FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IPP057N08N3GXKSA1

IPP057N08N3GXKSA1

MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3

Infineon Technologies

1,107 -
RFQ
IPP057N08N3GXKSA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 80A (Tc) 6V, 10V 5.7mOhm @ 80A, 10V 3.5V @ 90µA 69 nC @ 10 V ±20V 4750 pF @ 40 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
STB18NF30

STB18NF30

MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK

STMicroelectronics

966 -
RFQ
STB18NF30

데이터시트

STripFET™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 330 V 18A (Tc) 10V 180mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 1650 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK)
STP5N105K5

STP5N105K5

MOSFET N-CH 1050V 3A TO220

STMicroelectronics

799 -
RFQ
STP5N105K5

데이터시트

MDmesh™ K5 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1050 V 3A (Tc) 10V 3.5Ohm @ 1.5A, 10V 5V @ 100µA 12.5 nC @ 10 V ±30V 210 pF @ 100 V - 85W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
TPW4R008NH,L1Q

TPW4R008NH,L1Q

MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP

Toshiba Semiconductor and Storage

4,550 -
RFQ
TPW4R008NH,L1Q

데이터시트

U-MOSVIII-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 116A (Tc) 10V 4mOhm @ 50A, 10V 4V @ 1mA 59 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 40 V - 800mW (Ta), 142W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DSOP Advance
RJK0654DPB-00#J5

RJK0654DPB-00#J5

MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK

Renesas Electronics Corporation

4,239 -
RFQ
RJK0654DPB-00#J5

데이터시트

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 30A (Ta) 10V 8.3mOhm @ 15A, 10V - 27 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 10 V - 55W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
2SJ687-ZK-E1-AY

2SJ687-ZK-E1-AY

MOSFET P-CH 20V 20A TO252

Renesas Electronics Corporation

3,791 -
RFQ
2SJ687-ZK-E1-AY

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 20A (Tc) 2.5V, 4.5V 7mOhm @ 10A, 4.5V - 57 nC @ 4.5 V ±12V 4400 pF @ 10 V - 1W (Ta), 36W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
STB6NK60ZT4

STB6NK60ZT4

MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK

STMicroelectronics

914 -
RFQ
STB6NK60ZT4

데이터시트

SuperMESH™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3A, 10V 4.5V @ 100µA 46 nC @ 10 V ±30V 905 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
TK100S04N1L,LQ

TK100S04N1L,LQ

MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

2,842 -
RFQ
TK100S04N1L,LQ

데이터시트

U-MOSVIII-H TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Ta) 4.5V, 10V 2.3mOhm @ 50A, 10V 2.5V @ 500µA 76 nC @ 10 V ±20V 5490 pF @ 10 V - 100W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
IPP60R299CPXKSA1

IPP60R299CPXKSA1

MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3

Infineon Technologies

782 -
RFQ
IPP60R299CPXKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 299mOhm @ 6.6A, 10V 3.5V @ 440µA 29 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 100 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
SIHB23N60E-GE3

SIHB23N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK

Vishay Siliconix

200 -
RFQ
SIHB23N60E-GE3

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 23A (Tc) 10V 158mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±30V 2418 pF @ 100 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
STL18N65M2

STL18N65M2

MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV

STMicroelectronics

2,842 -
RFQ
STL18N65M2

데이터시트

MDmesh™ M2 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 8A (Tc) 10V 365mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 21.5 nC @ 10 V ±25V 764 pF @ 100 V - 57W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV
SIHB20N50E-GE3

SIHB20N50E-GE3

MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK

Vishay Siliconix

2,422 -
RFQ
SIHB20N50E-GE3

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 19A (Tc) 10V 184mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 92 nC @ 10 V ±30V 1640 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
STF13NK50Z

STF13NK50Z

MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP

STMicroelectronics

1,745 -
RFQ
STF13NK50Z

데이터시트

SuperMESH™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 11A (Tc) 10V 480mOhm @ 6.5A, 10V 4.5V @ 100µA 47 nC @ 10 V ±30V 1600 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
IPP60R180C7XKSA1

IPP60R180C7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3

Infineon Technologies

445 -
RFQ
IPP60R180C7XKSA1

데이터시트

CoolMOS™ C7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V 180mOhm @ 5.3A, 10V 4V @ 260µA 24 nC @ 10 V ±20V 1080 pF @ 400 V - 68W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
IPP65R190CFD7XKSA1

IPP65R190CFD7XKSA1

HIGH POWER_NEW

Infineon Technologies

930 -
RFQ
IPP65R190CFD7XKSA1

데이터시트

CoolMOS™ CFD7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17.5A (Tc) 10V 190mOhm @ 7.3A, 10V 4.5V @ 700µA 68 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 100 V - 151W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
SUM90220E-GE3

SUM90220E-GE3

MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK

Vishay Siliconix

730 -
RFQ
SUM90220E-GE3

데이터시트

ThunderFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 64A (Tc) 7.5V, 10V 21.6mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±20V 1950 pF @ 100 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
STF5N105K5

STF5N105K5

MOSFET N-CH 1050V 3A TO220

STMicroelectronics

651 -
RFQ
STF5N105K5

데이터시트

MDmesh™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1050 V 3A (Tc) 10V 3.5Ohm @ 1.5A, 10V 5V @ 100µA 12.5 nC @ 10 V ±30V 210 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
IQE013N04LM6SCATMA1

IQE013N04LM6SCATMA1

OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET

Infineon Technologies

11,529 -
RFQ
IQE013N04LM6SCATMA1

데이터시트

OptiMOS™ 6 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 4.5V, 10V 1.35mOhm @ 20A, 10V 2V @ 51µA 41 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 20 V - 2.5W (Ta), 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-WHSON-8-1
IRFI9640GPBF

IRFI9640GPBF

MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220-3

Vishay Siliconix

1,898 -
RFQ

-

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 6.1A (Tc) 10V 500mOhm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
SIHB15N80AE-GE3

SIHB15N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 13A D2PAK

Vishay Siliconix

1,065 -
RFQ
SIHB15N80AE-GE3

데이터시트

E TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 13A (Tc) 10V 350mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±30V 1093 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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