FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
GA05JT12-247

GA05JT12-247

TRANS SJT 1200V 5A TO247AB

GeneSiC Semiconductor

6,647 -
RFQ

-

- TO-247-3 Tube Obsolete - SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 5A (Tc) - 280mOhm @ 5A - - - - - 106W (Tc) 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AB
SMP3003-DL-1E

SMP3003-DL-1E

MOSFET P-CH 75V 100A D2PAK

onsemi

5,404 -
RFQ

-

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 100A (Ta) 4V, 10V 8mOhm @ 50A, 10V - 280 nC @ 10 V ±20V 13400 pF @ 20 V - 90W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
STI30NM60N

STI30NM60N

MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

STMicroelectronics

5,081 -
RFQ
STI30NM60N

데이터시트

MDmesh™ II TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Tc) 10V 130mOhm @ 12.5A, 10V 4V @ 250µA 91 nC @ 10 V ±30V 2700 pF @ 50 V - 190W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
IRLBL1304

IRLBL1304

MOSFET N-CH 40V 185A SUPER D2PAK

Infineon Technologies

7,191 -
RFQ
IRLBL1304

데이터시트

HEXFET® Super D2-Pak Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 185A (Tc) 4.5V, 10V 4.5mOhm @ 110A, 10V 1V @ 250µA 140 nC @ 4.5 V ±16V 7660 pF @ 25 V - 300W (Tc) - - - Surface Mount SUPER D2-PAK
SCT10N120H

SCT10N120H

SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2

STMicroelectronics

2,712 -
RFQ
SCT10N120H

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 12A (Tc) 20V 690mOhm @ 6A, 20V 3.5V @ 250µA 22 nC @ 20 V +25V, -10V 290 pF @ 400 V - 150W (Tc) -55°C ~ 200°C (TJ) - - Surface Mount H2Pak-2
IXFC26N50

IXFC26N50

MOSFET N-CH 500V 23A ISOPLUS220

IXYS

5,990 -
RFQ
IXFC26N50

데이터시트

HiPerFET™ ISOPLUS220™ Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 23A (Tc) 10V 200mOhm @ 13A, 10V 4V @ 4mA 135 nC @ 10 V ±20V 4200 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS220™
IXFC80N10

IXFC80N10

MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220

IXYS

3,814 -
RFQ

-

HiPerFET™ ISOPLUS220™ Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 80A (Tc) 10V 12.5mOhm @ 40A, 10V 4V @ 4mA 180 nC @ 10 V ±20V 4800 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS220™
PSMNR90-40SSHJ

PSMNR90-40SSHJ

MOSFET N-CH 40V 375A LFPAK88

Nexperia USA Inc.

2 -
RFQ
PSMNR90-40SSHJ

데이터시트

- SOT-1235 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 375A (Tc) 10V 0.9mOhm @ 25A, 10V 3.6V @ 1mA 166 nC @ 10 V ±20V 12888 pF @ 25 V Schottky Diode (Body) 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK88 (SOT1235)
IXFH26N55Q

IXFH26N55Q

MOSFET N-CH 550V 26A TO247AD

IXYS

7,099 -
RFQ

-

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 26A (Tc) 10V 230mOhm @ 13A, 10V 4.5V @ 4mA 92 nC @ 10 V ±30V 3000 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IRLML6402TR

IRLML6402TR

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23

Infineon Technologies

6,055 -
RFQ
IRLML6402TR

데이터시트

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3.7A (Ta) - 65mOhm @ 3.7A, 4.5V 1.2V @ 250µA 12 nC @ 5 V - 633 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount Micro3™/SOT-23
STW68N65DM6

STW68N65DM6

DISCRETE

STMicroelectronics

6,979 -
RFQ

-

- TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 55A (Tc) 10V 59mOhm @ 24A, 10V 4.75V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±25V 3528 pF @ 100 V - 431W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
TPH3206LS

TPH3206LS

GANFET N-CH 600V 17A PQFN

Transphorm

6,729 -
RFQ
TPH3206LS

데이터시트

- 3-PowerDFN Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 17A (Tc) 10V 180mOhm @ 11A, 8V 2.6V @ 500µA 9.3 nC @ 4.5 V ±18V 760 pF @ 480 V - 96W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 3-PQFN (8x8)
GS-065-030-2-L-TR

GS-065-030-2-L-TR

GS-065-030-2-L-TR

Infineon Technologies Canada Inc.

2,708 -
RFQ

-

- 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 30A (Tc) 6V 68mOhm @ 5.5A, 6V 2.6V @ 7.5mA 6.7 nC @ 6 V +7V, -10V 235 pF @ 400 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFN (8x8)
IPB015N04LGATMA1

IPB015N04LGATMA1

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

Infineon Technologies

7,354 -
RFQ
IPB015N04LGATMA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 1.5mOhm @ 100A, 10V 2V @ 200µA 346 nC @ 10 V ±20V 28000 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
GS-065-030-6-LR-TR

GS-065-030-6-LR-TR

GS-065-030-6-LR-TR

Infineon Technologies Canada Inc.

2,646 -
RFQ

-

- 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 700 V 40A (Tc) 6V 54mOhm @ 5.5A, 6V 2.6V @ 7.5mA 6.7 nC @ 6 V +7V, -10V 235 pF @ 400 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFN (8x8)
UF4C120070B7S

UF4C120070B7S

1200V/70MO,SICFET,G4,TO263-7

Qorvo

5,168 -
RFQ
UF4C120070B7S

데이터시트

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Bulk Active P-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 25.7A (Tj) 12V 91mOhm @ 20A, 12V 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V ±20V 1370 pF @ 800 V - 183W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK-7L
DMWSH120H90SCT7Q-13

DMWSH120H90SCT7Q-13

LINEAR IC

Diodes Incorporated

7,902 -
RFQ

-

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 38.2A (Tc) 15V 90mOhm @ 20A, 15V 3.5V @ 5mA 54.6 nC @ 15 V +19V, -8V 1078 pF @ 1000 V - 197W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
IXFT150N17T2

IXFT150N17T2

MOSFET N-CH 175V 150A TO268HV

Littelfuse Inc.

6,008 -
RFQ
IXFT150N17T2

데이터시트

HiPerFET™, TrenchT2™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 175 V 150A (Tc) 10V 12mOhm @ 75A, 10V 4.5V @ 1mA 233 nC @ 10 V ±20V 14600 pF @ 25 V - 880W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXFT)
STI42N65M5

STI42N65M5

MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK

STMicroelectronics

4,333 -
RFQ
STI42N65M5

데이터시트

MDmesh™ V TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 33A (Tc) 10V 79mOhm @ 16.5A, 10V 5V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±25V 4650 pF @ 100 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
AUIRFS4310ZTRL

AUIRFS4310ZTRL

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Infineon Technologies

9,643 -
RFQ
AUIRFS4310ZTRL

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 6mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170 nC @ 10 V ±20V 6860 pF @ 50 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
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