FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRF3709S

IRF3709S

MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK

Infineon Technologies

8,340 -
RFQ
IRF3709S

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 41 nC @ 5 V ±20V 2672 pF @ 16 V - 3.1W (Ta), 120W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
AON6162

AON6162

MOSFET N-CHANNEL 60V 100A 8DFN

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

8,224 -
RFQ
AON6162

데이터시트

AlphaSGT™ 8-PowerSMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 100A (Tc) 6V, 10V 2.1mOhm @ 20A, 10V 3.2V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 4850 pF @ 30 V - 215W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (5x6)
IRL2203NSTRRPBF

IRL2203NSTRRPBF

MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK

Infineon Technologies

6,098 -
RFQ
IRL2203NSTRRPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 116A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 60A, 10V 3V @ 250µA 60 nC @ 4.5 V ±16V 3290 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFR3910CPBF

IRFR3910CPBF

MOSFET N-CH 100V 16A DPAK

Infineon Technologies

3,819 -
RFQ
IRFR3910CPBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 16A (Tc) 10V 115mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 640 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRLZ14L

IRLZ14L

MOSFET N-CH 60V 10A TO262-3

Vishay Siliconix

6,801 -
RFQ
IRLZ14L

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 10A (Tc) 4V, 5V 200mOhm @ 6A, 5V 2V @ 250µA 8.4 nC @ 5 V ±10V 400 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262-3
STP4NB100

STP4NB100

MOSFET N-CH 1000V 3.8A TO220AB

STMicroelectronics

4,548 -
RFQ
STP4NB100

데이터시트

PowerMESH™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 3.8A (Tc) 10V 4.4Ohm @ 2A, 10V 5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±30V 1400 pF @ 25 V - 125W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
IRF6665TR1

IRF6665TR1

MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET

Infineon Technologies

8,337 -
RFQ
IRF6665TR1

데이터시트

- DirectFET™ Isometric SH Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 10V 62mOhm @ 5A, 10V 5V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V 530 pF @ 25 V - 2.2W (Ta), 42W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ SH
SIHB6N80E-GE3

SIHB6N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 5.4A D2PAK

Vishay Siliconix

2,041 -
RFQ
SIHB6N80E-GE3

데이터시트

E TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 5.4A (Tc) 10V 940mOhm @ 3A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±30V 827 pF @ 100 V - 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IPB80P03P4L07ATMA1

IPB80P03P4L07ATMA1

MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3

Infineon Technologies

7,196 -
RFQ
IPB80P03P4L07ATMA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 6.9mOhm @ 80A, 10V 2V @ 130µA 80 nC @ 10 V +5V, -16V 5700 pF @ 25 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
IRFD210

IRFD210

MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP

Vishay Siliconix

3,859 -
RFQ
IRFD210

데이터시트

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 600mA (Ta) 10V 1.5Ohm @ 360mA, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±20V 140 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 4-HVMDIP
IRFR110

IRFR110

MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

Vishay Siliconix

3,706 -
RFQ
IRFR110

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.3A (Tc) 10V 540mOhm @ 2.6A, 10V 4V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V ±20V 180 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IRFR210TR

IRFR210TR

MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK

Vishay Siliconix

4,953 -
RFQ
IRFR210TR

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 2.6A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1.6A, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±20V 140 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IRFD010

IRFD010

MOSFET N-CH 50V 1.7A 4DIP

Vishay Siliconix

3,649 -
RFQ
IRFD010

데이터시트

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 1.7A (Tc) 10V 200mOhm @ 860mA, 10V 4V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V 250 pF @ 25 V - 1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 4-HVMDIP
IRFD014

IRFD014

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP

Vishay Siliconix

9,386 -
RFQ
IRFD014

데이터시트

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 1.7A (Ta) 10V 200mOhm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 310 pF @ 25 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole 4-HVMDIP
IRFD9014

IRFD9014

MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP

Vishay Siliconix

9,981 -
RFQ
IRFD9014

데이터시트

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 1.1A (Ta) 10V 500mOhm @ 660mA, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 25 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole 4-HVMDIP
IRFR110TR

IRFR110TR

MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

Vishay Siliconix

3,750 -
RFQ
IRFR110TR

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.3A (Tc) 10V 540mOhm @ 2.6A, 10V 4V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V ±20V 180 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IRFR210

IRFR210

MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK

Vishay Siliconix

2,808 -
RFQ
IRFR210

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 2.6A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1.6A, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±20V 140 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IRFU014

IRFU014

MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA

Vishay Siliconix

8,791 -
RFQ
IRFU014

데이터시트

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 7.7A (Tc) 10V 200mOhm @ 4.6A, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 300 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
IRFU210

IRFU210

MOSFET N-CH 200V 2.6A TO251AA

Vishay Siliconix

9,531 -
RFQ
IRFU210

데이터시트

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 2.6A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1.6A, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±20V 140 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
IRFU110

IRFU110

MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA

Vishay Siliconix

3,284 -
RFQ
IRFU110

데이터시트

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.3A (Tc) 10V 540mOhm @ 900mA, 10V 4V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V ±20V 180 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
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