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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    IRFBC30LPBF

    IRFBC30LPBF

    MOSFET N-CH 600V 3.6A TO262-3

    Vishay Siliconix

    		 5,846 -
    RFQ

    -

    		 - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.6A (Tc) 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V 4V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±20V 660 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262-3
    IRFBC30SPBF

    IRFBC30SPBF

    MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

    Vishay Siliconix

    		 9,560 -
    RFQ

    -

    		 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.6A (Tc) 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V 4V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±20V 660 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    FQA10N80

    FQA10N80

    MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P

    onsemi

    		 4,262 -
    RFQ
    		FQA10N80

    데이터시트

         		QFET® TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 9.8A (Tc) 10V 1.05Ohm @ 4.9A, 10V 5V @ 250µA 71 nC @ 10 V ±30V 2700 pF @ 25 V - 240W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
    IPP06CNE8N G

    IPP06CNE8N G

    MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 6,630 -
    RFQ
    		IPP06CNE8N G

    데이터시트

         		OptiMOS™ 2 TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 85 V 100A (Tc) 10V 6.5mOhm @ 100A, 10V 4V @ 180µA 138 nC @ 10 V ±20V 9240 pF @ 40 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    STP80NE03L-06

    STP80NE03L-06

    MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB

    STMicroelectronics

    		 2,364 -
    RFQ

    -

    		 - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 80A (Tc) 5V, 10V 6mOhm @ 40A, 10V 2.5V @ 250µA 130 nC @ 5 V ±22V 8700 pF @ 25 V - 150W (Tc) 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    STP13NK50Z

    STP13NK50Z

    MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB

    STMicroelectronics

    		 5,931 -
    RFQ
    		STP13NK50Z

    데이터시트

         		SuperMESH™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 11A (Tc) 10V 480mOhm @ 6.5A, 10V 4.5V @ 100µA 47 nC @ 10 V ±30V 1600 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IRF840LPBF

    IRF840LPBF

    MOSFET N-CH 500V 8A TO263AB

    Vishay Siliconix

    		 4,565 -
    RFQ
    		IRF840LPBF

    데이터시트

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRFL110

    IRFL110

    MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

    Vishay Siliconix

    		 3,030 -
    RFQ
    		IRFL110

    데이터시트

         		- TO-261-4, TO-261AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 1.5A (Tc) 10V 540mOhm @ 900mA, 10V 4V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V ±20V 180 pF @ 25 V - 2W (Ta), 3.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    IRFL110TR

    IRFL110TR

    MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

    Vishay Siliconix

    		 7,458 -
    RFQ
    		IRFL110TR

    데이터시트

         		- TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 1.5A (Tc) 10V 540mOhm @ 900mA, 10V 4V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V ±20V 180 pF @ 25 V - 2W (Ta), 3.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    IRF6611

    IRF6611

    MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    		 2,201 -
    RFQ
    		IRF6611

    데이터시트

         		HEXFET® DirectFET™ Isometric MX Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 32A (Ta), 150A (Tc) 4.5V, 10V 2.6mOhm @ 27A, 10V 2.25V @ 250µA 56 nC @ 4.5 V ±20V 4860 pF @ 15 V - 3.9W (Ta), 89W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MX
    SI7374DP-T1-E3

    SI7374DP-T1-E3

    MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    		 2,630 -
    RFQ
    		SI7374DP-T1-E3

    데이터시트

         		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 24A (Tc) 4.5V, 10V 5.5mOhm @ 23.8A, 10V 2.8V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±20V 5500 pF @ 15 V - 5W (Ta), 56W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SIE832DF-T1-E3

    SIE832DF-T1-E3

    MOSFET N-CH 40V 50A 10POLARPAK

    Vishay Siliconix

    		 4,546 -
    RFQ
    		SIE832DF-T1-E3

    데이터시트

         		TrenchFET® 10-PolarPAK® (S) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 5.5mOhm @ 14A, 10V 3V @ 250µA 77 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 20 V - 5.2W (Ta), 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 10-PolarPAK® (S)
    SI7374DP-T1-GE3

    SI7374DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    		 4,841 -
    RFQ
    		SI7374DP-T1-GE3

    데이터시트

         		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 24A (Tc) 4.5V, 10V 5.5mOhm @ 23.8A, 10V 2.8V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±20V 5500 pF @ 15 V - 5W (Ta), 56W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SI7476DP-T1-GE3

    SI7476DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    		 8,567 -
    RFQ

    -

    		 TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 15A (Ta) 4.5V, 10V 5.3mOhm @ 25A, 10V 3V @ 250µA 177 nC @ 10 V ±20V - - 1.9W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    PSMN3R5-80ES,127

    PSMN3R5-80ES,127

    MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK

    Nexperia USA Inc.

    		 2,313 -
    RFQ
    		PSMN3R5-80ES,127

    데이터시트

         		- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 120A (Tc) 10V 3.5mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 139 nC @ 10 V ±20V 9800 pF @ 30 V - 338W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
    PSMN5R0-100ES,127

    PSMN5R0-100ES,127

    MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

    Nexperia USA Inc.

    		 7,865 -
    RFQ
    		PSMN5R0-100ES,127

    데이터시트

         		- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 5mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 170 nC @ 10 V ±20V 9900 pF @ 50 V - 338W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
    PSMN4R3-100ES,127

    PSMN4R3-100ES,127

    MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

    Nexperia USA Inc.

    		 6,385 -
    RFQ
    		PSMN4R3-100ES,127

    데이터시트

         		- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 4.3mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 170 nC @ 10 V ±20V 9900 pF @ 50 V - 338W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
    IGLD65R140D2AUMA1

    IGLD65R140D2AUMA1

    GAN HV

    Infineon Technologies

    		 6,332 -
    RFQ

    -

    		 CoolGaN™ 8-LDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 12A (Tc) - - 1.6V @ 1mA 2.6 nC @ 3 V -10V 130 pF @ 400 V - 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-LSON-8-1
    SUP85N10-10P-GE3

    SUP85N10-10P-GE3

    MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB

    Vishay Siliconix

    		 2,507 -
    RFQ
    		SUP85N10-10P-GE3

    데이터시트

         		TrenchFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 85A (Tc) 10V 10mOhm @ 20A, 10V 4.5V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 4660 pF @ 50 V - 3.75W (Ta), 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    SPI70N10L

    SPI70N10L

    MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3

    Infineon Technologies

    		 7,537 -
    RFQ
    		SPI70N10L

    데이터시트

         		SIPMOS® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 70A (Tc) 4.5V, 10V 16mOhm @ 50A, 10V 2V @ 2mA 240 nC @ 10 V ±20V 4540 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3-1
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