단일 IGBT

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전력 - 최대 스위칭 에너지 입력 유형 게이트 충전 Td(켜짐/꺼짐) @ 25°C 테스트 조건 역방향 복구 시간(trr) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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단일 IGBT

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 IGBT를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 스위칭, 전력 변환 및 제어 회로 설계에 사용되는 단일 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 제품을 포함합니다.

당사는 단일 IGBT 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 IGBT 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전력 - 최대 스위칭 에너지 입력 유형 게이트 충전 Td(켜짐/꺼짐) @ 25°C 테스트 조건 역방향 복구 시간(trr) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IKWH100N65EH7XKSA1

IKWH100N65EH7XKSA1

IGBT TRENCH FS 650V 140A TO247-3

Infineon Technologies

85 -
RFQ
IKWH100N65EH7XKSA1

데이터시트

TRENCHSTOP™ TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 140 A 400 A 1.65V @ 15V, 100A 427 W 3.58mJ (on), 2.37mJ (off) Standard 199 nC 32ns/240ns 400V, 100A, 10Ohm, 15V 106 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-32
FGY4L75T120SWD

FGY4L75T120SWD

1200V 75A FS7 IGBT TP247-4L

onsemi

11 -
RFQ
FGY4L75T120SWD

데이터시트

- TO-247-4 Tube Active Field Stop 1200 V 150 A 300 A 2V @ 15V, 75A 652 W 2.9mJ (on), 2.1mJ (off) Standard 225.6 nC 65.6ns/241.6ns 600V, 75A, 11.5Ohm, 15V 208 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
FGY4L140T120SWD

FGY4L140T120SWD

1200V 140A FS7 IGBT TP247-4L

onsemi

18 -
RFQ
FGY4L140T120SWD

데이터시트

- TO-247-4 Tube Active Field Stop 1200 V 200 A 560 A 2V @ 15V, 140A 1250 W 3.9mJ (on), 4.6mJ (off) Standard 426 nC 60.8ns/232ns 600V, 140A, 4.7Ohm, 15V 266.9 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
FGY4L160T120SWD

FGY4L160T120SWD

1200V 160A FS7 IGBT TP247-4L

onsemi

38 -
RFQ
FGY4L160T120SWD

데이터시트

- TO-247-4 Tube Active Field Stop 1200 V 200 A 640 A 2V @ 15V, 160A 1500 W 4.2mJ (on), 5.9mJ (off) Standard 474 nC 60.8ns/236.8ns 600V, 160A, 4Ohm, 15V 264.1 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
APT35GP120B2D2G

APT35GP120B2D2G

IGBT PT 1200V 96A TMAX

Microchip Technology

40 -
RFQ

-

POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Active PT 1200 V 96 A 140 A 3.9V @ 15V, 35A 540 W 1mJ (on), 1.185mJ (off) Standard 150 nC 14ns/99ns 800V, 35A, 5Ohm, 15V 85 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™ [B2]
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

IGBT PT 1200V 96A

Microchip Technology

28 -
RFQ
APT35GP120B2DQ2G

데이터시트

POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Active PT 1200 V 96 A 140 A 3.9V @ 15V, 35A 543 W 750µJ (on), 680µJ (off) Standard 150 nC 16ns/95ns 600V, 35A, 4.3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole -
IXYK85N120C4H1

IXYK85N120C4H1

IGBT TRENCH 1200V 220A SOT227B

IXYS

82 -
RFQ
IXYK85N120C4H1

데이터시트

XPT™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active Trench 1200 V 220 A 420 A 2.5V @ 15V, 85A 1150 W 4.3mJ (on), 2mJ (off) Standard 192 nC 35ns/280ns 600V, 50A, 5Ohm, 15V 265 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
HGTD3N60B3S

HGTD3N60B3S

7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT

Harris Corporation

944 -
RFQ
HGTD3N60B3S

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active - 600 V 7 A 20 A 2.1V @ 15V, 3.5A 33.3 W 66µJ (on), 88µJ (off) Standard 21 nC 18ns/105ns 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V 16 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
HGTP3N60B3R4724

