FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
STW43N60DM2

STW43N60DM2

MOSFET N-CH 600V 34A TO247

STMicroelectronics

600 -
RFQ
STW43N60DM2

데이터시트

MDmesh™ DM2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 34A (Tc) 10V 93mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±25V 2500 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
STP310N10F7

STP310N10F7

MOSFET N CH 100V 180A TO-220

STMicroelectronics

571 -
RFQ
STP310N10F7

데이터시트

DeepGATE™, STripFET™ VII TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 10V 2.7mOhm @ 60A, 10V 3.8V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V 12800 pF @ 25 V - 315W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
SUP57N20-33-E3

SUP57N20-33-E3

MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB

Vishay Siliconix

401 -
RFQ
SUP57N20-33-E3

데이터시트

TrenchFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 57A (Tc) 10V 33mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
FDP025N06

FDP025N06

MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

onsemi

939 -
RFQ
FDP025N06

데이터시트

PowerTrench® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 10V 2.5mOhm @ 75A, 10V 4.5V @ 250µA 226 nC @ 10 V ±20V 14885 pF @ 25 V - 395W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
TK125V65Z,LQ

TK125V65Z,LQ

MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN

Toshiba Semiconductor and Storage

10,000 -
RFQ
TK125V65Z,LQ

데이터시트

DTMOSVI 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Ta) 10V 125mOhm @ 12A, 10V 4V @ 1.02mA 40 nC @ 10 V ±30V 2250 pF @ 300 V - 190W (Tc) 150°C - - Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
STH270N8F7-6

STH270N8F7-6

MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK

STMicroelectronics

2,814 -
RFQ
STH270N8F7-6

데이터시트

DeepGATE™, STripFET™ VII TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 180A (Tc) 10V 2.1mOhm @ 90A, 10V 4V @ 250µA 193 nC @ 10 V ±20V 13600 pF @ 50 V - 315W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount H2PAK
STB18NM80

STB18NM80

MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK

STMicroelectronics

9,305 -
RFQ
STB18NM80

데이터시트

MDmesh™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 17A (Tc) 10V 295mOhm @ 8.5A, 10V 5V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±25V 2070 pF @ 50 V - 190W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
STH260N6F6-2

STH260N6F6-2

MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2

STMicroelectronics

978 -
RFQ
STH260N6F6-2

데이터시트

DeepGATE™, STripFET™ VI TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 180A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 183 nC @ 10 V ±20V 11800 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount H2PAK-2
STF11NM80

STF11NM80

MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP

STMicroelectronics

954 -
RFQ
STF11NM80

데이터시트

MDmesh™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 11A (Tc) 10V 400mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 43.6 nC @ 10 V ±30V 1630 pF @ 25 V - 35W (Tc) -65°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
NVMFS4C01NT1G

NVMFS4C01NT1G

MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN

onsemi

2,984 -
RFQ
NVMFS4C01NT1G

데이터시트

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 49A (Ta), 319A (Tc) 4.5V, 10V 0.9mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 139 nC @ 10 V ±20V 10144 pF @ 15 V - 3.84W (Ta), 161W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
IXFA22N65X2

IXFA22N65X2

MOSFET N-CH 650V 22A TO263

Littelfuse Inc.

548 -
RFQ
IXFA22N65X2

데이터시트

HiPerFET™, Ultra X2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 22A (Tc) 10V 160mOhm @ 11A, 10V 5.5V @ 1.5mA 38 nC @ 10 V ±30V 2310 pF @ 25 V - 390W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263HV
IRFP048PBF

IRFP048PBF

MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3

Vishay Siliconix

392 -
RFQ

-

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 70A (Tc) 10V 18mOhm @ 44A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IPB011N04LGATMA1

IPB011N04LGATMA1

MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

Infineon Technologies

2,111 -
RFQ
IPB011N04LGATMA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 180A (Tc) 4.5V, 10V 1.1mOhm @ 100A, 10V 2V @ 200µA 346 nC @ 10 V ±20V 29000 pF @ 20 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-3
FCH104N60F

FCH104N60F

MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3

onsemi

760 -
RFQ
FCH104N60F

데이터시트

HiPerFET™, Polar™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 37A (Tc) 10V 104mOhm @ 18.5A, 10V 5V @ 250µA 139 nC @ 10 V ±20V 5950 pF @ 100 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
FCB125N65S3

FCB125N65S3

MOSFET N-CH 650V 24A TO263

onsemi

568 -
RFQ
FCB125N65S3

데이터시트

SuperFET® III TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 125mOhm @ 12A, 10V 4.5V @ 590µA 46 nC @ 10 V ±30V 1940 pF @ 400 V - 181W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
FCPF125N65S3

FCPF125N65S3

MOSFET N-CH 650V 24A TO220F

onsemi

534 -
RFQ
FCPF125N65S3

데이터시트

SuperFET® III TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 125mOhm @ 12A, 10V 4.5V @ 2.4mA 44 nC @ 10 V ±30V 1790 pF @ 400 V - 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
STP315N10F7

STP315N10F7

MOSFET N-CH 100V 180A TO220

STMicroelectronics

778 -
RFQ
STP315N10F7

데이터시트

DeepGATE™, STripFET™ VII TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 10V 2.7mOhm @ 60A, 10V 4.5V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V 12800 pF @ 25 V - 315W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220
FDH3632

FDH3632

MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO247-3

onsemi

604 -
RFQ
FDH3632

데이터시트

PowerTrench® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 12A (Ta), 80A (Tc) 6V, 10V 9mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 6000 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IXTA1R4N120P

IXTA1R4N120P

MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263

Littelfuse Inc.

296 -
RFQ
IXTA1R4N120P

데이터시트

Polar TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 1.4A (Tc) 10V 13Ohm @ 500mA, 10V 4.5V @ 100µA 24.8 nC @ 10 V ±20V 666 pF @ 25 V - 86W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
IPB60R125C6ATMA1

IPB60R125C6ATMA1

MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK

Infineon Technologies

1,840 -
RFQ
IPB60R125C6ATMA1

데이터시트

CoolMOS™ C6 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 125mOhm @ 14.5A, 10V 3.5V @ 960µA 96 nC @ 10 V ±20V 2127 pF @ 100 V - 219W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
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