24시간 이용 가능:
0755-82798135단일 다이오드
단일 다이오드
TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.
당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.
다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.
| 사진 | 제조사 부품 번호 | 재고 상태 | 가격 | 수량 | 데이터시트 | 시리즈 | 패키지/케이스 | 패키징 | 제품 상태 | 기술 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전류 - 평균 정류(Io) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 속도 | 역방향 복구 시간(trr) | 전류 - 역방향 누설 @ Vr | 커패시턴스 @ Vr, F | 등급 | 자격 | 장착 유형 | 공급자 장치 패키지 | 작동 온도 - 접합 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DSEI30-10ADIODE GEN PURP 1KV 30A TO247AD |
445 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 1000 V | 30A | 2.4 V @ 36 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 50 ns | 750 µA @ 1000 V | - | - | - | Through Hole | TO-247AD | -40°C ~ 150°C |
|
C3D08065EDIODE SIL CARB 650V 25.5A TO252 |
2,740 | - |
|
데이터시트 |
Z-Rec® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 25.5A | 1.8 V @ 8 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 395pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-252-2 | -55°C ~ 175°C |
|
IDK10G65C5XTMA2DIODE SIL CARB 650V 10A TO263-2 |
1,857 | - |
|
데이터시트 |
CoolSiC™+ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 10A | 1.8 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | - | 300pF @ 1V, 1MHz | - | - | Surface Mount | PG-TO263-2 | -55°C ~ 175°C |
|
STPSC10H12GY-TRDIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK |
1,893 | - |
|
데이터시트 |
ECOPACK®2 | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 10A | 1.5 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 60 µA @ 1200 V | 725pF @ 0V, 1MHz | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | D2PAK | -40°C ~ 175°C |
|
IDL10G65C5XUMA2DIODE SIL CARB 650V 10A VSON-4 |
151 | - |
|
데이터시트 |
CoolSiC™+ | 4-PowerTSFN | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 10A | 1.7 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 180 µA @ 650 V | 300pF @ 1V, 1MHz | - | - | Surface Mount | PG-VSON-4 | -55°C ~ 150°C |
|
VS-65EPS12LHM3DIODE GEN PURP 1.2KV 65A TO247AD |
1,025 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 1200 V | 65A | 1.12 V @ 65 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 100 µA @ 1200 V | - | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247AD | -40°C ~ 150°C |
|
STPSC10H12B2-TRDIODE SIL CARB 1.2KV 10A DPAK HV |
4,653 | - |
|
데이터시트 |
ECOPACK®2 | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 10A | 1.5 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 60 µA @ 1200 V | 725pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | DPAK HV | -40°C ~ 175°C |
|
IDH10G65C5XKSA2DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-1 |
1,046 | - |
|
데이터시트 |
CoolSiC™+ | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 10A | 1.7 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 180 µA @ 650 V | 300pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | PG-TO220-2-1 | -55°C ~ 175°C |
|
STTH6010WDIODE GEN PURP 1KV 60A DO247 |
787 | - |
|
데이터시트 |
- | DO-247-2 (Straight Leads) | Tube | Active | Standard | 1000 V | 60A | 2 V @ 60 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 115 ns | 20 µA @ 1000 V | - | - | - | Through Hole | DO-247 | 175°C (Max) |
|
STPSC12065G2-TRDIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK |
1,155 | - |
|
데이터시트 |
ECOPACK®2 | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 12A | 1.45 V @ 12 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 150 µA @ 650 V | 750pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | D2PAK | -40°C ~ 175°C |
|
DSEI30-06ADIODE GEN PURP 600V 37A TO247AD |
821 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 600 V | 37A | 1.6 V @ 37 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 50 ns | 100 µA @ 600 V | - | - | - | Through Hole | TO-247AD | -40°C ~ 150°C |
|
|
JANTX1N5806DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL |
149 | - |
|
데이터시트 |
- | A, Axial | Bulk | Active | Standard | 150 V | 1A | 875 mV @ 1 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25 ns | 1 µA @ 150 V | 25pF @ 10V, 1MHz | Military | MIL-PRF-19500/477 | Through Hole | A, Axial | -65°C ~ 175°C |
|
GD30MPS06ADIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2 |
1,744 | - |
|
데이터시트 |
SiC Schottky MPS™ | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 30A | - | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | - | - | - | - | Through Hole | TO-220-2 | 175°C |
|
DNA30EM2200PZ-TRLDIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263AA |
1,151 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | Standard | 2200 V | 30A | 1.26 V @ 30 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 40 µA @ 2200 V | 7pF @ 700V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-263AA | -55°C ~ 150°C |
|
STPSC10H12G-TRDIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK |
1,955 | - |
|
데이터시트 |
ECOPACK® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 10A | 1.5 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 60 µA @ 1200 V | 725pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | D2PAK | -40°C ~ 175°C |
|
1N5804DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL |
299 | - |
|
데이터시트 |
- | A, Axial | Bulk | Active | Standard | 100 V | 1A | 875 mV @ 1 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25 ns | 1 µA @ 100 V | 25pF @ 10V, 1MHz | - | - | Through Hole | A, Axial | -65°C ~ 175°C |
|
C3D10065EDIODE SIL CARB 650V 32A TO252-2 |
7,911 | - |
|
데이터시트 |
Z-Rec® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 32A | 1.8 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 460.5pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-252-2 | -55°C ~ 175°C |
|
C6D10065Q-TRDIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN |
1,573 | - |
|
데이터시트 |
- | 4-PowerVQFN | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 39A | 1.5 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | - | 50 µA @ 650 V | 611pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | 4-QFN (8x8) | -55°C ~ 175°C |
|
C6D10065EDIODE SIL CARB 650V 35A TO252-2 |
3,633 | - |
|
데이터시트 |
Z-Rec® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 35A | 1.5 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 611pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-252-2 | -55°C ~ 175°C |
|
|
APT60S20SGDIODE SCHOTTKY 200V 75A D3 |
187 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | Schottky | 200 V | 75A | 900 mV @ 60 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 55 ns | 1 mA @ 200 V | - | - | - | Surface Mount | D3PAK | -55°C ~ 150°C |
