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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    SIHG17N60D-E3

    SIHG17N60D-E3

    MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC

    Vishay Siliconix

    		 8,554 -
    RFQ
    		SIHG17N60D-E3

    데이터시트

         		- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 17A (Tc) 10V 340mOhm @ 8A, 10V 5V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±30V 1780 pF @ 100 V - 277.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    SIHG17N60D-GE3

    SIHG17N60D-GE3

    MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC

    Vishay Siliconix

    		 2,429 -
    RFQ
    		SIHG17N60D-GE3

    데이터시트

         		- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 17A (Tc) 10V 340mOhm @ 8A, 10V 5V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±30V 1780 pF @ 100 V - 277.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    IPI06CN10N G

    IPI06CN10N G

    MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

    Infineon Technologies

    		 8,483 -
    RFQ
    		IPI06CN10N G

    데이터시트

         		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 100A (Tc) 10V 6.5mOhm @ 100A, 10V 4V @ 180µA 139 nC @ 10 V ±20V 9200 pF @ 50 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    STW17N62K3

    STW17N62K3

    MOSFET N-CH 620V 15.5A TO247-3

    STMicroelectronics

    		 9,130 -
    RFQ
    		STW17N62K3

    데이터시트

         		SuperMESH3™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 620 V 15.5A (Tc) 10V 380mOhm @ 7.5A, 10V 4.5V @ 100µA 94 nC @ 10 V ±30V 2500 pF @ 50 V - 190W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    AOW2500

    AOW2500

    MOSFET N-CH 150V 11.5/152A TO262

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 2,203 -
    RFQ
    		AOW2500

    데이터시트

         		- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 11.5A (Ta), 152A (Tc) 6V, 10V 6.2mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 136 nC @ 10 V ±20V 6460 pF @ 75 V - 2.1W (Ta), 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IPI60R165CPAKSA1

    IPI60R165CPAKSA1

    MOSFET N-CH 650V 21A TO262-3

    Infineon Technologies

    		 5,625 -
    RFQ
    		IPI60R165CPAKSA1

    데이터시트

         		CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 21A (Tc) 10V 165mOhm @ 12A, 10V 3.5V @ 790µA 52 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 100 V - 192W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    IRL2505STRL

    IRL2505STRL

    MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 3,515 -
    RFQ
    		IRL2505STRL

    데이터시트

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 104A (Tc) 4V, 10V 8mOhm @ 54A, 10V 2V @ 250µA 130 nC @ 5 V ±16V 5000 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRL2505STRR

    IRL2505STRR

    MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 6,700 -
    RFQ
    		IRL2505STRR

    데이터시트

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 104A (Tc) 4V, 10V 8mOhm @ 54A, 10V 2V @ 250µA 130 nC @ 5 V ±16V 5000 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRL2910STRL

    IRL2910STRL

    MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 4,958 -
    RFQ
    		IRL2910STRL

    데이터시트

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 55A (Tc) 4V, 10V 26mOhm @ 29A, 10V 2V @ 250µA 140 nC @ 5 V ±16V 3700 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    PSMN5R0-100PS,127

    PSMN5R0-100PS,127

    MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

    Nexperia USA Inc.

    		 2,691 -
    RFQ
    		PSMN5R0-100PS,127

    데이터시트

         		- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 5mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 170 nC @ 10 V ±20V 9900 pF @ 50 V - 338W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    PSMN3R5-80PS,127

    PSMN3R5-80PS,127

    MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB

    Nexperia USA Inc.

    		 4,579 -
    RFQ
    		PSMN3R5-80PS,127

    데이터시트

         		- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 120A (Tc) 10V 3.5mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 139 nC @ 10 V ±20V 9961 pF @ 40 V - 338W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    PSMN4R3-100PS,127

    PSMN4R3-100PS,127

    MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

    Nexperia USA Inc.

    		 4,822 -
    RFQ
    		PSMN4R3-100PS,127

    데이터시트

         		- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 4.3mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 170 nC @ 10 V ±20V 9900 pF @ 50 V - 338W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    PSMN2R0-60PSRQ

    PSMN2R0-60PSRQ

    MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

    Nexperia USA Inc.

    		 8,373 -
    RFQ
    		PSMN2R0-60PSRQ

    데이터시트

         		- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 10V 2.2mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 192 nC @ 10 V ±20V 13500 pF @ 30 V - 338W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRL1004STRL

    IRL1004STRL

    MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 9,402 -
    RFQ
    		IRL1004STRL

    데이터시트

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 130A (Tc) 4.5V, 10V 6.5mOhm @ 78A, 10V 1V @ 250µA 100 nC @ 4.5 V ±16V 5330 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IXTA12N65X2

    IXTA12N65X2

    MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA

    Littelfuse Inc.

    		 3,891 -
    RFQ
    		IXTA12N65X2

    데이터시트

         		Ultra X2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 300mOhm @ 6A, 10V 5V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
    IXFA4N100P-TRL

    IXFA4N100P-TRL

    MOSFET N-CH 1000V 4A TO263

    Littelfuse Inc.

    		 5,251 -
    RFQ

    -

    		 HiPerFET™, Polar TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 4A (Tc) 10V 3.3Ohm @ 2A, 10V 6V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V 1456 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRF5305L

    IRF5305L

    MOSFET P-CH 55V 31A TO262

    Infineon Technologies

    		 4,582 -
    RFQ
    		IRF5305L

    데이터시트

         		HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 31A (Tc) 10V 60mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    FQH70N10

    FQH70N10

    MOSFET N-CH 100V 70A TO247-3

    onsemi

    		 5,157 -
    RFQ
    		FQH70N10

    데이터시트

         		QFET® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 70A (Tc) 10V 23mOhm @ 35A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±25V 3300 pF @ 25 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    PSMN1R1-30PL,127

    PSMN1R1-30PL,127

    MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB

    Nexperia USA Inc.

    		 2,037 -
    RFQ
    		PSMN1R1-30PL,127

    데이터시트

         		- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 1.3mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 1mA 243 nC @ 10 V ±20V 14850 pF @ 15 V - 338W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRF2204LPBF

    IRF2204LPBF

    MOSFET N-CH 40V 170A TO262

    Infineon Technologies

    		 8,718 -
    RFQ
    		IRF2204LPBF

    데이터시트

         		HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 170A (Tc) 10V 3.6mOhm @ 130A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 5890 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
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