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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    STI21N65M5

    STI21N65M5

    MOSFET N-CH 650V 17A I2PAK

    STMicroelectronics

    		 3,480 -
    RFQ
    		STI21N65M5

    데이터시트

         		MDmesh™ V TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17A (Tc) 10V 179mOhm @ 8.5A, 10V 5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±25V 1950 pF @ 100 V - 125W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
    IPA60R950C6XKSA1

    IPA60R950C6XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-FP

    Infineon Technologies

    		 1 -
    RFQ
    		IPA60R950C6XKSA1

    데이터시트

         		CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4.4A (Tc) 10V 950mOhm @ 1.5A, 10V 3.5V @ 130µA 13 nC @ 10 V ±20V 280 pF @ 100 V - 26W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
    TPCA8010-H(TE12L,Q

    TPCA8010-H(TE12L,Q

    MOSFET N-CH 200V 5.5A 8SOP

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 5,244 -
    RFQ
    		TPCA8010-H(TE12L,Q

    데이터시트

         		π-MOSV 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5.5A (Ta) 10V 450mOhm @ 2.7A, 10V 4V @ 1mA 10 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 10 V - 1.6W (Ta), 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
    SPB03N60S5ATMA1

    SPB03N60S5ATMA1

    MOSFET N-CH 600V 3.2A TO263-3

    Infineon Technologies

    		 5,782 -
    RFQ
    		SPB03N60S5ATMA1

    데이터시트

         		CoolMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.2A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 2A, 10V 5.5V @ 135µA 16 nC @ 10 V ±20V 420 pF @ 25 V - 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    RSS070P05FU6TB

    RSS070P05FU6TB

    MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    		 3,176 -
    RFQ
    		RSS070P05FU6TB

    데이터시트

         		- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 45 V 7A (Ta) 4V, 10V 27mOhm @ 7A, 10V - 47.6 nC @ 5 V ±20V 4100 pF @ 10 V - 2W (Ta) - - - Surface Mount 8-SOP
    SIR476DP-T1-GE3

    SIR476DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    		 4,538 -
    RFQ
    		SIR476DP-T1-GE3

    데이터시트

         		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 1.7mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 135 nC @ 10 V ±20V 6150 pF @ 10 V - 6.25W (Ta), 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    AOB1608L

    AOB1608L

    MOSFET N-CH 60V 11A/140A TO263

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 3,160 -
    RFQ
    		AOB1608L

    데이터시트

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 11A (Ta), 140A (Tc) 10V 7.3mOhm @ 20A, 10V 3.7V @ 250µA 84 nC @ 10 V ±20V 3690 pF @ 25 V - 2.1W (Ta), 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    DMNH6008SPSQ-13

    DMNH6008SPSQ-13

    MOSFET N-CH 60V 16.5A PWRDI5060

    Diodes Incorporated

    		 8,187 -
    RFQ
    		DMNH6008SPSQ-13

    데이터시트

         		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 16.5A (Ta), 88A (Tc) 10V 8mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 40.1 nC @ 10 V ±20V 2597 pF @ 30 V - 1.6W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerDI5060-8
    PJQ5428_R2_00001

    PJQ5428_R2_00001

    30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    		 5,458 -
    RFQ
    		PJQ5428_R2_00001

    데이터시트

         		- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Ta), 130A (Tc) 4.5V, 10V 1.6mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 60 nC @ 4.5 V ±20V 6771 pF @ 25 V - 2W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN5060-8
    IXTY1R4N120PHV

    IXTY1R4N120PHV

    MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252

    Littelfuse Inc.

    		 8,726 -
    RFQ
    		IXTY1R4N120PHV

    데이터시트

         		Polar TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 1.4A (Tc) 10V 13Ohm @ 700mA, 10V 4.5V @ 100µA 24.8 nC @ 10 V ±30V 666 pF @ 25 V - 86W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    IRF3704L

    IRF3704L

    MOSFET N-CH 20V 77A TO262

    Infineon Technologies

    		 9,257 -
    RFQ
    		IRF3704L

    데이터시트

         		HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 77A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V ±20V 1996 pF @ 10 V - 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    TK14A65W5,S5X

    TK14A65W5,S5X

    MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 2,110 -
    RFQ
    		TK14A65W5,S5X

    데이터시트

         		DTMOSIV TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 13.7A (Ta) 10V 300mOhm @ 6.9A, 10V 4.5V @ 690µA 40 nC @ 10 V ±30V 1300 pF @ 300 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
    DJR0417

    DJR0417

    REVERSE BATTERY PROTECTION MOSFE

    Sanken Electric USA Inc.

    		 4,778 -
    RFQ
    		DJR0417

    데이터시트

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 17A (Tc) 4.5V, 10V 12.6mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 1mA 75 nC @ 10 V ±20V - - 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    SIHG460B-GE3

    SIHG460B-GE3

    MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC

    Vishay Siliconix

    		 7,561 -
    RFQ
    		SIHG460B-GE3

    데이터시트

         		- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 20A (Tc) 10V 250mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V 3094 pF @ 100 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    IPP054NE8NGHKSA2

    IPP054NE8NGHKSA2

    MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 5,472 -
    RFQ
    		IPP054NE8NGHKSA2

    데이터시트

         		OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 85 V 100A (Tc) 10V 5.4mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V 12100 pF @ 40 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    IRL3705Z

    IRL3705Z

    MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

    Infineon Technologies

    		 2,677 -
    RFQ
    		IRL3705Z

    데이터시트

         		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 52A, 10V 3V @ 250µA 60 nC @ 5 V ±16V 2880 pF @ 25 V - 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    SIHG22N50D-E3

    SIHG22N50D-E3

    MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC

    Vishay Siliconix

    		 2,971 -
    RFQ
    		SIHG22N50D-E3

    데이터시트

         		- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 22A (Tc) 10V 230mOhm @ 11A, 10V 5V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±30V 1938 pF @ 100 V - 312W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    STW12NK60Z

    STW12NK60Z

    MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3

    STMicroelectronics

    		 4,822 -
    RFQ
    		STW12NK60Z

    데이터시트

         		SuperMESH™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V 640mOhm @ 5A, 10V 4.5V @ 100µA 59 nC @ 10 V ±30V 1740 pF @ 25 V - 150W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IRFR3103

    IRFR3103

    MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

    Infineon Technologies

    		 5,198 -
    RFQ
    		IRFR3103

    데이터시트

         		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 1.7A (Ta) 10V 3.6Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 170 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    SUP36N20-54P-E3

    SUP36N20-54P-E3

    MOSFET N-CH 200V 36A TO220AB

    Vishay Siliconix

    		 9,524 -
    RFQ
    		SUP36N20-54P-E3

    데이터시트

         		TrenchFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 36A (Tc) 10V, 15V 53mOhm @ 20A, 15V 4.5V @ 250µA 127 nC @ 15 V ±25V 3100 pF @ 25 V - 3.12W (Ta), 166W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
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