FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IPB60R080P7ATMA1

IPB60R080P7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 37A D2PAK

Infineon Technologies

1,559 -
RFQ
IPB60R080P7ATMA1

데이터시트

CoolMOS™ P7 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 37A (Tc) 10V 80mOhm @ 11.8A, 10V 4V @ 590µA 51 nC @ 10 V ±20V 2180 pF @ 400 V - 129W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
IPP60R080P7XKSA1

IPP60R080P7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3

Infineon Technologies

237 -
RFQ
IPP60R080P7XKSA1

데이터시트

CoolMOS™ P7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 37A (Tc) 10V 80mOhm @ 11.8A, 10V 4V @ 590µA 51 nC @ 10 V ±20V 2180 pF @ 400 V - 129W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
FCP125N65S3

FCP125N65S3

MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3

onsemi

2,265 -
RFQ
FCP125N65S3

데이터시트

SuperFET® III TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 125mOhm @ 12A, 10V 4.5V @ 2.4mA 46 nC @ 10 V ±30V 1940 pF @ 400 V - 181W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
FCP190N65F

FCP190N65F

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3

onsemi

2,134 -
RFQ
FCP190N65F

데이터시트

FRFET®, SuperFET® II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20.6A (Tc) 10V 190mOhm @ 10A, 10V 5V @ 2mA 78 nC @ 10 V ±20V 3225 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
FDBL86363-F085

FDBL86363-F085

MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF

onsemi

1,849 -
RFQ
FDBL86363-F085

데이터시트

PowerTrench® 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 240A (Tc) 10V 2mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 169 nC @ 10 V ±20V 10000 pF @ 40 V - 357W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-HPSOF
SIHG105N60EF-GE3

SIHG105N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

Vishay Siliconix

367 -
RFQ
SIHG105N60EF-GE3

데이터시트

EF TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 29A (Tc) 10V 102mOhm @ 13A, 10V 5V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±30V 1804 pF @ 100 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
TK110U65Z,RQ

TK110U65Z,RQ

DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ

Toshiba Semiconductor and Storage

5,960 -
RFQ
TK110U65Z,RQ

데이터시트

DTMOSVI 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Ta) 10V 110mOhm @ 12A, 10V 4V @ 1.02mA 40 nC @ 10 V ±30V 2250 pF @ 300 V - 190W (Tc) 150°C - - Surface Mount TOLL
TKR74F04PB,LXGQ

TKR74F04PB,LXGQ

MOSFET N-CH 40V 250A TO220SM

Toshiba Semiconductor and Storage

4,284 -
RFQ
TKR74F04PB,LXGQ

데이터시트

U-MOSIX-H TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 250A (Ta) 6V, 10V 0.74mOhm @ 125A, 10V 3V @ 1mA 227 nC @ 10 V ±20V 14200 pF @ 10 V - 375W (Tc) 175°C - - Surface Mount TO-220SM(W)
SIHF080N60E-GE3

SIHF080N60E-GE3

E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL

Vishay Siliconix

1,465 -
RFQ
SIHF080N60E-GE3

데이터시트

E TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 14A (Tc) 10V 80mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±30V 2557 pF @ 100 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
STP20NM50

STP20NM50

MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB

STMicroelectronics

774 -
RFQ
STP20NM50

데이터시트

MDmesh™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 20A (Tc) 10V 250mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±30V 1480 pF @ 25 V - 192W (Tc) -65°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
IRFBC40LCPBF

IRFBC40LCPBF

MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB

Vishay Siliconix

1,006 -
RFQ
IRFBC40LCPBF

데이터시트

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.2A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
STP10NK80Z

STP10NK80Z

MOSFET N-CH 800V 9A TO220AB

STMicroelectronics

958 -
RFQ
STP10NK80Z

데이터시트

SuperMESH™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 9A (Tc) 10V 900mOhm @ 4.5A, 10V 4.5V @ 100µA 72 nC @ 10 V ±30V 2180 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
SIHP080N60E-GE3

SIHP080N60E-GE3

E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,

Vishay Siliconix

716 -
RFQ
SIHP080N60E-GE3

데이터시트

E TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 35A (Tc) 10V 80mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±30V 2557 pF @ 100 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
STB11NM60T4

STB11NM60T4

MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK

STMicroelectronics

1,512 -
RFQ
STB11NM60T4

데이터시트

MDmesh™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 450mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±30V 1000 pF @ 25 V - 160W (Tc) -65°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
STF11NM60ND

STF11NM60ND

MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP

STMicroelectronics

966 -
RFQ
STF11NM60ND

데이터시트

FDmesh™ II TO-220-3 Full Pack Tube Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V 450mOhm @ 5A, 10V 5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±25V 850 pF @ 50 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
STH10N80K5-2AG

STH10N80K5-2AG

MOSFET N-CH 800V 8A H2PAK-2

STMicroelectronics

831 -
RFQ
STH10N80K5-2AG

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Tc) 10V 680mOhm @ 4A, 10V 5V @ 100µA 17.3 nC @ 10 V ±30V 426 pF @ 100 V - 121W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount H2Pak-2
FCP125N65S3R0

FCP125N65S3R0

MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3

onsemi

800 -
RFQ
FCP125N65S3R0

데이터시트

SuperFET® III TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 125mOhm @ 12A, 10V 4.5V @ 2.4mA 46 nC @ 10 V ±30V 1940 pF @ 400 V - 181W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
NTB190N65S3HF

NTB190N65S3HF

MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3

onsemi

2,398 -
RFQ
NTB190N65S3HF

데이터시트

FRFET®, SuperFET® III TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20A (Tc) 10V 190mOhm @ 10A, 10V 5V @ 430µA 34 nC @ 10 V ±30V 1610 pF @ 400 V - 162W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
FDA032N08

FDA032N08

MOSFET N-CH 75V 120A TO3PN

onsemi

220 -
RFQ
FDA032N08

데이터시트

PowerTrench® TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 120A (Tc) 10V 3.2mOhm @ 75A, 10V 4.5V @ 250µA 220 nC @ 10 V ±20V 15160 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PN
IXTP50N25T

IXTP50N25T

MOSFET N-CH 250V 50A TO220AB

Littelfuse Inc.

518 -
RFQ
IXTP50N25T

데이터시트

Trench TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 50A (Tc) 10V 50mOhm @ 25A, 10V 5V @ 1mA 78 nC @ 10 V ±30V 4000 pF @ 25 V - 400W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
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