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0755-82798135단일 다이오드
단일 다이오드
TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.
당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.
다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.
| 사진 | 제조사 부품 번호 | 재고 상태 | 가격 | 수량 | 데이터시트 | 시리즈 | 패키지/케이스 | 패키징 | 제품 상태 | 기술 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전류 - 평균 정류(Io) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 속도 | 역방향 복구 시간(trr) | 전류 - 역방향 누설 @ Vr | 커패시턴스 @ Vr, F | 등급 | 자격 | 장착 유형 | 공급자 장치 패키지 | 작동 온도 - 접합 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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VS-1N2128ADIODE GEN PURP 50V 60A DO203AB |
102 | - |
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데이터시트 |
- | DO-203AB, DO-5, Stud | Bulk | Active | Standard | 50 V | 60A | 1.3 V @ 188 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 10 mA @ 50 V | - | - | - | Chassis, Stud Mount | DO-203AB (DO-5) | -65°C ~ 200°C |
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63SPB100ADIODE SCHOTTKY 100V 60A SPD-2A |
4,833 | - |
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데이터시트 |
- | SPD-2A | Bulk | Active | Schottky | 100 V | 60A | 870 mV @ 60 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | 1 mA @ 100 V | 1500pF @ 5V, 1MHz | - | - | Surface Mount | SPD-2A | -55°C ~ 175°C |
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STPSC20H12WLDIODE SIL CARB 1.2KV 20A DO247 |
142 | - |
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데이터시트 |
ECOPACK®2 | DO-247-2 (Straight Leads) | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 20A | 1.5 V @ 20 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 120 µA @ 1200 V | 1650pF @ 0V, 1MHz | - | - | Through Hole | DO-247 | -40°C ~ 175°C |
|
DH60-16ADIODE GEN PURP 1.6KV 60A TO247AD |
892 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 1600 V | 60A | 2.04 V @ 60 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 230 ns | 200 µA @ 1400 V | 32pF @ 1200V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-247AD | -55°C ~ 150°C |
|
VS-HFA30PB120-N3DIODE GP 1.2KV 30A TO247AC |
154 | - |
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데이터시트 |
- | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 1200 V | 30A | 4.1 V @ 30 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 170 ns | 40 µA @ 1200 V | - | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247AC Modified | -55°C ~ 150°C |
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IDWD20G120C5XKSA1DIODE SIL CARB 1.2KV 62A TO247-2 |
240 | - |
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데이터시트 |
CoolSiC™+ | TO-247-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 62A | 1.65 V @ 20 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 166 µA @ 1200 V | 1368pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | PG-TO247-2 | -55°C ~ 175°C |
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C4D08120EDIODE SIL CARB 1.2KV 24.5A TO252 |
863 | - |
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데이터시트 |
Z-Rec® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 24.5A | 3 V @ 2 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 250 µA @ 1200 V | 560pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-252-2 | -55°C ~ 175°C |
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GD15MPS17HDIODE SIL CARB 1.7KV 36A TO247-2 |
1,214 | - |
|
데이터시트 |
SiC Schottky MPS™ | TO-247-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1700 V | 36A | 1.8 V @ 15 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 20 µA @ 1700 V | 1082pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-247-2 | -55°C ~ 175°C |
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IDW30G65C5XKSA1DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3 |
931 | - |
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데이터시트 |
CoolSiC™+ | TO-247-3 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 30A | 1.7 V @ 30 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 220 µA @ 650 V | 860pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | PG-TO247-3 | -55°C ~ 175°C |
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STPSC20H12G2Y-TRDIODE SIL CARB 1.2KV 20A D2PAK |
2,769 | - |
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데이터시트 |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 20A | 1.5 V @ 20 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | - | 120 µA @ 1200 V | 1650pF @ 0V, 1MHz | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | D2PAK HV | -40°C ~ 175°C |
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JANTXV1N5809USDIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF |
166 | - |
|
데이터시트 |
- | SQ-MELF, B | Bulk | Active | Standard | 100 V | 3A | 875 mV @ 4 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 30 ns | 5 µA @ 100 V | 60pF @ 10V, 1MHz | Military | MIL-PRF-19500/477 | Surface Mount | B, SQ-MELF | -65°C ~ 175°C |
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JANTXV1N5811USDIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF |
148 | - |
|
데이터시트 |
- | SQ-MELF, B | Bulk | Active | Standard | 150 V | 3A | 875 mV @ 4 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 30 ns | 5 µA @ 150 V | 60pF @ 10V, 1MHz | Military | MIL-PRF-19500/477 | Surface Mount | B, SQ-MELF | -65°C ~ 175°C |
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DSDI60-16ADIODE GEN PURP 1.6KV 63A TO247AD |
328 | - |
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데이터시트 |
- | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 1600 V | 63A | 4.1 V @ 70 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 300 ns | 2 mA @ 1600 V | - | - | - | Through Hole | TO-247AD | -40°C ~ 150°C |
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UJ3D06560KSDDIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3 |
6,369 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-247-3 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 30A | 1.7 V @ 30 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 740 µA @ 650 V | 1980pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-247-3 | -55°C ~ 175°C |
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VS-70HFL100S05DIODE GEN PURP 1KV 70A DO203AB |
244 | - |
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데이터시트 |
- | DO-203AB, DO-5, Stud | Bulk | Active | Standard | 1000 V | 70A | 1.85 V @ 219.8 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500 ns | 100 µA @ 1000 V | - | - | - | Chassis, Stud Mount | DO-203AB (DO-5) | -40°C ~ 125°C |
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VS-85HFR60DIODE GEN PURP 600V 85A DO203AB |
120 | - |
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데이터시트 |
- | DO-203AB, DO-5, Stud | Bulk | Active | Standard, Reverse Polarity | 600 V | 85A | 1.2 V @ 267 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 9 mA @ 600 V | - | - | - | Chassis, Stud Mount | DO-203AB (DO-5) | -65°C ~ 180°C |
|
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JANS1N6642DIODE GEN PURP 75V 300MA DO204AH |
434 | - |
|
데이터시트 |
- | DO-204AH, DO-35, Axial | Bulk | Active | Standard | 75 V | 300mA | 1.2 V @ 100 mA | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5 ns | 500 nA @ 75 V | 5pF @ 0V, 1MHz | Military | MIL-PRF-19500/578 | Through Hole | DO-204AH (DO-35) | -65°C ~ 175°C |
|
E4D10120ADIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO220-2 |
386 | - |
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데이터시트 |
E-Series | TO-220-2 | Tube | Last Time Buy | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 33A | 1.8 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | - | 200 µA @ 1200 V | 777pF @ 0V, 1MHz | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-220-2 | -55°C ~ 175°C |
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GD50MPS12HDIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2 |
124 | - |
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데이터시트 |
SiC Schottky MPS™ | TO-247-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 92A | 1.8 V @ 50 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 15 µA @ 1200 V | 1835pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-247-2 | -55°C ~ 175°C |
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C4D20120HDIODE SIL CARB 1.2KV 54A TO247-2 |
410 | - |
|
데이터시트 |
Z-Rec® | TO-247-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 54A | 1.8 V @ 20 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 200 µA @ 1200 V | 1500pF @ 0V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-247-2 | -55°C ~ 175°C |
