FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

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IRFBF30PBF

IRFBF30PBF

MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB

Vishay Siliconix

637 -
RFQ
IRFBF30PBF

데이터시트

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 3.6A (Tc) 10V 3.7Ohm @ 2.2A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
STW7N90K5

STW7N90K5

MOSFET N-CH 900V 7A TO247-3

STMicroelectronics

553 -
RFQ
STW7N90K5

데이터시트

MDmesh™ K5 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 7A (Tc) 10V - 5V @ 100µA - ±30V - - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IRLZ44PBF-BE3

IRLZ44PBF-BE3

MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB

Vishay Siliconix

542 -
RFQ
IRLZ44PBF-BE3

데이터시트

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) - 28mOhm @ 31A, 5V 2V @ 250µA 66 nC @ 5 V ±10V 3300 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IPA60R160P7XKSA1

IPA60R160P7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 20A TO220

Infineon Technologies

154 -
RFQ
IPA60R160P7XKSA1

데이터시트

CoolMOS™ P7 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 160mOhm @ 6.3A, 10V 4V @ 350µA 31 nC @ 10 V ±20V 1317 pF @ 400 V - 26W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220 Full Pack
SIHB17N80AE-GE3

SIHB17N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK

Vishay Siliconix

983 -
RFQ
SIHB17N80AE-GE3

데이터시트

E TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 15A (Tc) 10V 290mOhm @ 8.5A, 10V 4V @ 250µA 62 nC @ 10 V ±30V 1260 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IPB70N10S312ATMA1

IPB70N10S312ATMA1

MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

Infineon Technologies

459 -
RFQ
IPB70N10S312ATMA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 70A (Tc) 10V 11.3mOhm @ 70A, 10V 4V @ 83µA 66 nC @ 10 V ±20V 4355 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
IXTA1R4N100P

IXTA1R4N100P

MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263

Littelfuse Inc.

112 -
RFQ
IXTA1R4N100P

데이터시트

Polar TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 1.4A (Tc) 10V 11Ohm @ 500mA, 10V 4.5V @ 50µA 17.8 nC @ 10 V ±20V 450 pF @ 25 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
AUIRF540Z

AUIRF540Z

MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB

Infineon Technologies

2,814 -
RFQ
AUIRF540Z

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 36A (Tc) 10V 26.5mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1770 pF @ 25 V - 92W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
TK10P60W,RVQ

TK10P60W,RVQ

MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

2,496 -
RFQ
TK10P60W,RVQ

데이터시트

DTMOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9.7A (Ta) 10V 430mOhm @ 4.9A, 10V 3.7V @ 500µA 20 nC @ 10 V ±30V 700 pF @ 300 V - 80W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
STP24N60M2

STP24N60M2

MOSFET N-CH 600V 18A TO220

STMicroelectronics

1,003 -
RFQ
STP24N60M2

데이터시트

MDmesh™ II Plus TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 10V 190mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±25V 1060 pF @ 100 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
STF18NM60N

STF18NM60N

MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP

STMicroelectronics

914 -
RFQ
STF18NM60N

데이터시트

MDmesh™ II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V 285mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±25V 1000 pF @ 50 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
IPA60R170CFD7XKSA1

IPA60R170CFD7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 8A TO220

Infineon Technologies

212 -
RFQ
IPA60R170CFD7XKSA1

데이터시트

CoolMOS™ CFD7 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 8A (Tc) 10V 170mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 300µA 28 nC @ 10 V ±20V 1199 pF @ 400 V - 26W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
IPP60R170CFD7XKSA1

IPP60R170CFD7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3

Infineon Technologies

117 -
RFQ
IPP60R170CFD7XKSA1

데이터시트

CoolMOS™ CFD7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 14A (Tc) 10V 170mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 300µA 28 nC @ 10 V ±20V 1199 pF @ 400 V - 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
SIHB12N65E-GE3

SIHB12N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Vishay Siliconix

875 -
RFQ
SIHB12N65E-GE3

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 380mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±30V 1224 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
FDMS3672

FDMS3672

MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP

onsemi

10,459 -
RFQ
FDMS3672

데이터시트

UltraFET™ 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 7.4A (Ta), 22A (Tc) 6V, 10V 23mOhm @ 7.4A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 2680 pF @ 50 V - 2.5W (Ta), 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-MLP (5x6), Power56
SIHP20N50E-GE3

SIHP20N50E-GE3

MOSFET N-CH 500V 19A TO220AB

Vishay Siliconix

848 -
RFQ
SIHP20N50E-GE3

데이터시트

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 19A (Tc) 10V 184mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 92 nC @ 10 V ±30V 1640 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
TSM9ND50CI

TSM9ND50CI

MOSFET N-CH 500V 9A ITO220

Taiwan Semiconductor Corporation

3,869 -
RFQ
TSM9ND50CI

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 9A (Tc) 10V 900mOhm @ 2.3A, 10V 3.8V @ 250µA 24.5 nC @ 10 V ±30V 1116 pF @ 50 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220
IRF9540STRLPBF

IRF9540STRLPBF

MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK

Vishay Siliconix

2,592 -
RFQ
IRF9540STRLPBF

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 19A (Tc) 10V 200mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 61 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
RD3S100AAFRATL

RD3S100AAFRATL

MOSFET N-CH 190V 10A TO252

Rohm Semiconductor

1,743 -
RFQ
RD3S100AAFRATL

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 190 V 10A (Tc) 4V, 10V 182mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 52 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 25 V - 85W (Tc) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252
SIHA20N50E-GE3

SIHA20N50E-GE3

N-CHANNEL 500V

Vishay Siliconix

1,048 -
RFQ
SIHA20N50E-GE3

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 19A (Tc) 10V 184mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 92 nC @ 10 V ±30V 1640 pF @ 100 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
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