단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
VS-1N2128A

VS-1N2128A

DIODE GEN PURP 50V 60A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

102 -
RFQ
VS-1N2128A

데이터시트

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 50 V 60A 1.3 V @ 188 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 200°C
63SPB100A

63SPB100A

DIODE SCHOTTKY 100V 60A SPD-2A

SMC Diode Solutions

4,833 -
RFQ
63SPB100A

데이터시트

- SPD-2A Bulk Active Schottky 100 V 60A 870 mV @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 100 V 1500pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount SPD-2A -55°C ~ 175°C
STPSC20H12WL

STPSC20H12WL

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A DO247

STMicroelectronics

142 -
RFQ
STPSC20H12WL

데이터시트

ECOPACK®2 DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 1200 V 1650pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-247 -40°C ~ 175°C
DH60-16A

DH60-16A

DIODE GEN PURP 1.6KV 60A TO247AD

IXYS

892 -
RFQ
DH60-16A

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 1600 V 60A 2.04 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 230 ns 200 µA @ 1400 V 32pF @ 1200V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 150°C
VS-HFA30PB120-N3

VS-HFA30PB120-N3

DIODE GP 1.2KV 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

154 -
RFQ
VS-HFA30PB120-N3

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 30A 4.1 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 170 ns 40 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AC Modified -55°C ~ 150°C
IDWD20G120C5XKSA1

IDWD20G120C5XKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 62A TO247-2

Infineon Technologies

240 -
RFQ
IDWD20G120C5XKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 62A 1.65 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 166 µA @ 1200 V 1368pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-2 -55°C ~ 175°C
C4D08120E

C4D08120E

DIODE SIL CARB 1.2KV 24.5A TO252

Wolfspeed, Inc.

863 -
RFQ
C4D08120E

데이터시트

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 24.5A 3 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 560pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
GD15MPS17H

GD15MPS17H

DIODE SIL CARB 1.7KV 36A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

1,214 -
RFQ
GD15MPS17H

데이터시트

SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 36A 1.8 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1700 V 1082pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
IDW30G65C5XKSA1

IDW30G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3

Infineon Technologies

931 -
RFQ
IDW30G65C5XKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 220 µA @ 650 V 860pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3 -55°C ~ 175°C
STPSC20H12G2Y-TR

STPSC20H12G2Y-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A D2PAK

STMicroelectronics

2,769 -
RFQ
STPSC20H12G2Y-TR

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 120 µA @ 1200 V 1650pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK HV -40°C ~ 175°C
JANTXV1N5809US

JANTXV1N5809US

DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

166 -
RFQ
JANTXV1N5809US

데이터시트

- SQ-MELF, B Bulk Active Standard 100 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V 60pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
JANTXV1N5811US

JANTXV1N5811US

DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

148 -
RFQ
JANTXV1N5811US

데이터시트

- SQ-MELF, B Bulk Active Standard 150 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 150 V 60pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
DSDI60-16A

DSDI60-16A

DIODE GEN PURP 1.6KV 63A TO247AD

IXYS

328 -
RFQ
DSDI60-16A

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 1600 V 63A 4.1 V @ 70 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 2 mA @ 1600 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
UJ3D06560KSD

UJ3D06560KSD

DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3

Qorvo

6,369 -
RFQ
UJ3D06560KSD

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 740 µA @ 650 V 1980pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
VS-70HFL100S05

VS-70HFL100S05

DIODE GEN PURP 1KV 70A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

244 -
RFQ
VS-70HFL100S05

데이터시트

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1000 V 70A 1.85 V @ 219.8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 100 µA @ 1000 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -40°C ~ 125°C
VS-85HFR60

VS-85HFR60

DIODE GEN PURP 600V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

120 -
RFQ
VS-85HFR60

데이터시트

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 9 mA @ 600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
JANS1N6642

JANS1N6642

DIODE GEN PURP 75V 300MA DO204AH

Microchip Technology

434 -
RFQ
JANS1N6642

데이터시트

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 75 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5 ns 500 nA @ 75 V 5pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/578 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
E4D10120A

E4D10120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

386 -
RFQ
E4D10120A

데이터시트

E-Series TO-220-2 Tube Last Time Buy SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 33A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 200 µA @ 1200 V 777pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
GD50MPS12H

GD50MPS12H

DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

124 -
RFQ
GD50MPS12H

데이터시트

SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 92A 1.8 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 15 µA @ 1200 V 1835pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
C4D20120H

C4D20120H

DIODE SIL CARB 1.2KV 54A TO247-2

Wolfspeed, Inc.

410 -
RFQ
C4D20120H

데이터시트

Z-Rec® TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 54A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1500pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
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