단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

모두 초기화
모두 적용
결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
DSEI60-12A

DSEI60-12A

DIODE GEN PURP 1.2KV 52A TO247AD

IXYS

561 -
RFQ
DSEI60-12A

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 52A 2.55 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 2.2 mA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
PCDD08120G1_L2_00001

PCDD08120G1_L2_00001

1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

2,137 -
RFQ
PCDD08120G1_L2_00001

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 8A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 418pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252AA -55°C ~ 175°C
JANTX1N5712-1

JANTX1N5712-1

DIODE SCHOTTKY 20V 750MA DO35

Microchip Technology

154 -
RFQ
JANTX1N5712-1

데이터시트

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Schottky 20 V 750mA 1 V @ 35 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 150 nA @ 16 V 2pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/444 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
C3D16065D1

C3D16065D1

DIODE SIL CARBIDE 650V TO247-3

Wolfspeed, Inc.

651 -
RFQ
C3D16065D1

데이터시트

Z-Rec® TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 43A 1.8 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 95 µA @ 650 V 740pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
VS-40HF60

VS-40HF60

DIODE GEN PURP 600V 40A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

139 -
RFQ
VS-40HF60

데이터시트

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 600 V 40A 1.3 V @ 125 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 9 mA @ 600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 190°C
FFSH10120A-F085

FFSH10120A-F085

DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2

onsemi

895 -
RFQ
FFSH10120A-F085

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 17A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 612pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
FFSB3065B-F085

FFSB3065B-F085

DIODE SIL CARBIDE 650V 73A D2PAK

onsemi

4,032 -
RFQ
FFSB3065B-F085

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 73A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 1280pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSB10120A-F085

FFSB10120A-F085

DIODE SIL CARB 1.2KV 21A D2PAK

onsemi

197 -
RFQ
FFSB10120A-F085

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 21A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 612pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSB20120A

FFSB20120A

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 32A D2PAK-3

onsemi

503 -
RFQ
FFSB20120A

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 32A 1.75 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 1200 V 1220pF @ 1V, 100KHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
NDSH10170A

NDSH10170A

DIODE SIL CARB 1.7KV 16A TO247-2

onsemi

374 -
RFQ
NDSH10170A

데이터시트

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 16A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1700 V 856pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GP3D010A170B

GP3D010A170B

DIODE SIL CARB 1.7KV 39A TO247-2

SemiQ

360 -
RFQ
GP3D010A170B

데이터시트

Amp+™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 39A 1.65 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1700 V 699pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
1N5804US

1N5804US

DIODE GEN PURP 100V 1A D-5A

Microchip Technology

1,182 -
RFQ
1N5804US

데이터시트

- SQ-MELF, A Bulk Active Standard 100 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 100 V 25pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount D-5A -65°C ~ 175°C
VS-60APF12-M3

VS-60APF12-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

627 -
RFQ
VS-60APF12-M3

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active Standard 1200 V 60A 1.4 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
DSEP60-06A

DSEP60-06A

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD

IXYS

300 -
RFQ
DSEP60-06A

데이터시트

HiPerFRED™ TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 60A 2.04 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 650 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
JANTX1N5551US

JANTX1N5551US

DIODE GEN PURP 400V 5A B SQ-MELF

Microchip Technology

155 -
RFQ
JANTX1N5551US

데이터시트

- SQ-MELF, B Bulk Active Standard 400 V 5A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 400 V - Military MIL-PRF-19500/420 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
STPSC20H12D

STPSC20H12D

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO220AC

STMicroelectronics

806 -
RFQ
STPSC20H12D

데이터시트

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 1200 V 1650pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
GD30MPS12H

GD30MPS12H

DIODE SIL CARB 1.2KV 55A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

503 -
RFQ
GD30MPS12H

데이터시트

SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 55A 1.8 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 µA @ 1200 V 1101pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
1N1190AR

1N1190AR

DIODE GEN PURP REV 600V 40A DO5

GeneSiC Semiconductor

869 -
RFQ
1N1190AR

데이터시트

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 40A 1.1 V @ 40 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
SCS220AJTLL

SCS220AJTLL

DIODE SIL CARB 650V 20A TO263AB

Rohm Semiconductor

1,713 -
RFQ
SCS220AJTLL

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.55 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 600 V 730pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AB 175°C (Max)
GD30MPS12J-TR

GD30MPS12J-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 59A TO263-7

GeneSiC Semiconductor

2,036 -
RFQ
GD30MPS12J-TR

데이터시트

SiC Schottky MPS™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 59A 1.8 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 1101pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-7 -55°C ~ 175°C
Total 47618 Record«Prev1... 223224225226227228229230...2381Next»
TomatoElec

검색

TomatoElec

제품

TomatoElec

전화번호

TomatoElec

사용자