단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
R7001604XXUA

R7001604XXUA

DIODE GP 1.6KV 450A DO200AA

Powerex Inc.

8,298 -
RFQ
R7001604XXUA

데이터시트

- DO-200AA, A-PUK Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 1600 V 450A 1.6 V @ 1500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 11 µs 50 mA @ 1600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-200AA, R62 -65°C ~ 175°C
JANTXV1N486B

JANTXV1N486B

SWITCHING DIODE

Microsemi Corporation

3,601 -
RFQ

-

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 225 V 200mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 50 nA @ 225 V - Military MIL-PRF-19500/118 Through Hole DO-204AH (DO-35) 175°C (Max)
1N6666

1N6666

DIODE GEN PURP 200V 10A TO257

Microchip Technology

7,114 -
RFQ

-

- TO-257-3 Bulk Active Standard 200 V 10A 1 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns - - - - Through Hole TO-257 200°C
1N6664

1N6664

DIODE GEN PURP 100V 10A TO257

Microchip Technology

6,765 -
RFQ

-

- TO-257-3 Bulk Active Standard 100 V 10A 1 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns - - - - Through Hole TO-257 200°C
1N6665

1N6665

DIODE GEN PURP 150V 10A TO257

Microchip Technology

2,486 -
RFQ

-

- TO-257-3 Bulk Active Standard 150 V 10A - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns - - - - Through Hole TO-257 200°C
1N8024-GA

1N8024-GA

DIODE SIL CARB 1.2KV 750MA TO257

GeneSiC Semiconductor

6,134 -
RFQ
1N8024-GA

데이터시트

- TO-257-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 750mA 1.74 V @ 750 mA No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 1200 V 66pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-257 -55°C ~ 250°C
W3477MC400

W3477MC400

DIODE GEN PURP 4KV 3470A W54

IXYS

5,211 -
RFQ
W3477MC400

데이터시트

- DO-200AC, K-PUK Box Active Standard 4000 V 3470A 1.34 V @ 3000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 38 µs 100 mA @ 4000 V - - - Clamp On W54 -40°C ~ 160°C
R9G00822XX

R9G00822XX

DIODE GP 800V 2200A DO200AB

Powerex Inc.

5,656 -
RFQ
R9G00822XX

데이터시트

- DO-200AB, B-PUK Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 800 V 2200A 1.1 V @ 1500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 15 µs 150 mA @ 800 V - - - Clamp On DO-200AB, B-PUK -
R9G01212XX

R9G01212XX

DIODE GP 1.2KV 1200A DO200AB

Powerex Inc.

2,648 -
RFQ
R9G01212XX

데이터시트

- DO-200AB, B-PUK Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 1200 V 1200A 1.45 V @ 1500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 25 µs 150 mA @ 1200 V - - - Clamp On DO-200AB, B-PUK -
1N8033-GA

1N8033-GA

DIODE SIL CARB 650V 4.3A TO276

GeneSiC Semiconductor

2,273 -
RFQ
1N8033-GA

데이터시트

- TO-276AA Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4.3A 1.65 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 650 V 274pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-276 -55°C ~ 250°C
VS-SD3000C04K

VS-SD3000C04K

DIODE GP 400V 3800A DO200AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,419 -
RFQ
VS-SD3000C04K

데이터시트

- DO-200AC, K-PUK Bulk Last Time Buy Standard 400 V 3800A 1.22 V @ 6000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 75 mA @ 400 V - - - Clamp On DO-200AC, K-PUK -
VS-SD3000C08K

VS-SD3000C08K

DIODE GP 800V 3800A DO200AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,277 -
RFQ
VS-SD3000C08K

데이터시트

- DO-200AC, K-PUK Bulk Last Time Buy Standard 800 V 3800A 1.22 V @ 6000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 75 mA @ 800 V - - - Clamp On DO-200AC, K-PUK -
R9G22415ASOO

R9G22415ASOO

DIODE GP 2.4KV 1500A DO200AB

Powerex Inc.

9,130 -
RFQ
R9G22415ASOO

데이터시트

- DO-200AB, B-PUK Bulk Obsolete Standard 2400 V 1500A 1.65 V @ 1500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5 µs 75 mA @ 2400 V - - - Clamp On DO-200AB, B-PUK -
38DN06B02ELEMPRXPSA1

38DN06B02ELEMPRXPSA1

DIODE GP 600V 5140A D-ELEM-1

Infineon Technologies

8,819 -
RFQ

-

- DO-200AA, A-PUK Tray Active Standard 600 V 5140A 960 mV @ 4500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 mA @ 600 V - - - Clamp On BG-D-ELEM-1 180°C (Max)
LS412660

LS412660

DIODE GP 2.6KV 600A POW-R-BLOK

Powerex Inc.

6,704 -
RFQ
LS412660

데이터시트

- POW-R-BLOK™ Module Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 2600 V 600A 1.18 V @ 1500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 mA @ 2600 V - - - Chassis Mount POW-R-BLOK™ Module -40°C ~ 150°C
M1494NK250

M1494NK250

DIODE GEN PURP 2.5KV 1975A WD8

IXYS

5,063 -
RFQ

-

- DO-200AB, B-PUK Box Active Standard 2500 V 1975A 1.15 V @ 1000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 3.9 µs - - - - Clamp On WD8 -
W3842MC240

W3842MC240

DIODE GEN PURP 2.4KV 3842A W54

IXYS

3,204 -
RFQ

-

- DO-200AC, K-PUK Box Active Standard 2400 V 3842A 1.2 V @ 3000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 34 µs 50 mA @ 2400 V - - - Clamp On W54 -40°C ~ 160°C
1N8026-GA

1N8026-GA

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 8A TO257

GeneSiC Semiconductor

6,833 -
RFQ
1N8026-GA

데이터시트

- TO-257-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 8A 1.6 V @ 2.5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 1200 V 237pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-257 -55°C ~ 250°C
1N8034-GA

1N8034-GA

DIODE SIL CARB 650V 9.4A TO257

GeneSiC Semiconductor

6,554 -
RFQ
1N8034-GA

데이터시트

- TO-257-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 9.4A 1.34 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 650 V 1107pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-257 -55°C ~ 250°C
VS-SD2500C12K

VS-SD2500C12K

DIODE GP 1.2KV 3000A DO200AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,272 -
RFQ
VS-SD2500C12K

데이터시트

- DO-200AC, K-PUK Bulk Last Time Buy Standard 1200 V 3000A 1.41 V @ 4000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 75 mA @ 1200 V - - - Clamp On DO-200AC, K-PUK -
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