단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
D1481N65TVFXPSA1

D1481N65TVFXPSA1

DIODE GP 6.8KV 2200A D7626K-1

Infineon Technologies

9,775 -
RFQ
D1481N65TVFXPSA1

데이터시트

- DO-200AC, K-PUK Tray Active Standard 6800 V 2200A 1.8 V @ 2500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 mA @ 6800 V - - - Clamp On BG-D7626K-1 160°C (Max)
D2201N45TXPSA1

D2201N45TXPSA1

DIODE GEN PURP 4.5KV 3250A

Infineon Technologies

8,277 -
RFQ
D2201N45TXPSA1

데이터시트

- DO-200AD Tray Active Standard 4500 V 3250A 1.2 V @ 2500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 mA @ 4500 V - - - Chassis Mount - -40°C ~ 140°C
M2325HA400

M2325HA400

DIODE GEN PURP 4KV 2325A W121

IXYS

2,060 -
RFQ
M2325HA400

데이터시트

- DO-200AD Box Active Standard 4000 V 2325A 2.6 V @ 2500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5.4 µs 150 mA @ 4000 V - - - Chassis Mount W121 -40°C ~ 150°C
D471N90TXPSA1

D471N90TXPSA1

DIODE GEN PURP 9KV 760A

Infineon Technologies

7,467 -
RFQ
D471N90TXPSA1

데이터시트

- DO-200AB, B-PUK Tray Active Standard 9000 V 760A 3.2 V @ 1200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 mA @ 9000 V - - - Clamp On - -40°C ~ 160°C
W2865HA680

W2865HA680

DIODE GEN PURP 6.8KV 4825A W121

IXYS

5,158 -
RFQ
W2865HA680

데이터시트

- DO-200AD Box Active Standard 6800 V 4825A 4.04 V @ 10000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 53 µs 100 mA @ 6800 V - - - Chassis Mount W121 -40°C ~ 150°C
M2325HA450

M2325HA450

DIODE GEN PURP 4.5KV 2325A W121

IXYS

9,387 -
RFQ
M2325HA450

데이터시트

- DO-200AD Box Active Standard 4500 V 2325A 2.6 V @ 2500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5.4 µs 150 mA @ 4500 V - - - Chassis Mount W121 -40°C ~ 150°C
JAN1N6676T1

JAN1N6676T1

RECTIFIER

Microsemi Corporation

5,462 -
RFQ

-

- - Bulk Active - - - - - - - - Military MIL-PRF-19500/538 - - -
W2865HA720

W2865HA720

DIODE GEN PURP 7200V 4825A W121

IXYS

5,150 -
RFQ
W2865HA720

데이터시트

- DO-200AD Box Active Standard 7200 V 4825A 4.04 V @ 10000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 53 µs 100 mA @ 7200 V - - - Chassis Mount W121 -40°C ~ 150°C
JANS1N5816R

JANS1N5816R

DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA

Microchip Technology

7,365 -
RFQ

-

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 150 V 20A 950 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 150 V 300pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/478 Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
JANS1N5812

JANS1N5812

DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA

Microchip Technology

3,373 -
RFQ

-

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 50 V 20A 950 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 50 V 300pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/478 Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
JANS1N5814

JANS1N5814

DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Microchip Technology

8,773 -
RFQ

-

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 100 V 20A 950 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 100 V 300pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/478 Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
D8320N04TVFXPSA1

D8320N04TVFXPSA1

DIODE GEN PURP 400V 8320A

Infineon Technologies

7,748 -
RFQ
D8320N04TVFXPSA1

데이터시트

- DO-200AD Tray Obsolete Standard 400 V 8320A 795 mV @ 4000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 mA @ 400 V - - - Chassis Mount - -25°C ~ 150°C
JANS1N5812R

JANS1N5812R

DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA

Microchip Technology

2,418 -
RFQ

-

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 50 V 20A 950 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 50 V 300pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/478 Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
JANS1N5814R

JANS1N5814R

DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Microchip Technology

2,848 -
RFQ

-

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 100 V 20A 950 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 100 V 300pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/478 Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
D4810N28TVFXPSA1

D4810N28TVFXPSA1

DIODE GEN PURP 2.8KV 4810A

Infineon Technologies

4,987 -
RFQ
D4810N28TVFXPSA1

데이터시트

- DO-200AE Tray Active Standard 2800 V 4810A 1.078 V @ 4000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 200 mA @ 2800 V - - - Chassis Mount - -40°C ~ 150°C
JANTX1N6676T1

JANTX1N6676T1

RECTIFIER

Microsemi Corporation

6,392 -
RFQ

-

- - Bulk Active - - - - - - - - Military MIL-PRF-19500/610 - - -
W108CED180

W108CED180

DIODE GEN PURP 1.8KV 10815A W112

IXYS

6,999 -
RFQ
W108CED180

데이터시트

- DO-200AE Box Active Standard 1800 V 10815A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis Mount W112 -
W108CED220

W108CED220

DIODE GEN PURP 2.2KV 10815A W112

IXYS

5,818 -
RFQ
W108CED220

데이터시트

- DO-200AE Box Active Standard 2200 V 10815A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis Mount W112 -
W7395ED450

W7395ED450

DIODE GEN PURP 2.7KV 7395A W112

IXYS

6,093 -
RFQ

-

- DO-200AE Box Active Standard 2700 V 7395A 1.4 V @ 7000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 69 µs 120 mA @ 2700 V - - - Chassis Mount W112 -40°C ~ 160°C
DZ950N44KS02HPSA1

DZ950N44KS02HPSA1

DIODE GEN PURP 4.4KV 950A PB70-1

Infineon Technologies

3,012 -
RFQ
DZ950N44KS02HPSA1

데이터시트

- Module Tray Active Standard 4400 V 950A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 mA @ 4400 V - - - Chassis Mount BG-PB70-1 160°C (Max)
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