단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
D2601N90TXPSA1

D2601N90TXPSA1

DIODE GEN PURP 9KV 3040A

Infineon Technologies

7,931 -
RFQ
D2601N90TXPSA1

데이터시트

- DO-200AE Tray Active Standard 9000 V 3040A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 mA @ 9000 V - - - Chassis Mount - -40°C ~ 160°C
D3501N42TVFXPSA1

D3501N42TVFXPSA1

DIODE GP 4.2KV 4870A D12035K-1

Infineon Technologies

7,405 -
RFQ

-

- DO-200AE Tray Active Standard 4200 V 4870A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 mA @ 4200 V - - - Chassis Mount BG-D12035K-1 160°C (Max)
D1961SH45TXPSA1

D1961SH45TXPSA1

DIODE GEN PURP 4.5KV 2380A

Infineon Technologies

3,234 -
RFQ
D1961SH45TXPSA1

데이터시트

- DO-200AE Tray Active Standard 4500 V 2380A 2.5 V @ 2500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 150 mA @ 4500 V - - - Chassis Mount - 0°C ~ 140°C
HBL2010BRP

HBL2010BRP

1 CHANNEL ESD PROTECTOR

onsemi

7,956 -
RFQ

-

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
D1721NH90TAOSA1

D1721NH90TAOSA1

DIODE GEN PURP 2160A D10026K-1

Infineon Technologies

4,076 -
RFQ
D1721NH90TAOSA1

데이터시트

- DO-200, Variant Tray Not For New Designs Standard - 2160A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 150 mA @ 9000 V - - - Chassis Mount BG-D10026K-1 0°C ~ 140°C
D6001N50TXPSA1

D6001N50TXPSA1

DIODE GEN PURP 5KV 8010A

Infineon Technologies

2,515 -
RFQ
D6001N50TXPSA1

데이터시트

- DO-200AE Tray Active Standard 5000 V 8010A 1.3 V @ 6000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 400 mA @ 5000 V - - - Chassis Mount - -40°C ~ 160°C
FR304-T

FR304-T

DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Diodes Incorporated

6,347 -
RFQ
FR304-T

데이터시트

- DO-201AD, Axial Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 400 V 3A 1.3 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 10 µA @ 400 V - - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 175°C
1N5401-T

1N5401-T

DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Diodes Incorporated

6,192 -
RFQ
1N5401-T

데이터시트

- DO-201AD, Axial Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 100 V 3A 1 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V 50pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
1N5402-T

1N5402-T

DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Diodes Incorporated

9,918 -
RFQ
1N5402-T

데이터시트

- DO-201AD, Axial Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 200 V 3A 1 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 200 V 50pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
1N5404-T

1N5404-T

DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Diodes Incorporated

5,015 -
RFQ
1N5404-T

데이터시트

- DO-201AD, Axial Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 400 V 3A 1 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 400 V 50pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
1N5406-T

1N5406-T

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Diodes Incorporated

9,320 -
RFQ
1N5406-T

데이터시트

- DO-201AD, Axial Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 600 V 3A 1 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 600 V 25pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
1N5407-T

1N5407-T

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Diodes Incorporated

5,556 -
RFQ
1N5407-T

데이터시트

- DO-201AD, Axial Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 800 V 3A 1 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 800 V 25pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
1N5408-T

1N5408-T

DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Diodes Incorporated

5,822 -
RFQ
1N5408-T

데이터시트

- DO-201AD, Axial Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 1000 V 3A 1 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1000 V 25pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
VS-1N3209

VS-1N3209

DIODE GEN PURP 100V 15A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,442 -
RFQ
VS-1N3209

데이터시트

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 100 V 15A 1.5 V @ 15 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 175°C
VS-1N3210

VS-1N3210

DIODE GEN PURP 200V 15A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,745 -
RFQ
VS-1N3210

데이터시트

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 200 V 15A 1.5 V @ 15 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 175°C
VS-1N2133RA

VS-1N2133RA

DIODE GEN PURP 300V 60A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,400 -
RFQ
VS-1N2133RA

데이터시트

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 300 V 60A 1.3 V @ 188 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 300 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 200°C
VS-1N2135RA

VS-1N2135RA

DIODE GEN PURP 400V 60A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,763 -
RFQ
VS-1N2135RA

데이터시트

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 60A 1.3 V @ 188 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 400 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 200°C
FR301-T

FR301-T

DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD

Diodes Incorporated

5,618 -
RFQ
FR301-T

데이터시트

- DO-201AD, Axial Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 50 V 3A 1.3 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 10 µA @ 50 V - - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 175°C
FR302-T

FR302-T

DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Diodes Incorporated

2,800 -
RFQ
FR302-T

데이터시트

- DO-201AD, Axial Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 100 V 3A 1.3 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 10 µA @ 100 V - - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 175°C
FR303-T

FR303-T

DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Diodes Incorporated

3,147 -
RFQ
FR303-T

데이터시트

- DO-201AD, Axial Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 200 V 3A 1.3 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 10 µA @ 200 V - - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 175°C
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