FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRF720S

IRF720S

MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK

Vishay Siliconix

7,855 -
RFQ
IRF720S

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 3.3A (Tc) 10V 1.8Ohm @ 2A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 410 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRF9Z24

IRF9Z24

MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB

Vishay Siliconix

5,120 -
RFQ
IRF9Z24

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 11A (Tc) 10V 280mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 570 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFR9024

IRFR9024

MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK

Vishay Siliconix

8,036 -
RFQ
IRFR9024

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 8.8A (Tc) 10V 280mOhm @ 5.3A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 570 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IRFR9024TR

IRFR9024TR

MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK

Vishay Siliconix

6,821 -
RFQ
IRFR9024TR

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 8.8A (Tc) 10V 280mOhm @ 5.3A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 570 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IRFR9024TRL

IRFR9024TRL

MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK

Vishay Siliconix

7,996 -
RFQ
IRFR9024TRL

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 8.8A (Tc) 10V 280mOhm @ 5.3A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 570 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IRFR9024TRR

IRFR9024TRR

MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK

Vishay Siliconix

9,519 -
RFQ
IRFR9024TRR

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 8.8A (Tc) 10V 280mOhm @ 5.3A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 570 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
SI7880ADP-T1-GE3

SI7880ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

5,606 -
RFQ
SI7880ADP-T1-GE3

데이터시트

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 3mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 125 nC @ 10 V ±20V 5600 pF @ 15 V - 5.4W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
SIHP22N60EL-GE3

SIHP22N60EL-GE3

MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB

Vishay Siliconix

5,473 -
RFQ
SIHP22N60EL-GE3

데이터시트

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 21A (Tc) 10V 197mOhm @ 11A, 10V 5V @ 250µA 74 nC @ 10 V ±30V 1690 pF @ 100 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
SIE808DF-T1-GE3

SIE808DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK

Vishay Siliconix

8,547 -
RFQ
SIE808DF-T1-GE3

데이터시트

TrenchFET® 10-PolarPAK® (L) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 1.6mOhm @ 25A, 10V 3V @ 250µA 155 nC @ 10 V ±20V 8800 pF @ 10 V - 5.2W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
IRLR7833CPBF

IRLR7833CPBF

MOSFET N-CH 30V 140A DPAK

Infineon Technologies

8,318 -
RFQ
IRLR7833CPBF

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 140A (Ta) 4.5V, 10V - - - ±20V - - 140W (Tc) - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
SPB80N04S2-04

SPB80N04S2-04

MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Infineon Technologies

5,951 -
RFQ
SPB80N04S2-04

데이터시트

OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 10V 3.4mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V 6980 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
IRF1405LPBF

IRF1405LPBF

MOSFET N-CH 55V 131A TO262

Infineon Technologies

2,801 -
RFQ
IRF1405LPBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 131A (Tc) 10V 5.3mOhm @ 101A, 10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V 5480 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
HAT2168H-EL-E

HAT2168H-EL-E

MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK

Renesas Electronics Corporation

2,151 -
RFQ
HAT2168H-EL-E

데이터시트

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Ta) 4.5V, 10V 7.9mOhm @ 15A, 10V - 11 nC @ 4.5 V ±20V 1730 pF @ 10 V - 15W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
SUD06N10-225L-E3

SUD06N10-225L-E3

MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252

Vishay Siliconix

8,353 -
RFQ
SUD06N10-225L-E3

데이터시트

TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6.5A (Tc) 4.5V, 10V 200mOhm @ 3A, 10V 3V @ 250µA 4 nC @ 5 V ±20V 240 pF @ 25 V - 1.25W (Ta), 20W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
TSM4459CS RLG

TSM4459CS RLG

MOSFET P-CHANNEL 30V 17A 8SOP

Taiwan Semiconductor Corporation

9,314 -
RFQ

-

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 17A (Ta) 4.5V, 10V 5.2mOhm @ 9A, 10V 3V @ 250µA 78.4 nC @ 4.5 V ±20V 6205 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
IRLZ44ZS

IRLZ44ZS

MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK

Infineon Technologies

3,508 -
RFQ
IRLZ44ZS

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 51A (Tc) 4.5V, 10V 13.5mOhm @ 31A, 10V 3V @ 250µA 36 nC @ 5 V ±16V 1620 pF @ 25 V - 80W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRLZ44ZL

IRLZ44ZL

MOSFET N-CH 55V 51A TO262

Infineon Technologies

3,602 -
RFQ
IRLZ44ZL

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 51A (Tc) 4.5V, 10V 13.5mOhm @ 31A, 10V 3V @ 250µA 36 nC @ 5 V ±16V 1620 pF @ 25 V - 80W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IXTP10N60P

IXTP10N60P

MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB

Littelfuse Inc.

5,487 -
RFQ
IXTP10N60P

데이터시트

Polar TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V 740mOhm @ 5A, 10V 5.5V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±30V 1610 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
TSM060NB06CZ

TSM060NB06CZ

60V, 111A, SINGLE N-CHANNEL POWE

Taiwan Semiconductor Corporation

6,628 -
RFQ

-

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 13A (Ta), 111A (Tc) 7V, 10V 6mOhm @ 13A, 10V 4V @ 250µA 103 nC @ 10 V ±20V 6842 pF @ 30 V - 2W (Ta), 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
TSM060NB06LCZ

TSM060NB06LCZ

60V, 111A, SINGLE N-CHANNEL POWE

Taiwan Semiconductor Corporation

6,680 -
RFQ

-

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 13A (Ta), 111A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 13A, 10V 2.5V @ 250µA 107 nC @ 10 V ±20V 6273 pF @ 30 V - 2W (Ta), 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
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