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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    STB31N65M5

    STB31N65M5

    MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

    STMicroelectronics

    		 9,068 -
    RFQ
    		STB31N65M5

    데이터시트

         		MDmesh™ V TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 22A (Tc) 10V 148mOhm @ 11A, 10V 5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±25V 1865 pF @ 100 V - 150W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    2SK3318

    2SK3318

    MOSFET N-CH 600V 15A TOP-3F-A1

    Panasonic Electronic Components

    		 5,908 -
    RFQ
    		2SK3318

    데이터시트

         		- TOP-3F Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Tc) 10V 460mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 1mA - ±30V 3500 pF @ 20 V - 3W (Ta), 100W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TOP-3F-A1
    IRFPF30

    IRFPF30

    MOSFET N-CH 900V 3.6A TO247-3

    Vishay Siliconix

    		 8,337 -
    RFQ
    		IRFPF30

    데이터시트

         		- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 3.6A (Tc) 10V 3.7Ohm @ 2.2A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    IXTA02N250

    IXTA02N250

    MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263

    IXYS

    		 5,962 -
    RFQ
    		IXTA02N250

    데이터시트

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2500 V 200mA (Tc) 10V 450Ohm @ 50mA, 10V 4.5V @ 250µA 7.4 nC @ 10 V ±20V 116 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
    AOK065A60

    AOK065A60

    N

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 2,797 -
    RFQ
    		AOK065A60

    데이터시트

         		aMOS5™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4.1A (Ta), 20A (Tc) 10V - - 34 nC @ 10 V 20V 1935 pF @ 100 V - 8.3W (Ta), 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    SIHH21N60E-T1-GE3

    SIHH21N60E-T1-GE3

    MOSFET N-CH 600V 20A PPAK 8 X 8

    Vishay Siliconix

    		 2,099 -
    RFQ
    		SIHH21N60E-T1-GE3

    데이터시트

         		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 176mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 83 nC @ 10 V ±30V 2015 pF @ 100 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
    TSM60NB150CF

    TSM60NB150CF

    600V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWE

    Taiwan Semiconductor Corporation

    		 8,105 -
    RFQ

    -

    		 - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 24A (Tc) 10V 150mOhm @ 4.3A, 10V 4V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±30V 1765 pF @ 100 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220S
    IXTH20N65X

    IXTH20N65X

    MOSFET N-CH 650V 20A TO247

    IXYS

    		 8,230 -
    RFQ
    		IXTH20N65X

    데이터시트

         		Ultra X TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20A (Tc) 10V 210mOhm @ 10A, 10V 5.5V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±30V 1390 pF @ 25 V - 320W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    STU16N65M5

    STU16N65M5

    MOSFET N-CH 650V 12A IPAK

    STMicroelectronics

    		 5 -
    RFQ
    		STU16N65M5

    데이터시트

         		MDmesh™ V TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 299mOhm @ 6A, 10V 5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±25V 1250 pF @ 100 V - 90W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251 (IPAK)
    IRFPG30

    IRFPG30

    MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3

    Vishay Siliconix

    		 6,836 -
    RFQ
    		IRFPG30

    데이터시트

         		- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 3.1A (Tc) 10V 5Ohm @ 1.9A, 10V 4V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V 980 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    IXTP32N65X

    IXTP32N65X

    MOSFET N-CH 650V 32A TO220-3

    IXYS

    		 7,490 -
    RFQ
    		IXTP32N65X

    데이터시트

         		Ultra X TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 32A (Tc) 10V 135mOhm @ 16A, 10V 5.5V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±30V 2205 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    SIHH11N65E-T1-GE3

    SIHH11N65E-T1-GE3

    MOSFET N-CH 650V 12A PPAK 8 X 8

    Vishay Siliconix

    		 6,942 -
    RFQ
    		SIHH11N65E-T1-GE3

    데이터시트

         		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 363mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 68 nC @ 10 V ±30V 1257 pF @ 100 V - 130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
    SCT2280KEC

    SCT2280KEC

    SICFET N-CH 1200V 14A TO247

    Rohm Semiconductor

    		 2,243 -
    RFQ
    		SCT2280KEC

    데이터시트

         		- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 14A (Tc) 18V 364mOhm @ 4A, 18V 4V @ 1.4mA 36 nC @ 18 V +22V, -6V 667 pF @ 800 V - 108W (Tc) 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    IXTH75N15

    IXTH75N15

    MOSFET N-CH 150V 75A TO247

    IXYS

    		 4,387 -
    RFQ

    -

    		 - TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 75A (Tc) 10V 23mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 210 nC @ 10 V ±20V 5400 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    IXFA6N120P-TRL

    IXFA6N120P-TRL

    MOSFET N-CH 1200V 6A TO263

    Littelfuse Inc.

    		 5,207 -
    RFQ
    		IXFA6N120P-TRL

    데이터시트

         		HiPerFET™, Polar TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 6A (Tc) 10V 2.4Ohm @ 500mA, 10V 5V @ 1mA 92 nC @ 10 V ±30V 2830 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA (IXFA)
    IRF7749L2TRPBF

    IRF7749L2TRPBF

    MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    		 2,873 -
    RFQ
    		IRF7749L2TRPBF

    데이터시트

         		HEXFET® DirectFET™ Isometric L8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 33A (Ta), 375A (Tc) 10V 1.5mOhm @ 120A, 10V 4V @ 250µA 300 nC @ 10 V ±20V 12320 pF @ 25 V - 3.3W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
    DMWSH120H90SCT7

    DMWSH120H90SCT7

    LINEAR IC

    Diodes Incorporated

    		 4,746 -
    RFQ

    -

    		 - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 38.2A (Tc) 15V 90mOhm @ 20A, 15V 3.5V @ 5mA 54.6 nC @ 15 V +19V, -8V 1078 pF @ 1000 V - 197W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    2SK4209

    2SK4209

    MOSFET N-CH 800V 12A TO3PB

    onsemi

    		 5,110 -
    RFQ
    		2SK4209

    데이터시트

         		- TO-3P-3, SC-65-3 Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 12A (Ta) 10V 1.08Ohm @ 6A, 10V 4V @ 1mA 75 nC @ 10 V ±30V 1500 pF @ 30 V - 2.5W (Ta), 190W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PB
    IXFH6N100F

    IXFH6N100F

    MOSFET N-CH 1000V 6A TO247

    Littelfuse Inc.

    		 9,313 -
    RFQ

    -

    		 HiPerFET™, F Class TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 6A (Tc) 10V 1.9Ohm @ 3A, 10V 5.5V @ 2.5mA 54 nC @ 10 V ±20V 1770 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXFH)
    STP65N045M9

    STP65N045M9

    N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5

    STMicroelectronics

    		 5,234 -
    RFQ
    		STP65N045M9

    데이터시트

         		- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 55A (Tc) 10V 45mOhm @ 28A, 10V 4.2V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±30V 4610 pF @ 400 V - 245W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
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