT 2500V 116A ISOPLUSI5

IXYS

6,835 -
RFQ
IXBL64N250

데이터시트

BIMOSFET™ ISOPLUSi5-PAK™ Tube Active - 2500 V 116 A 750 A 3V @ 15V, 64A 500 W - Standard 400 nC - - 160 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUSi5-Pak™
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