FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IXTH12N65X2

IXTH12N65X2

MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3

Littelfuse Inc.

3 -
RFQ
IXTH12N65X2

데이터시트

Ultra X2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 300mOhm @ 6A, 10V 5V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
SUB75P03-07-E3

SUB75P03-07-E3

MOSFET P-CH 30V 75A TO263

Vishay Siliconix

4,231 -
RFQ
SUB75P03-07-E3

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 30A, 10V 3V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 9000 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 187W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
MSC360SMA120SA

MSC360SMA120SA

MOSFET SIC 1200 V 360 MOHM TO-26

Microchip Technology

3,455 -
RFQ
MSC360SMA120SA

데이터시트

- - Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 11A (Tc) 20V 450mOhm @ 5A, 20V 3.14V @ 250µA 21 nC @ 20 V +23V, -10V 255 pF @ 1000 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - - -
MSJW47N60A-BP

MSJW47N60A-BP

MOSFET

Micro Commercial Co

2,583 -
RFQ
MSJW47N60A-BP

데이터시트

- TO-247-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 91mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 123 nC @ 10 V ±30V 4476 pF @ 300 V - 278W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IRF7769L2TRPBF

IRF7769L2TRPBF

MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET

Infineon Technologies

8,552 -
RFQ
IRF7769L2TRPBF

데이터시트

HEXFET® DirectFET™ Isometric L8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 375A (Tc) 10V 3.5mOhm @ 74A, 10V 4V @ 250µA 300 nC @ 10 V ±20V 11560 pF @ 25 V - 3.3W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
TK25A60X5,S5X

TK25A60X5,S5X

MOSFET N-CH 600V 25A TO220SIS

Toshiba Semiconductor and Storage

1 -
RFQ
TK25A60X5,S5X

데이터시트

DTMOSIV-H TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Ta) 10V 140mOhm @ 7.5A, 10V 4.5V @ 1.2mA 60 nC @ 10 V ±30V 2400 pF @ 300 V - 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
SIHH11N65EF-T1-GE3

SIHH11N65EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V 11A PPAK 8 X 8

Vishay Siliconix

9,010 -
RFQ
SIHH11N65EF-T1-GE3

데이터시트

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 382mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±30V 1243 pF @ 100 V - 130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
IXTP32N65XM

IXTP32N65XM

MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3

IXYS

9,397 -
RFQ
IXTP32N65XM

데이터시트

Ultra X TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 14A (Tc) 10V 135mOhm @ 16A, 10V 5.5V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±30V 2206 pF @ 25 V - 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRFP2907ZPBF

IRFP2907ZPBF

MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC

Infineon Technologies

1 -
RFQ
IRFP2907ZPBF

데이터시트

HEXFET® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 90A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 90A, 10V 4V @ 250µA 270 nC @ 10 V ±20V 7500 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRL60SC216ARMA1

IRL60SC216ARMA1

MOSFET N-CH 60V 324A TO263-7

Infineon Technologies

9,952 -
RFQ
IRL60SC216ARMA1

데이터시트

StrongIRFET™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 324A (Tc) 4.5V, 10V 1.5mOhm @ 100A, 10V 2.4V @ 250µA 218 nC @ 4.5 V ±20V 16000 pF @ 30 V - 2.4W (Ta), 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7
IXFH7N80

IXFH7N80

MOSFET N-CH 800V 7A TO247AD

IXYS

3,571 -
RFQ
IXFH7N80

데이터시트

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 7A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 3.5A, 10V 4.5V @ 2.5mA 130 nC @ 10 V ±20V 2800 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXTH420N04T2

IXTH420N04T2

MOSFET N-CH 40V 420A TO247

IXYS

2,001 -
RFQ
IXTH420N04T2

데이터시트

TrenchT2™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 420A (Tc) 10V 2mOhm @ 100A, 10V 3.5V @ 250µA 315 nC @ 10 V ±20V 19700 pF @ 25 V - 935W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
IXFA36N55X2

IXFA36N55X2

IXFA36N55X2

Littelfuse Inc.

5,289 -
RFQ

-

HiPerFET™, Ultra X2 - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXTT30N60P

IXTT30N60P

MOSFET N-CH 600V 30A TO268

IXYS

2,445 -
RFQ
IXTT30N60P

데이터시트

Polar TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 240mOhm @ 15A, 10V 5V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±30V 5050 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
SUM110N06-3M9H-E3

SUM110N06-3M9H-E3

MOSFET N-CH 60V 110A TO263

Vishay Siliconix

2,358 -
RFQ
SUM110N06-3M9H-E3

데이터시트

TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 110A (Tc) 10V 3.9mOhm @ 30A, 10V 4.5V @ 250µA 300 nC @ 10 V ±20V 15800 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IXFC80N08

IXFC80N08

MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220

IXYS

2,456 -
RFQ
IXFC80N08

데이터시트

HiPerFET™ ISOPLUS220™ Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 80A (Tc) 10V 11mOhm @ 40A, 10V 4V @ 4mA 180 nC @ 10 V ±20V 4800 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS220™
IXFH18N60X

IXFH18N60X

MOSFET N-CH 600V 18A TO247

IXYS

3,204 -
RFQ
IXFH18N60X

데이터시트

HiPerFET™, Ultra X TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 10V 230mOhm @ 9A, 10V 4.5V @ 1.5mA 35 nC @ 10 V ±30V 1440 pF @ 25 V - 320W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
UJ4C075060L8SSR

UJ4C075060L8SSR

750V/60MO,SICFET,G4,TOLL

Qorvo

6,656 -
RFQ
UJ4C075060L8SSR

데이터시트

- 8-PowerSFN Bulk Active P-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 27.8A (Tj) 12V 74mOhm @ 20A, 12V 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V ±20V 1420 pF @ 400 V - 155W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TOLL
SPB20N60S5ATMA1

SPB20N60S5ATMA1

MOSFET N-CH 600V 20A TO263-3

Infineon Technologies

5,665 -
RFQ
SPB20N60S5ATMA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 190mOhm @ 13A, 10V 5.5V @ 1mA 103 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
IXTH6N90

IXTH6N90

MOSFET N-CH 900V 6A TO247

IXYS

6,360 -
RFQ

-

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 6A (Tc) 10V 1.8Ohm @ 500mA, 10V 4.5V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 2600 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
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