FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
STW24N60M2

STW24N60M2

MOSFET N-CH 600V 18A TO247

STMicroelectronics

468 -
RFQ
STW24N60M2

데이터시트

MDmesh™ II Plus TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 10V 190mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±25V 1060 pF @ 100 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
TPH4R008NH,L1Q

TPH4R008NH,L1Q

MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP

Toshiba Semiconductor and Storage

12,067 -
RFQ
TPH4R008NH,L1Q

데이터시트

U-MOSVIII-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 60A (Tc) 10V 4mOhm @ 30A, 10V 4V @ 1mA 59 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 40 V - 1.6W (Ta), 78W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
IRFZ48RSPBF

IRFZ48RSPBF

MOSFET N-CH 60V 50A TO263

Vishay Siliconix

6,474 -
RFQ
IRFZ48RSPBF

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 10V 18mOhm @ 43A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
CSD18532NQ5BT

CSD18532NQ5BT

MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON

Texas Instruments

4,629 -
RFQ
CSD18532NQ5BT

데이터시트

NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 100A (Ta) 6V, 10V 3.4mOhm @ 25A, 10V 3.4V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V 5340 pF @ 30 V - 3.1W (Ta), 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
N0601N-ZK-E1-AY

N0601N-ZK-E1-AY

MOSFET N-CH 60V 100A TO263

Renesas Electronics Corporation

3,198 -
RFQ
N0601N-ZK-E1-AY

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 100A (Ta) 10V 4.2mOhm @ 50A, 10V - 133 nC @ 10 V ±20V 7730 pF @ 25 V - 1.5W (Ta), 156W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263
PSMN7R0-100BS,118

PSMN7R0-100BS,118

MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

Nexperia USA Inc.

2,907 -
RFQ
PSMN7R0-100BS,118

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 100A (Tc) 10V 6.8mOhm @ 15A, 10V 4V @ 1mA 125 nC @ 10 V ±20V 6686 pF @ 50 V - 269W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
TK190E65Z,S1X

TK190E65Z,S1X

650V DTMOS VI TO-220 190MOHM

Toshiba Semiconductor and Storage

113 -
RFQ
TK190E65Z,S1X

데이터시트

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Ta) 10V 190mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 610µA 25 nC @ 10 V ±30V 1370 pF @ 300 V - 130W (Tc) 150°C - - Through Hole TO-220
RD3P200SNFRATL

RD3P200SNFRATL

MOSFET N-CH 100V 20A TO252

Rohm Semiconductor

5,573 -
RFQ
RD3P200SNFRATL

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 20A (Ta) 4V, 10V 46mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 1mA 55 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 25 V - 20W (Tc) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252
IXTY08N50D2-TRL

IXTY08N50D2-TRL

MOSFET N-CH 500V 800MA TO252AA

Littelfuse Inc.

4,990 -
RFQ
IXTY08N50D2-TRL

데이터시트

Depletion TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 500 V 800mA (Tj) 0V 4.6Ohm @ 400mA, 0V 4.5V @ 25µA 12.7 nC @ 5 V ±20V 312 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
BUK7Y1R7-40HX

BUK7Y1R7-40HX

MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56

Nexperia USA Inc.

2,768 -
RFQ
BUK7Y1R7-40HX

데이터시트

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 1.7mOhm @ 25A, 10V 3.6V @ 1mA 96 nC @ 10 V +20V, -10V 6142 pF @ 25 V - 294W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
FDPF15N65

FDPF15N65

MOSFET N-CH 650V 15A TO220F

onsemi

351 -
RFQ

-

UniFET™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Tc) 10V 440mOhm @ 7.5A, 10V 5V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±30V 3095 pF @ 25 V - 38.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
IXTA48P05T

IXTA48P05T

MOSFET P-CH 50V 48A TO263

Littelfuse Inc.

3,295 -
RFQ
IXTA48P05T

데이터시트

TrenchP™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 48A (Tc) 10V 30mOhm @ 24A, 10V 4.5V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±15V 3660 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
IRFI840GPBF

IRFI840GPBF

MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3

Vishay Siliconix

469 -
RFQ
IRFI840GPBF

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 4.6A (Tc) 10V 850mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 250µA 67 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
STP150N10F7

STP150N10F7

MOSFET N-CH 100V 110A TO220

STMicroelectronics

440 -
RFQ
STP150N10F7

데이터시트

DeepGATE™, STripFET™ VII TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 110A (Tc) 10V 4.2mOhm @ 55A, 10V 4.5V @ 250µA 117 nC @ 10 V ±20V 8115 pF @ 50 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
SQJQ186E-T1_GE3

SQJQ186E-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)

Vishay Siliconix

1,686 -
RFQ
SQJQ186E-T1_GE3

데이터시트

TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 8 x 8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 245A (Tc) 10V 2.3mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 185 nC @ 10 V ±20V 10552 pF @ 25 V - 357W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
IPP037N08N3GXKSA1

IPP037N08N3GXKSA1

MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3

Infineon Technologies

1,665 -
RFQ
IPP037N08N3GXKSA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 100A (Tc) 6V, 10V 3.75mOhm @ 100A, 10V 3.5V @ 155µA 117 nC @ 10 V ±20V 8110 pF @ 40 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
IXTA90N075T2

IXTA90N075T2

MOSFET N-CH 75V 90A TO263

IXYS

252 -
RFQ
IXTA90N075T2

데이터시트

TrenchT2™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 90A (Tc) 10V 10mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±20V 3290 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
IRF9383MTRPBF

IRF9383MTRPBF

MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET

Infineon Technologies

4,324 -
RFQ
IRF9383MTRPBF

데이터시트

HEXFET® DirectFET™ Isometric MX Tape & Reel (TR) Not For New Designs P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 22A (Ta), 160A (Tc) 4.5V, 10V 2.9mOhm @ 22A, 10V 2.4V @ 150µA 130 nC @ 10 V ±20V 7305 pF @ 15 V - 2.1W (Ta), 113W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MX
STL260N4F7

STL260N4F7

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

STMicroelectronics

2,187 -
RFQ
STL260N4F7

데이터시트

STripFET™ F7 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 1.1mOhm @ 24A, 10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V 5000 pF @ 25 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
STB140NF55T4

STB140NF55T4

MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

STMicroelectronics

1,979 -
RFQ
STB140NF55T4

데이터시트

STripFET™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 8mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 142 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
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