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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    BSZ0702LSATMA1

    BSZ0702LSATMA1

    MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON

    Infineon Technologies

    		 4,198 -
    RFQ
    		BSZ0702LSATMA1

    데이터시트

         		OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 17A (Ta), 40A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 36µA 22 nC @ 4.5 V ±20V 3100 pF @ 30 V - 2.1W (Ta), 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8 FL
    TSM5NC50CZ

    TSM5NC50CZ

    500V, 5A, SINGLE N-CHANNEL POWE

    Taiwan Semiconductor Corporation

    		 9,211 -
    RFQ

    -

    		 - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Tc) 10V 1.38Ohm @ 2.5A, 10V 4.5V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±30V 586 pF @ 50 V - 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    MCP70N15Y-BP

    MCP70N15Y-BP

    MOSFET

    Micro Commercial Co

    		 7,460 -
    RFQ
    		MCP70N15Y-BP

    데이터시트

         		- TO-220-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 70A (Tc) 6V, 10V 20mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 2508 pF @ 75 V - 150W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB (H)
    2SK3793-AZ

    2SK3793-AZ

    MOSFET N-CH 100V 12A TO220

    Renesas Electronics Corporation

    		 7,665 -
    RFQ
    		2SK3793-AZ

    데이터시트

         		- TO-220-3 Isolated Tab Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 12A (Tc) 4.5V, 10V 125mOhm @ 6A, 10V - 21 nC @ 10 V ±20V 900 pF @ 10 V - 2W (Ta), 20W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Isolated Tab
    IQE057N10NM6CGATMA1

    IQE057N10NM6CGATMA1

    TRENCH >=100V

    Infineon Technologies

    		 5,949 -
    RFQ
    		IQE057N10NM6CGATMA1

    데이터시트

         		- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IXFY5N50P3

    IXFY5N50P3

    MOSFET N-CH 500V 5A TO252

    IXYS

    		 4,750 -
    RFQ
    		IXFY5N50P3

    데이터시트

         		HiPerFET™, Polar3™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Tc) 10V 1.65Ohm @ 2.5A, 10V 5V @ 1mA 6.9 nC @ 10 V ±30V 370 pF @ 25 V - 114W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    AUIRFR4104TRL

    AUIRFR4104TRL

    MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

    Infineon Technologies

    		 3,905 -
    RFQ
    		AUIRFR4104TRL

    데이터시트

         		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 42A (Tc) - 5.5mOhm @ 42A, 10V 4V @ 250µA 89 nC @ 10 V - 2950 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    AUIRLR2905ZTRL

    AUIRLR2905ZTRL

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

    Infineon Technologies

    		 3,273 -
    RFQ
    		AUIRLR2905ZTRL

    데이터시트

         		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 42A (Tc) - 13.5mOhm @ 36A, 10V 3V @ 250µA 35 nC @ 5 V - 1570 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IPP100P03P3L-04

    IPP100P03P3L-04

    MOSFET P-CH 30V 100A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 2,649 -
    RFQ
    		IPP100P03P3L-04

    데이터시트

         		OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 4.3mOhm @ 80A, 10V 2.1V @ 475µA 200 nC @ 10 V +5V, -16V 9300 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    IRF510L

    IRF510L

    MOSFET N-CH 100V 5.6A TO262-3

    Vishay Siliconix

    		 9,429 -
    RFQ

    -

    		 - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 5.6A (Tc) - 540mOhm @ 3.4A, 10V 4V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V - 180 pF @ 25 V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262-3
    PSMN2R0-30PL,127

    PSMN2R0-30PL,127

    MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB

    Nexperia USA Inc.

    		 5,200 -
    RFQ
    		PSMN2R0-30PL,127

    데이터시트

         		- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 2.1mOhm @ 15A, 10V 2.15V @ 1mA 117 nC @ 10 V ±20V 6810 pF @ 12 V - 211W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRF6608TR1

    IRF6608TR1

    MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    		 3,712 -
    RFQ
    		IRF6608TR1

    데이터시트

         		HEXFET® DirectFET™ Isometric ST Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta), 55A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 13A, 10V 3V @ 250µA 24 nC @ 4.5 V ±12V 2120 pF @ 15 V - 2.1W (Ta), 42W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ ST
    IRF6604TR1

    IRF6604TR1

    MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    		 8,960 -
    RFQ
    		IRF6604TR1

    데이터시트

         		HEXFET® DirectFET™ Isometric MQ Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12A (Ta), 49A (Tc) 4.5V, 7V 11.5mOhm @ 12A, 7V 2.1V @ 250µA 26 nC @ 4.5 V ±12V 2270 pF @ 15 V - 2.3W (Ta), 42W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MQ
    STF60N55F3

    STF60N55F3

    MOSFET N-CH 55V 42A TO220FP

    STMicroelectronics

    		 7,664 -
    RFQ
    		STF60N55F3

    데이터시트

         		STripFET™ III TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 42A (Tc) 10V 8.5mOhm @ 32A, 10V 4V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±20V 2200 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IRFR120Z

    IRFR120Z

    MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK

    Infineon Technologies

    		 9,443 -
    RFQ
    		IRFR120Z

    데이터시트

         		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 8.7A (Tc) 10V 190mOhm @ 5.2A, 10V 4V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V 310 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    STF18N65M5

    STF18N65M5

    MOSFET N-CH 650V 15A TO220FP

    STMicroelectronics

    		 6,220 -
    RFQ
    		STF18N65M5

    데이터시트

         		MDmesh™ V TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Tc) 10V 220mOhm @ 7.5A, 10V 5V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±25V 1240 pF @ 100 V - 25W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IRFB9N30A

    IRFB9N30A

    MOSFET N-CH 300V 9.3A TO220AB

    Vishay Siliconix

    		 8,773 -
    RFQ
    		IRFB9N30A

    데이터시트

         		- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 9.3A (Tc) 10V 450mOhm @ 5.6A, 10V 4V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±30V 920 pF @ 25 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    SI7390DP-T1-GE3

    SI7390DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    		 7,206 -
    RFQ
    		SI7390DP-T1-GE3

    데이터시트

         		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9A (Ta) 4.5V, 10V 9.5mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±20V - - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    TSM60NB380CF C0G

    TSM60NB380CF C0G

    MOSFET N-CH 600V 11A ITO220S

    Taiwan Semiconductor Corporation

    		 7,713 -
    RFQ

    -

    		 - TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 380mOhm @ 2.7A, 10V 4V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±30V 810 pF @ 100 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220S
    AOTF2146L

    AOTF2146L

    N

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 6,947 -
    RFQ
    		AOTF2146L

    데이터시트

         		AlphaSGT™ TO-220-3 Full Pack Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 42A (Ta), 80A (Tc) 4.5V, 10V 2.8mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 3830 pF @ 20 V - 8.3W (Ta), 29.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
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