FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
TSM7NC60CF

TSM7NC60CF

600V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER

Taiwan Semiconductor Corporation

2,910 -
RFQ

-

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 2A, 10V 4.5V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±30V 1169 pF @ 50 V - 44.6W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220S
IRF3315STRL

IRF3315STRL

MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

Infineon Technologies

3,359 -
RFQ
IRF3315STRL

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 21A (Tc) 10V 82mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFB260NPBFAKMA1

IRFB260NPBFAKMA1

PLANAR 40<-<100V

Infineon Technologies

6,062 -
RFQ

-

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 56A (Tc) 10V 40mOhm @ 34A, 10V 4V @ 250µA 220 nC @ 10 V ±20V 4220 pF @ 25 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF630S

IRF630S

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

Vishay Siliconix

2,235 -
RFQ
IRF630S

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9A (Tc) 10V 400mOhm @ 5.4A, 10V 4V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±20V 800 pF @ 25 V - 3W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRFI9530N

IRFI9530N

MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220AB FP

Infineon Technologies

6,989 -
RFQ
IRFI9530N

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 7.7A (Ta) - 300mOhm @ 4.6A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V - 860 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
STW20N65M5

STW20N65M5

MOSFET N-CH 650V 18A TO247

STMicroelectronics

2,241 -
RFQ
STW20N65M5

데이터시트

MDmesh™ V TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 18A (Tc) 10V 190mOhm @ 9A, 10V 5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±25V 1345 pF @ 100 V - 130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IRCZ44PBF

IRCZ44PBF

MOSFET N-CH 60V 50A TO220-5

Vishay Siliconix

4,241 -
RFQ
IRCZ44PBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-5 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 10V 28mOhm @ 31A, 10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V 2500 pF @ 25 V Current Sensing 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-5
TSM9N90ECI C0G

TSM9N90ECI C0G

MOSFET N-CH 900V 9A ITO220AB

Taiwan Semiconductor Corporation

4,479 -
RFQ

-

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 9A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 4.5A, 10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±30V 2470 pF @ 25 V - 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220AB
NVMFS5C404NWFT1G

NVMFS5C404NWFT1G

MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN

onsemi

7,672 -
RFQ
NVMFS5C404NWFT1G

데이터시트

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 53A (Ta), 378A (Tc) 10V 0.7mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 128 nC @ 10 V ±20V 8400 pF @ 25 V - 3.9W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
NVMFS5C404NWFT3G

NVMFS5C404NWFT3G

MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN

onsemi

6,925 -
RFQ
NVMFS5C404NWFT3G

데이터시트

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 53A (Ta), 378A (Tc) 10V 0.7mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 128 nC @ 10 V ±20V 8400 pF @ 25 V - 3.9W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
TSM15N50CI C0G

TSM15N50CI C0G

MOSFET N-CH 500V 14A ITO220AB

Taiwan Semiconductor Corporation

9,608 -
RFQ

-

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 14A (Tc) 10V 440mOhm @ 7A, 10V 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±30V 2263 pF @ 25 V - - 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220AB
TSM16ND50CI C0G

TSM16ND50CI C0G

MOSFET N-CH 500V 16A ITO220

Taiwan Semiconductor Corporation

9,268 -
RFQ

-

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 16A (Tc) 10V 350mOhm @ 4A, 10V 4.5V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±30V 2551 pF @ 50 V - 59.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220
IRF3717

IRF3717

MOSFET N-CH 20V 20A 8SO

Infineon Technologies

7,513 -
RFQ
IRF3717

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 20A (Ta) 4.5V, 10V 4.4mOhm @ 20A, 10V 2.45V @ 250µA 33 nC @ 4.5 V ±20V 2890 pF @ 10 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
PSMN2R1-40PLQ

PSMN2R1-40PLQ

MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

Nexperia USA Inc.

7,764 -
RFQ
PSMN2R1-40PLQ

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 150A (Tc) 10V 2.2mOhm @ 25A, 10V 2.1V @ 1mA 87.8 nC @ 5 V ±20V 9584 pF @ 25 V - 293W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
PSMN3R3-60PLQ

PSMN3R3-60PLQ

MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB

Nexperia USA Inc.

6,281 -
RFQ
PSMN3R3-60PLQ

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 130A (Tc) 4.5V, 10V 3.4mOhm @ 25A, 10V 2.1V @ 1mA 95 nC @ 5 V ±20V 10115 pF @ 25 V - 293W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF1503STRRPBF

IRF1503STRRPBF

MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

Infineon Technologies

6,115 -
RFQ
IRF1503STRRPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 75A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 140A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 5730 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
G75P04T

G75P04T

MOSFET, P-CH,-40V,-70A,RD(MAX)<7

Goford Semiconductor

3 -
RFQ
G75P04T

데이터시트

TrenchFET® TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 70A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 106 nC @ 10 V ±20V 6985 pF @ 20 V - 277W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
IPD06N03LA G

IPD06N03LA G

MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3

Infineon Technologies

9,733 -
RFQ
IPD06N03LA G

데이터시트

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 5.7mOhm @ 30A, 10V 2V @ 40µA 22 nC @ 5 V ±20V 2653 pF @ 15 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
2SK2504TL

2SK2504TL

MOSFET N-CH 100V 5A CPT3

Rohm Semiconductor

4,322 -
RFQ
2SK2504TL

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 5A (Ta) 4V, 10V 220mOhm @ 2.5A, 10V 2.5V @ 1mA - ±20V 520 pF @ 10 V - 20W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount CPT3
STS1HNK60

STS1HNK60

MOSFET N-CH 600V 300MA 8SO

STMicroelectronics

6,408 -
RFQ
STS1HNK60

데이터시트

SuperMESH™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 300mA (Tc) 10V 8.5Ohm @ 500mA, 10V 3.7V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±30V 156 pF @ 25 V - 2W (Tc) -65°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
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