단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
JANTXV1N6843U3

JANTXV1N6843U3

SCHOTTKY DIODE

Microchip Technology

4,024 -
RFQ

-

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1N8031-GA

1N8031-GA

DIODE SIL CARBIDE 650V 1A TO276

GeneSiC Semiconductor

9,043 -
RFQ
1N8031-GA

데이터시트

- TO-276AA Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1A 1.5 V @ 1 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 650 V 76pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-276 -55°C ~ 250°C
MSASC25H45KV/TR

MSASC25H45KV/TR

DIODE SCHOTTKY 45V 25A THINKEY2

Microchip Technology

7,145 -
RFQ

-

- ThinKey™2 Tape & Reel (TR) Active Schottky 45 V 25A 610 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 45 V - - - Surface Mount ThinKey™2 -55°C ~ 150°C
VSKE320-20

VSKE320-20

DIODE GEN PURP 2KV 320A MAGNAPAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,594 -
RFQ
VSKE320-20

데이터시트

- 3-MAGN-A-PAK™ Bulk Obsolete Standard 2000 V 320A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 mA @ 2000 V - - - Chassis Mount MAGN-A-PAK® -
1N8032-GA

1N8032-GA

DIODE SIL CARB 650V 2.5A TO257

GeneSiC Semiconductor

9,538 -
RFQ
1N8032-GA

데이터시트

- TO-257-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 2.5A 1.3 V @ 2.5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 650 V 274pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-257 -55°C ~ 250°C
1N6492U4

1N6492U4

DIODE SCHOTTKY 45V 3.6A U4

Microchip Technology

9,908 -
RFQ

-

- 3-SMD, No Lead Bulk Active Schottky 45 V 3.6A 560 mV @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2 mA @ 45 V 450pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount U4 -65°C ~ 175°C
R6012225XXYA

R6012225XXYA

DIODE GP REV 2.2KV 250A DO205AB

Powerex Inc.

2,924 -
RFQ
R6012225XXYA

데이터시트

- DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Discontinued at Digi-Key Standard, Reverse Polarity 2200 V 250A 1.5 V @ 800 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 11 µs 50 mA @ 2200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-205AB (DO-9) -65°C ~ 175°C
R9G00622XX

R9G00622XX

DIODE GP 600V 2200A DO200AB

Powerex Inc.

6,899 -
RFQ
R9G00622XX

데이터시트

- DO-200AB, B-PUK Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 600 V 2200A 1.1 V @ 1500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 15 µs 150 mA @ 600 V - - - Clamp On DO-200AB, B-PUK -
R9G00818XX

R9G00818XX

DIODE GP 800V 1800A DO200AB

Powerex Inc.

7,723 -
RFQ
R9G00818XX

데이터시트

- DO-200AB, B-PUK Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 800 V 1800A 1.2 V @ 1500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 25 µs 150 mA @ 800 V - - - Clamp On DO-200AB, B-PUK -
JANTXV1N5812

JANTXV1N5812

DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA

Microchip Technology

7,919 -
RFQ

-

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 50 V 20A 950 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 50 V 300pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/478 Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
1N6842U3

1N6842U3

DIODE SCHOTTKY 60V 10A U3

Microchip Technology

6,424 -
RFQ

-

- 3-SMD, No Lead Bulk Active Schottky 60 V 10A 900 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 60 V 400pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount U3 (SMD-0.5) -65°C ~ 150°C
1N6841U3

1N6841U3

DIODE SCHOTTKY 45V 10A U3

Microchip Technology

6,367 -
RFQ
1N6841U3

데이터시트

- 3-SMD, No Lead Bulk Active Schottky 45 V 10A 880 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 45 V 400pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount U3 (SMD-0.5) -65°C ~ 150°C
1N6842

1N6842

DIODE SCHOTTKY 60V 10A U3

Microchip Technology

2,561 -
RFQ
1N6842

데이터시트

- 3-SMD, No Lead Bulk Active Schottky 60 V 10A 780 mV @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 60 V 400pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount U3 (SMD-0.5) -55°C ~ 150°C
1N6842/TR

1N6842/TR

DIODE SCHOTTKY 60V 10A U3

Microchip Technology

7,706 -
RFQ

-

- 3-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Active Schottky 60 V 10A 780 mV @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 60 V 400pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount U3 (SMD-0.5) -55°C ~ 150°C
W4767MC220

W4767MC220

DIODE GEN PURP 2.2KV 4755A W54

IXYS

4,849 -
RFQ
W4767MC220

데이터시트

- DO-200AC, K-PUK Box Active Standard 2200 V 4755A 1.05 V @ 3000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 26 µs 50 mA @ 2200 V - - - Clamp On W54 -40°C ~ 175°C
LST7764

LST7764

70V 33MA SMALL-SIGNAL SCHOTTKY S

Microchip Technology

7,126 -
RFQ

-

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
LST7765

LST7765

70V 33MA SMALL-SIGNAL SCHOTTKY S

Microchip Technology

3,083 -
RFQ

-

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1N6660DT1

1N6660DT1

DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO254AA

Microsemi Corporation

8,040 -
RFQ
1N6660DT1

데이터시트

- TO-254-3, TO-254AA Bulk Active Schottky 45 V 15A 750 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 45 V 2000pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole TO-254AA -65°C ~ 150°C
1N6660R

1N6660R

DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO254AA

Microsemi Corporation

4,950 -
RFQ
1N6660R

데이터시트

- TO-254-3, TO-254AA Bulk Active Schottky 45 V 15A 750 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 45 V 2000pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole TO-254AA -65°C ~ 150°C
W3477MC360

W3477MC360

DIODE GEN PURP 3.6KV 3470A W54

IXYS

6,629 -
RFQ
W3477MC360

데이터시트

- DO-200AC, K-PUK Box Active Standard 3600 V 3470A 1.34 V @ 3000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 38 µs 100 mA @ 3600 V - - - Clamp On W54 -40°C ~ 160°C
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