단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
DSEI30-10A

DSEI30-10A

DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247AD

IXYS

445 -
RFQ
DSEI30-10A

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 1000 V 30A 2.4 V @ 36 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 750 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
C3D08065E

C3D08065E

DIODE SIL CARB 650V 25.5A TO252

Wolfspeed, Inc.

2,740 -
RFQ
C3D08065E

데이터시트

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 25.5A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 395pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
IDK10G65C5XTMA2

IDK10G65C5XTMA2

DIODE SIL CARB 650V 10A TO263-2

Infineon Technologies

1,857 -
RFQ
IDK10G65C5XTMA2

데이터시트

CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - 300pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2 -55°C ~ 175°C
STPSC10H12GY-TR

STPSC10H12GY-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK

STMicroelectronics

1,893 -
RFQ
STPSC10H12GY-TR

데이터시트

ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 725pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
IDL10G65C5XUMA2

IDL10G65C5XUMA2

DIODE SIL CARB 650V 10A VSON-4

Infineon Technologies

151 -
RFQ
IDL10G65C5XUMA2

데이터시트

CoolSiC™+ 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 180 µA @ 650 V 300pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-VSON-4 -55°C ~ 150°C
VS-65EPS12LHM3

VS-65EPS12LHM3

DIODE GEN PURP 1.2KV 65A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,025 -
RFQ
VS-65EPS12LHM3

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 65A 1.12 V @ 65 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
STPSC10H12B2-TR

STPSC10H12B2-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A DPAK HV

STMicroelectronics

4,653 -
RFQ
STPSC10H12B2-TR

데이터시트

ECOPACK®2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 725pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK HV -40°C ~ 175°C
IDH10G65C5XKSA2

IDH10G65C5XKSA2

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-1

Infineon Technologies

1,046 -
RFQ
IDH10G65C5XKSA2

데이터시트

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 180 µA @ 650 V 300pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
STTH6010W

STTH6010W

DIODE GEN PURP 1KV 60A DO247

STMicroelectronics

787 -
RFQ
STTH6010W

데이터시트

- DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 1000 V 60A 2 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 115 ns 20 µA @ 1000 V - - - Through Hole DO-247 175°C (Max)
STPSC12065G2-TR

STPSC12065G2-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK

STMicroelectronics

1,155 -
RFQ
STPSC12065G2-TR

데이터시트

ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.45 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 650 V 750pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
DSEI30-06A

DSEI30-06A

DIODE GEN PURP 600V 37A TO247AD

IXYS

821 -
RFQ
DSEI30-06A

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 37A 1.6 V @ 37 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
JANTX1N5806

JANTX1N5806

DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL

Microchip Technology

149 -
RFQ
JANTX1N5806

데이터시트

- A, Axial Bulk Active Standard 150 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 150 V 25pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
GD30MPS06A

GD30MPS06A

DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2

GeneSiC Semiconductor

1,744 -
RFQ
GD30MPS06A

데이터시트

SiC Schottky MPS™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-220-2 175°C
DNA30EM2200PZ-TRL

DNA30EM2200PZ-TRL

DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263AA

IXYS

1,151 -
RFQ
DNA30EM2200PZ-TRL

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 2200 V 30A 1.26 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 2200 V 7pF @ 700V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AA -55°C ~ 150°C
STPSC10H12G-TR

STPSC10H12G-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK

STMicroelectronics

1,955 -
RFQ
STPSC10H12G-TR

데이터시트

ECOPACK® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 725pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
1N5804

1N5804

DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Microchip Technology

299 -
RFQ
1N5804

데이터시트

- A, Axial Bulk Active Standard 100 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 100 V 25pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
C3D10065E

C3D10065E

DIODE SIL CARB 650V 32A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

7,911 -
RFQ
C3D10065E

데이터시트

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 32A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 460.5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
C6D10065Q-TR

C6D10065Q-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN

Wolfspeed, Inc.

1,573 -
RFQ
C6D10065Q-TR

데이터시트

- 4-PowerVQFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 39A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 50 µA @ 650 V 611pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount 4-QFN (8x8) -55°C ~ 175°C
C6D10065E

C6D10065E

DIODE SIL CARB 650V 35A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

3,633 -
RFQ
C6D10065E

데이터시트

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 35A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 611pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
APT60S20SG

APT60S20SG

DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3

Microchip Technology

187 -
RFQ
APT60S20SG

데이터시트

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active Schottky 200 V 75A 900 mV @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 1 mA @ 200 V - - - Surface Mount D3PAK -55°C ~ 150°C
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