HGTP3N60B3R4724

7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT

Harris Corporation

800 -
RFQ
HGTP3N60B3R4724

데이터시트

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
HGT1S3N60B3S

HGT1S3N60B3S

7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT

Harris Corporation

800 -
RFQ
HGT1S3N60B3S

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active - 600 V 7 A 20 A 2.1V @ 15V, 3.5A 33.3 W 66µJ (on), 88µJ (off) Standard 21 nC 18ns/105ns 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V 16 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AB
FGA30N60LSDTU

FGA30N60LSDTU

IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO3P

onsemi

5,703 -
RFQ

-

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete Trench Field Stop 600 V 60 A 90 A 1.4V @ 15V, 30A 480 W 1.1mJ (on), 21mJ (off) Standard 225 nC 18ns/250ns 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V 35 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
SGP6N60UFDTU

SGP6N60UFDTU

N-CHANNEL IGBT

Fairchild Semiconductor

869 -
RFQ
SGP6N60UFDTU

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete - 600 V 6 A 25 A 2.6V @ 15V, 3A 30 W 57µJ (on), 25µJ (off) Standard 15 nC 15ns/60ns 300V, 3A, 80Ohm, 15V 52 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
HGTP7N60A4_NL

HGTP7N60A4_NL

IGBT, 34A, 600V, N-CHANNEL

Fairchild Semiconductor

511 -
RFQ
HGTP7N60A4_NL

데이터시트

- TO-220-3 Bulk Active - 600 V 34 A 56 A 2.7V @ 15V, 7A 125 W 55µJ (on), 60µJ (off) Standard 37 nC 11ns/100ns 390V, 7A, 25Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRGB4B60KPBF

IRGB4B60KPBF

IGBT 600V 12A 63W TO220A

Infineon Technologies

5,794 -
RFQ
IRGB4B60KPBF

데이터시트

- TO-220-3 Bulk Obsolete NPT 600 V 12 A 24 A 2.5V @ 15V, 4A 63 W 130µJ (on), 83µJ (off) Standard 12 nC 22ns/100ns 400V, 4A, 100Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
FGP10N60UNDF

FGP10N60UNDF

IGBT NPT 600V 20A TO220-3

onsemi

9,864 -
RFQ
FGP10N60UNDF

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete NPT 600 V 20 A 30 A 2.45V @ 15V, 10A 139 W 150µJ (on), 50µJ (off) Standard 37 nC 8ns/52.2ns 400V, 10A, 10Ohm, 15V 37.7 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
NGB8207BNT4G

NGB8207BNT4G

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

onsemi

800 -
RFQ
NGB8207BNT4G

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete - 365 V 20 A 50 A 2.6V @ 4V, 20A 165 W - Logic - - - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
HGTP6N40EID

HGTP6N40EID

7.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT

Harris Corporation

800 -
RFQ
HGTP6N40EID

데이터시트

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
HGTP12N60A4

HGTP12N60A4

UFS SERIES N-CH IGBT

Fairchild Semiconductor

900 -
RFQ
HGTP12N60A4

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete - 600 V 54 A 96 A 2.7V @ 15V, 12A 167 W 55µJ (on), 50µJ (off) Standard 78 nC 17ns/96ns 390V, 12A, 10Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
HGTD7N60B3

HGTD7N60B3

IGBT 600V 14A IPAK

Harris Corporation

900 -
RFQ
HGTD7N60B3

데이터시트

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Active - 600 V 14 A 56 A 2.1V @ 15V, 7A 60 W 160µJ (on), 120µJ (off) Standard 30 nC 26ns/130ns 480V, 7A, 50Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
IRGR2B60KDPBF

IRGR2B60KDPBF

IGBT NPT 600V 6.3A TO252AA

Infineon Technologies

5,937 -
RFQ
IRGR2B60KDPBF

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete NPT 600 V 6.3 A 8 A 2.25V @ 15V, 2A 35 W 74µJ (on), 39µJ (off) Standard 12 nC 11ns/150ns 400V, 2A, 100Ohm, 15V 68 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
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