단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
1N3167R

1N3167R

STANDARD RECTIFIER

Microchip Technology

9,114 -
RFQ
1N3167R

데이터시트

- DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 350 V 240A 1.25 V @ 240 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 75 µA @ 350 V - - - Stud Mount DO-205AB (DO-9) -65°C ~ 200°C
1N3168R

1N3168R

STANDARD RECTIFIER

Microchip Technology

6,924 -
RFQ
1N3168R

데이터시트

- DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 300A 1.55 V @ 940 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 400 V - - - Stud Mount DO-205AB (DO-9) -65°C ~ 200°C
JANS1N5822

JANS1N5822

DIODE SCHOTTKY 40V 3A B AXIAL

Microchip Technology

5,277 -
RFQ

-

- B, Axial Bulk Active Schottky 40 V 3A 500 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 40 V - Military MIL-PRF-19500/620 Through Hole B, Axial -65°C ~ 125°C
VS-SD2500C24K

VS-SD2500C24K

DIODE GP 2.4KV 3000A DO200AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,614 -
RFQ
VS-SD2500C24K

데이터시트

- DO-200AC, K-PUK Bulk Last Time Buy Standard 2400 V 3000A 1.14 V @ 4000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Clamp On DO-200AC, K-PUK -40°C ~ 180°C
MSASC25W45K

MSASC25W45K

DIODE SCHOTTKY 45V 25A THINKEY2

Microchip Technology

8,239 -
RFQ

-

- ThinKey™2 Bulk Active Schottky 45 V 25A 775 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 300 µA @ 45 V - - - Surface Mount ThinKey™2 -55°C ~ 175°C
W3708MC350

W3708MC350

DIODE GEN PURP 3.5KV 3753A W54

IXYS

4,353 -
RFQ
W3708MC350

데이터시트

- DO-200AC, K-PUK Box Active Standard 3500 V 3753A 1.27 V @ 3000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 37 µs 100 mA @ 3500 V - - - Clamp On W54 -40°C ~ 160°C
MSASC25W45K/TR

MSASC25W45K/TR

DIODE SCHOTTKY 45V 25A THINKEY2

Microchip Technology

3,051 -
RFQ

-

- ThinKey™2 Tape & Reel (TR) Active Schottky 45 V 25A 775 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 300 µA @ 45 V - - - Surface Mount ThinKey™2 -55°C ~ 175°C
1N6763R

1N6763R

DIODE GEN PURP 100V 12A TO254

Microchip Technology

8,196 -
RFQ
1N6763R

데이터시트

- TO-254-3, TO-254AA Bulk Active Standard, Reverse Polarity 100 V 12A 1.05 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 100 V 300pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole TO-254 -55°C ~ 175°C
1N6764R

1N6764R

DIODE GEN PURP 150V 12A TO254

Microchip Technology

5,827 -
RFQ
1N6764R

데이터시트

- TO-254-3, TO-254AA Bulk Active Standard, Reverse Polarity 150 V 12A 1.05 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 150 V 300pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole TO-254 -55°C ~ 175°C
1N6765R

1N6765R

DIODE GEN PURP 200V 12A TO254

Microchip Technology

2,546 -
RFQ
1N6765R

데이터시트

- TO-254-3, TO-254AA Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 12A 1.05 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 200 V 300pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole TO-254 -55°C ~ 175°C
M1494NC250

M1494NC250

DIODE GEN PURP 2.5KV 1494A W5

IXYS

9,250 -
RFQ
M1494NC250

데이터시트

- DO-200AC, K-PUK Box Active Standard 2500 V 1494A 2.34 V @ 4500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 3.9 µs 85 mA @ 2500 V - - - Clamp On W5 -40°C ~ 125°C
R9G01222XX

R9G01222XX

DIODE GP 1.2KV 2200A DO200AB

Powerex Inc.

4,611 -
RFQ
R9G01222XX

데이터시트

- DO-200AB, B-PUK Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 1200 V 2200A 1.1 V @ 1500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 15 µs 150 mA @ 1200 V - - - Clamp On DO-200AB, B-PUK -
UFR3280R

UFR3280R

DIODE GEN PURP 800V 30A DO203AA

Microchip Technology

9,307 -
RFQ

-

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 30A 1.35 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns - - - - Stud Mount DO-203AA (DO-4) 175°C (Max)
UFR3270R

UFR3270R

DIODE GP REV 700V 30A DO203AA

Microchip Technology

6,704 -
RFQ
UFR3270R

데이터시트

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 700 V 30A 1.35 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 15 µA @ 700 V 100pF @ 10V, 1MHz - - Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
VS-SD3000C10K

VS-SD3000C10K

DIODE GEN PURP 1KV 3800A DO200AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,600 -
RFQ
VS-SD3000C10K

데이터시트

- DO-200AC, K-PUK Bulk Last Time Buy Standard 1000 V 3800A 1.22 V @ 6000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 75 mA @ 1000 V - - - Clamp On DO-200AC, K-PUK -
QRS061K001

QRS061K001

DIODE GEN PURP 600V 627A MODULE

Powerex Inc.

3,888 -
RFQ
QRS061K001

데이터시트

- Module Bulk Obsolete Standard 600 V 627A 2.8 V @ 1000 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 2 mA @ 600 V - - - Chassis Mount Module -
W2054NC420

W2054NC420

DIODE GEN PURP 4.2KV 2055A W5

IXYS

6,639 -
RFQ

-

- DO-200AC, K-PUK Box Active Standard 4200 V 2055A 1.7 V @ 3000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 mA @ 4200 V - - - Clamp On W5 -40°C ~ 160°C
JAN1N6657

JAN1N6657

DIODE GEN PURP 100V 15A TO254

Microchip Technology

3,534 -
RFQ

-

- TO-254-3, TO-254AA Bulk Active Standard 100 V 15A 1.2 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 100 V 150pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/616 Through Hole TO-254 -
JAN1N6657R

JAN1N6657R

DIODE GEN PURP 100V 15A TO254

Microchip Technology

3,751 -
RFQ

-

- TO-254-3, TO-254AA Bulk Active Standard, Reverse Polarity 100 V 15A 1.2 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 100 V 150pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/616 Through Hole TO-254 -
JAN1N6658

JAN1N6658

DIODE GEN PURP 150V 15A TO254

Microchip Technology

6,153 -
RFQ

-

- TO-254-3, TO-254AA Bulk Active Standard 150 V 15A 1.2 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 150 V 150pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/616 Through Hole TO-254 -
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