FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRL3715Z

IRL3715Z

MOSFET N-CH 20V 50A TO220AB

Infineon Technologies

3,342 -
RFQ
IRL3715Z

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 11mOhm @ 15A, 10V 2.55V @ 250µA 11 nC @ 4.5 V ±20V 870 pF @ 10 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRL3402L

IRL3402L

MOSFET N-CH 20V 85A TO262-3

Vishay Siliconix

2,396 -
RFQ
IRL3402L

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 85A (Tc) 4.5V, 7V 8mOhm @ 51A, 7V 700mV @ 250µA (Min) 78 nC @ 4.5 V ±10V 3300 pF @ 15 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262-3
IPB70N10S312ATMA2

IPB70N10S312ATMA2

MOSFET_(75V 120V(

Infineon Technologies

7,957 -
RFQ
IPB70N10S312ATMA2

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 70A (Tc) 10V 11.6mOhm @ 70A, 10V 4V @ 83µA 66 nC @ 10 V ±20V 4355 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-3-2
IPP80N04S403AKSA1

IPP80N04S403AKSA1

MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1

Infineon Technologies

6,597 -
RFQ
IPP80N04S403AKSA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 10V 3.7mOhm @ 80A, 10V 4V @ 53µA 66 nC @ 10 V ±20V 5260 pF @ 25 V - 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
STL24N60M6

STL24N60M6

MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV

STMicroelectronics

7,116 -
RFQ
STL24N60M6

데이터시트

MDmesh™ M6 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Tc) 10V 209mOhm @ 8.5A, 10V 4.75V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±25V 960 pF @ 100 V - 109W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
IRF3709ZCSTRL

IRF3709ZCSTRL

MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK

Infineon Technologies

5,789 -
RFQ
IRF3709ZCSTRL

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 87A (Tc) 4.5V, 10V 6.3mOhm @ 21A, 10V 2.25V @ 250µA 26 nC @ 4.5 V ±20V 2130 pF @ 15 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF3709ZCSTRR

IRF3709ZCSTRR

MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK

Infineon Technologies

5,597 -
RFQ
IRF3709ZCSTRR

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 87A (Tc) 4.5V, 10V 6.3mOhm @ 21A, 10V 2.25V @ 250µA 26 nC @ 4.5 V ±20V 2130 pF @ 15 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
STF11NM50N

STF11NM50N

MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP

STMicroelectronics

8,621 -
RFQ
STF11NM50N

데이터시트

MDmesh™ II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8.5A (Tc) 10V 470mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±25V 547 pF @ 50 V - 25W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
STD95NH02LT4

STD95NH02LT4

MOSFET N-CH 24V 80A DPAK

STMicroelectronics

7 -
RFQ
STD95NH02LT4

데이터시트

STripFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 80A (Tc) 5V, 10V 5mOhm @ 40A, 10V 1V @ 250µA 17 nC @ 5 V ±20V 2070 pF @ 15 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IRF6623

IRF6623

MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET

Infineon Technologies

8,311 -
RFQ
IRF6623

데이터시트

HEXFET® DirectFET™ Isometric ST Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 16A (Ta), 55A (Tc) 4.5V, 10V 5.7mOhm @ 15A, 10V 2.2V @ 250µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1360 pF @ 10 V - 1.4W (Ta), 42W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ ST
SI4420DYTRPBF

SI4420DYTRPBF

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO

Infineon Technologies

5,694 -
RFQ
SI4420DYTRPBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12.5A (Ta) 4.5V, 10V 9mOhm @ 12.5A, 10V 1V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 2240 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
TPN14006NH,L1Q

TPN14006NH,L1Q

MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV

Toshiba Semiconductor and Storage

9,535 -
RFQ
TPN14006NH,L1Q

데이터시트

U-MOSVIII-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 13A (Ta) 6.5V, 10V 14mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 200µA 15 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 30 V - 700mW (Ta), 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
TP2522N8-G

TP2522N8-G

MOSFET P-CH 220V 260MA TO243AA

Microchip Technology

4,596 -
RFQ
TP2522N8-G

데이터시트

- TO-243AA Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 220 V 260mA (Tj) 4.5V, 10V 12Ohm @ 200mA, 10V 2.4V @ 1mA - ±20V 125 pF @ 25 V - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-243AA (SOT-89)
BSZ0803LSATMA1

BSZ0803LSATMA1

MOSFET N-CH 100V 9A/40A TSDSON

Infineon Technologies

8,375 -
RFQ
BSZ0803LSATMA1

데이터시트

OptiMOS™ 5 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9A (Ta), 40A (Tc) 4.5V, 10V 14.6mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 23µA 15 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 50 V - 2.1W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8 FL
STB141NF55

STB141NF55

MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

STMicroelectronics

2,088 -
RFQ
STB141NF55

데이터시트

STripFET™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 8mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 142 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRL510S

IRL510S

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

Vishay Siliconix

7,313 -
RFQ
IRL510S

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 5.6A (Tc) 4V, 5V 540mOhm @ 3.4A, 5V 2V @ 250µA 6.1 nC @ 5 V ±10V 250 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRFZ10

IRFZ10

MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB

Vishay Siliconix

4,304 -
RFQ
IRFZ10

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 10A (Tc) 10V 200mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 300 pF @ 25 V - 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFR4104TRR

IRFR4104TRR

MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

Infineon Technologies

5,581 -
RFQ
IRFR4104TRR

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 42A (Tc) 10V 5.5mOhm @ 42A, 10V 4V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±20V 2950 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
AOW290

AOW290

MOSFET N-CH 100V 17.5/140A TO262

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

4,993 -
RFQ
AOW290

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 17.5A (Ta), 140A (Tc) 10V 3.2mOhm @ 20A, 10V 4.1V @ 250µA 126 nC @ 10 V ±20V 7180 pF @ 50 V - 1.9W (Ta), 500W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
SPP16N50C3HKSA1

SPP16N50C3HKSA1

MOSFET N-CH 560V 16A TO220-3

Infineon Technologies

6,221 -
RFQ
SPP16N50C3HKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 560 V 16A (Tc) 10V 280mOhm @ 10A, 10V 3.9V @ 675µA 66 nC @ 10 V ±20V 1600 pF @ 25 V - 160W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
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