단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
E1250HC45E

E1250HC45E

DIODE GEN PURP 4.5KV 1355A W122

IXYS

2,783 -
RFQ
E1250HC45E

데이터시트

- DO-200AD Box Active Standard 4500 V 1355A 2.07 V @ 1250 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.2 µs 1 mA @ 4500 V - - - Chassis Mount W122 -
W7395ED480

W7395ED480

DIODE GEN PURP 2.88KV 7395A W112

IXYS

2,880 -
RFQ

-

- DO-200AE Box Active Standard 2880 V 7395A 1.4 V @ 7000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 69 µs 120 mA @ 2880 V - - - Chassis Mount W112 -40°C ~ 160°C
W6360EC600

W6360EC600

DIODE GEN PURP 6KV 6395A W111

IXYS

4,051 -
RFQ
W6360EC600

데이터시트

- DO-200AE Box Active Standard 6000 V 6395A 1.4 V @ 4000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 73 µs 120 mA @ 6000 V - - - Chassis Mount W111 -40°C ~ 150°C
D921S45TXPSA1

D921S45TXPSA1

DIODE GEN PURP 4.5KV 1630A

Infineon Technologies

9,616 -
RFQ
D921S45TXPSA1

데이터시트

- DO-200AD Tray Active Standard 4500 V 1630A 2.6 V @ 2500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 mA @ 4500 V - - - Chassis Mount - -40°C ~ 140°C
W5715ED600

W5715ED600

DIODE GEN PURP 6KV 5750A W112

IXYS

9,925 -
RFQ
W5715ED600

데이터시트

- DO-200AE Box Active Standard 6000 V 5750A 1.4 V @ 4000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 73 µs 120 mA @ 6000 V - - - Chassis Mount W112 -40°C ~ 150°C
E2400EC45E

E2400EC45E

DIODE GEN PURP 4.5KV 2490A W111

IXYS

2,780 -
RFQ
E2400EC45E

데이터시트

- DO-200AE Box Active Standard 4500 V 2490A 3.65 V @ 2400 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.22 µs 100 mA @ 4500 V - - - Chassis Mount W111 -40°C ~ 140°C
D1031SH45TXPSA1

D1031SH45TXPSA1

DIODE GEN PURP 4.5KV 1450A

Infineon Technologies

6,126 -
RFQ
D1031SH45TXPSA1

데이터시트

- DO-200AD Tray Active Standard 4500 V 1450A 4.2 V @ 2500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 mA @ 4500 V - - - Chassis Mount - 0°C ~ 140°C
D931SH65TXPSA1

D931SH65TXPSA1

DIODE GEN PURP 6.5KV 1220A

Infineon Technologies

4,291 -
RFQ
D931SH65TXPSA1

데이터시트

- DO-200AD Tray Active Standard 6500 V 1220A 5.6 V @ 2500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 mA @ 6500 V - - - Chassis Mount - 0°C ~ 140°C
E3000EC45E

E3000EC45E

DIODE GEN PURP 4.5KV 3410A W111

IXYS

9,075 -
RFQ
E3000EC45E

데이터시트

- DO-200AE Box Active Standard 4500 V 3410A 3.1 V @ 3000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.25 µs 90 mA @ 4500 V - - - Chassis Mount W111 -40°C ~ 140°C
D1251S45TXPSA1

D1251S45TXPSA1

DIODE GEN PURP 4.5KV 1530A

Infineon Technologies

6,504 -
RFQ
D1251S45TXPSA1

데이터시트

- DO-200AC, K-PUK Tray Active Standard 4500 V 1530A 2.5 V @ 2500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 80 mA @ 4500 V - - - Clamp On - -40°C ~ 140°C
MS1N6392

MS1N6392

POWER SCHOTTKY

Microchip Technology

3,295 -
RFQ

-

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
MS1N6392/TR

MS1N6392/TR

POWER SCHOTTKY

Microchip Technology

2,963 -
RFQ

-

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
D1381S45TXPSA1

D1381S45TXPSA1

DIODE GEN PURP 4.5KV 1630A

Infineon Technologies

2,933 -
RFQ
D1381S45TXPSA1

데이터시트

- DO-200AD Tray Active Standard 4500 V 1630A 2.6 V @ 2500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 mA @ 4500 V - - - Chassis Mount - -40°C ~ 140°C
D4201N22TXPSA1

D4201N22TXPSA1

DIODE GEN PURP 2.2KV 6010A

Infineon Technologies

3,774 -
RFQ
D4201N22TXPSA1

데이터시트

- DO-200AE Tray Active Standard 2200 V 6010A 1 V @ 4000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 200 mA @ 2200 V - - - Chassis Mount - -40°C ~ 160°C
E1780TG65E

E1780TG65E

DIODE GEN PURP 3.6KV 1780A -

IXYS

8,071 -
RFQ

-

SONIC-FRD™ TO-200AF Box Active Standard 3600 V 1780A 3.83 V @ 1780 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.22 µs 100 mA @ 3600 V - - - Chassis Mount - -40°C ~ 140°C
D1461S45TXPSA1

D1461S45TXPSA1

DIODE GEN PURP 1720A D10026K-1

Infineon Technologies

3,036 -
RFQ
D1461S45TXPSA1

데이터시트

- DO-200, Variant Tray Active Standard - 1720A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 200 mA @ 4500 V - - - Chassis Mount BG-D10026K-1 -40°C ~ 140°C
D3041N65TXPSA1

D3041N65TXPSA1

DIODE GEN PURP 6.5KV 4090A

Infineon Technologies

4,966 -
RFQ
D3041N65TXPSA1

데이터시트

- DO-200AE Tray Active Standard 6500 V 4090A 1.7 V @ 4000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 mA @ 6500 V - - - Chassis Mount - -40°C ~ 160°C
JANS1N5816

JANS1N5816

DIODE SCHOTTKY 150V 20A DO203AA

Microchip Technology

5,723 -
RFQ
JANS1N5816

데이터시트

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Discontinued at Digi-Key Schottky 150 V 20A 950 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 150 V 300pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/478 Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
D3001N68TXPSA1

D3001N68TXPSA1

DIODE GEN PURP 6.8KV 3910A

Infineon Technologies

3,717 -
RFQ
D3001N68TXPSA1

데이터시트

- DO-200AE Tray Active Standard 6800 V 3910A 1.7 V @ 4000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 mA @ 6800 V - - - Chassis Mount - -40°C ~ 160°C
D2601N85TXPSA1

D2601N85TXPSA1

DIODE GEN PURP 8.5KV 3040A

Infineon Technologies

7,416 -
RFQ
D2601N85TXPSA1

데이터시트

- DO-200AE Tray Active Standard 8500 V 3040A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 mA @ 8500 V - - - Chassis Mount - -40°C ~ 160°C
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