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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    SIA810DJ-T1-E3

    SIA810DJ-T1-E3

    MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

    Vishay Siliconix

    		 7,701 -
    RFQ
    		SIA810DJ-T1-E3

    데이터시트

         		LITTLE FOOT® PowerPAK® SC-70-6 Dual Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.5A (Tc) 1.8V, 4.5V 53mOhm @ 3.7A, 4.5V 1V @ 250µA 11.5 nC @ 8 V ±8V 400 pF @ 10 V Schottky Diode (Isolated) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
    IRF7478QTRPBF

    IRF7478QTRPBF

    MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC

    Infineon Technologies

    		 8,560 -
    RFQ
    		IRF7478QTRPBF

    데이터시트

         		- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 7A (Ta) - 26mOhm @ 4.2A, 10V 3V @ 250µA 31 nC @ 4.5 V - 1740 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount 8-SO
    BSZ042N04NSGATMA1

    BSZ042N04NSGATMA1

    MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

    Infineon Technologies

    		 9,697 -
    RFQ
    		BSZ042N04NSGATMA1

    데이터시트

         		OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 40A (Tc) 10V 4.2mOhm @ 20A, 10V 4V @ 36µA 46 nC @ 10 V ±20V 3700 pF @ 20 V - 2.1W (Ta), 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSDSON-8
    DKI06186

    DKI06186

    MOSFET N-CH 60V 31A TO252

    Sanken Electric USA Inc.

    		 4,805 -
    RFQ
    		DKI06186

    데이터시트

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 31A (Tc) 4.5V, 10V 15mOhm @ 15.5A, 10V 2.5V @ 350µA 23.7 nC @ 10 V ±20V 1510 pF @ 25 V - 37W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    BSP300H6327XUSA1

    BSP300H6327XUSA1

    MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4

    Infineon Technologies

    		 8,935 -
    RFQ
    		BSP300H6327XUSA1

    데이터시트

         		SIPMOS® TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 190mA (Ta) 10V 20Ohm @ 190mA, 10V 4V @ 1mA - ±20V 230 pF @ 25 V - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT223-4
    TSM088NA03CR RLG

    TSM088NA03CR RLG

    MOSFET N-CH 30V 61A 8PDFN

    Taiwan Semiconductor Corporation

    		 4,259 -
    RFQ

    -

    		 - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 61A (Tc) 4.5V, 10V 8.8mOhm @ 13A, 10V 2.5V @ 250µA 12.6 nC @ 10 V ±20V 750 pF @ 15 V - 56W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFN (5x6)
    2SK2095N

    2SK2095N

    MOSFET N-CH 60V 10A TO220FN

    Rohm Semiconductor

    		 8,492 -
    RFQ
    		2SK2095N

    데이터시트

         		- TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 10A (Ta) 4V, 10V 95mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA - ±20V 1600 pF @ 10 V - 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FN
    IRF7460TR

    IRF7460TR

    MOSFET N-CH 20V 12A 8SO

    Infineon Technologies

    		 3,683 -
    RFQ
    		IRF7460TR

    데이터시트

         		HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 12A (Ta) 4.5V, 10V 10mOhm @ 12A, 10V 3V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V ±20V 2050 pF @ 10 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    AOT2142L

    AOT2142L

    MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 6,940 -
    RFQ

    -

    		 - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 1.9mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 8320 pF @ 20 V - 312W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    TSM70NB1R4CP

    TSM70NB1R4CP

    700V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER

    Taiwan Semiconductor Corporation

    		 5,653 -
    RFQ

    -

    		 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 3A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 1.2A, 10V 4V @ 250µA 7.4 nC @ 10 V ±30V 317 pF @ 100 V - 28W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    IXTY1N80P-TRL

    IXTY1N80P-TRL

    MOSFET N-CH 800V 1A TO252

    Littelfuse Inc.

    		 5,443 -
    RFQ

    -

    		 Polar TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 1A (Tc) 10V 14Ohm @ 500mA, 10V 4V @ 50µA 9 nC @ 10 V ±30V 250 pF @ 25 V - 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    SI7302DN-T1-GE3

    SI7302DN-T1-GE3

    MOSFET N-CH 220V 8.4A PPAK1212-8

    Vishay Siliconix

    		 8,256 -
    RFQ

    -

    		 TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 220 V 8.4A (Tc) 4.5V, 10V 320mOhm @ 2.3A, 10V 4V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±20V 645 pF @ 15 V - 3.8W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
    IRFZ48NSTRR

    IRFZ48NSTRR

    MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 6,952 -
    RFQ
    		IRFZ48NSTRR

    데이터시트

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 64A (Tc) 10V 14mOhm @ 32A, 10V 4V @ 250µA 81 nC @ 10 V ±20V 1970 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IAUC120N06S5N011ATMA1

    IAUC120N06S5N011ATMA1

    MOSFET_)40V 60V)

    Infineon Technologies

    		 7,994 -
    RFQ
    		IAUC120N06S5N011ATMA1

    데이터시트

         		OptiMOS™ 5 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 310A (Tj) 7V, 10V 1.12mOhm @ 60A, 10V 3.4V @ 130µA 137 nC @ 10 V ±20V 9822 pF @ 30 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-53
    IQE036N08NM6CGSCATMA1

    IQE036N08NM6CGSCATMA1

    TRENCH 40<-<100V

    Infineon Technologies

    		 9,116 -
    RFQ

    -

    		 - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IQE036N08NM6SCATMA1

    IQE036N08NM6SCATMA1

    TRENCH 40<-<100V

    Infineon Technologies

    		 3,595 -
    RFQ

    -

    		 - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    MCB70N15Y-TP

    MCB70N15Y-TP

    MOSFET

    Micro Commercial Co

    		 4,629 -
    RFQ
    		MCB70N15Y-TP

    데이터시트

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 70A (Tc) 6V, 10V 17mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V 2517 pF @ 75 V - 180W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    94-4737

    94-4737

    MOSFET N-CH 30V 33A DPAK

    Infineon Technologies

    		 2,362 -
    RFQ
    		94-4737

    데이터시트

         		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 33A (Tc) 10V 31mOhm @ 18A, 10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V 750 pF @ 25 V - 57W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    AONS62602

    AONS62602

    N

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 3,921 -
    RFQ
    		AONS62602

    데이터시트

         		AlphaSGT™ 8-PowerSMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 41A (Ta), 85A (Tc) 4.5V, 10V 2.5mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 5630 pF @ 30 V - 7.3W (Ta), 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (5x6)
    G12P10TE

    G12P10TE

    P-100V,-12A,RD(MAX)<200M@-10V,VT

    Goford Semiconductor

    		 10 -
    RFQ
    		G12P10TE

    데이터시트

         		TrenchFET® TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 12A (Tc) 10V 200mOhm @ 6A, 10V 3V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 760 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
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