단일 IGBT

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전력 - 최대 스위칭 에너지 입력 유형 게이트 충전 Td(켜짐/꺼짐) @ 25°C 테스트 조건 역방향 복구 시간(trr) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

단일 IGBT

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 IGBT를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 스위칭, 전력 변환 및 제어 회로 설계에 사용되는 단일 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 제품을 포함합니다.

당사는 단일 IGBT 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 IGBT 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전력 - 최대 스위칭 에너지 입력 유형 게이트 충전 Td(켜짐/꺼짐) @ 25°C 테스트 조건 역방향 복구 시간(trr) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
STGWA40HP65FB2

STGWA40HP65FB2

TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 4

STMicroelectronics

36 -
RFQ
STGWA40HP65FB2

데이터시트

HB2 TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 72 A 120 A 2V @ 15V, 40A 227 W 410µJ (off) Standard 153 nC -/125ns 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V 140 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247 Long Leads
IXGA48N60A3

IXGA48N60A3

IGBT 600V 120A 300W TO263AA

IXYS

97 -
RFQ
IXGA48N60A3

데이터시트

GenX3™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active PT 600 V 120 A 300 A 1.35V @ 15V, 32A 300 W 950µJ (on), 2.9mJ (off) Standard 110 nC 25ns/334ns 480V, 32A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
AIGB40N65H5ATMA1

AIGB40N65H5ATMA1

DISCRETE SWITCHES

Infineon Technologies

65 -
RFQ
AIGB40N65H5ATMA1

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active NPT 650 V 40 A - - - - Standard - - - - - - - Surface Mount PG-TO263-3-2
IXXH30N65B4

IXXH30N65B4

IGBT PT 650V 65A TO247AD

IXYS

56 -
RFQ
IXXH30N65B4

데이터시트

GenX4™, XPT™ TO-247-3 Tube Active PT 650 V 65 A 146 A 2V @ 15V, 30A 230 W 1.55mJ (on), 480µJ (off) Standard 52 nC 32ns/170ns 400V, 30A, 15Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXXH)
APT43GA90B

APT43GA90B

IGBT PT 900V 78A TO247

Microchip Technology

81 -
RFQ
APT43GA90B

데이터시트

POWER MOS 8™ TO-247-3 Tube Active PT 900 V 78 A 129 A 3.1V @ 15V, 25A 337 W 875µJ (on), 425µJ (off) Standard 116 nC 12ns/82ns 600V, 25A, 4.7Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
FGHL50T65SQDT

FGHL50T65SQDT

IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3

onsemi

26 -
RFQ
FGHL50T65SQDT

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 100 A 200 A 2.1V @ 15V, 50A 268 W 223µJ (on), 91.13µJ (off) Standard 99.7 nC 22.8ns/70ns 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IXGP20N120A3

IXGP20N120A3

IGBT 1200V 40A 180W TO220

IXYS

31 -
RFQ
IXGP20N120A3

데이터시트

GenX3™ TO-220-3 Tube Active PT 1200 V 40 A 120 A 2.5V @ 15V, 20A 180 W 2.85mJ (on), 6.47mJ (off) Standard 50 nC 16ns/290ns 960V, 20A, 10Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
NGTB40N65FL2WG

NGTB40N65FL2WG

IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247

onsemi

39 -
RFQ
NGTB40N65FL2WG

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 80 A 160 A 2V @ 15V, 40A 366 W 970µJ (on), 440µJ (off) Standard 170 nC 84ns/177ns 400V, 40A, 10Ohm, 15V 72 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IXGH10N170A

IXGH10N170A

IGBT NPT 1700V 10A TO247AD

IXYS

88 -
RFQ
IXGH10N170A

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active NPT 1700 V 10 A 20 A 6V @ 15V, 5A 140 W 380µJ (off) Standard 29 nC 46ns/190ns 850V, 10A, 22Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G

IGBT NPT 1200V 54A TO247

Microchip Technology

88 -
RFQ
APT25GT120BRDQ2G

데이터시트

Thunderbolt IGBT® TO-247-3 Tube Active NPT 1200 V 54 A 75 A 3.7V @ 15V, 25A 347 W 930µJ (on), 720µJ (off) Standard 170 nC 14ns/150ns 800V, 25A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
STGW75H65DFB2-4

STGW75H65DFB2-4

TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7

STMicroelectronics

48 -
RFQ
STGW75H65DFB2-4

데이터시트

HB2 TO-247-4 Tube Active Trench Field Stop 650 V 115 A 225 A 2V @ 15V, 75A 357 W 992µJ (on), 766µJ (off) Standard 207 nC 22ns/121ns 400V, 75A, 10Ohm, 15V 88 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
APT95GR65B2

APT95GR65B2

IGBT NPT 650V 208A TMAX

Microchip Technology

58 -
RFQ
APT95GR65B2

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active NPT 650 V 208 A 400 A 2.4V @ 15V, 95A 892 W 3.12mJ (on), 2.55mJ (off) Standard 420 nC 29ns/226ns 433V, 95A, 4.3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™ [B2]
IKFW40N65ES5XKSA1

IKFW40N65ES5XKSA1

IGBT TRENCH FS 650V 60A HSIP247

Infineon Technologies

33 -
RFQ
IKFW40N65ES5XKSA1

데이터시트

Trenchstop™ 5 TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 60 A 120 A 1.7V @ 15V, 30A 106 W 560µJ (on), 320µJ (off) Standard 70 nC 17ns/124ns 400V, 30A, 13Ohm, 15V 75 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-HSIP247-3-2
IKFW50N65ES5XKSA1

IKFW50N65ES5XKSA1

IGBT TRENCH FS 650V 74A HSIP247

Infineon Technologies

66 -
RFQ
IKFW50N65ES5XKSA1

데이터시트

Trenchstop™ 5 TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 74 A 160 A 1.7V @ 15V, 40A 127 W 860µJ (on), 400µJ (off) Standard 95 nC 19ns/130ns 400V, 40A, 10Ohm, 15V 69 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-HSIP247-3-2
STGW100H65FB2-4

STGW100H65FB2-4

TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1

STMicroelectronics

68 -
RFQ
STGW100H65FB2-4

데이터시트

HB2 TO-247-4 Tube Active Trench Field Stop 650 V 145 A 300 A 1.8V @ 15V, 100A 441 W 1.06mJ (on), 1.14mJ (off) Standard 288 nC 23ns/141ns 400V, 100A, 3.3Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
IKZA75N65RH5XKSA1

IKZA75N65RH5XKSA1

IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4

Infineon Technologies

49 -
RFQ
IKZA75N65RH5XKSA1

데이터시트

TrenchStop™ 5 TO-247-4 Tube Active Trench Field Stop 650 V 80 A 300 A 2.1V @ 15V, 75A 395 W 310µJ (on), 300µJ (off) Standard 168 nC 25ns/180ns 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4-3
IKFW75N65ES5XKSA1

IKFW75N65ES5XKSA1

IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247

Infineon Technologies

6,906 -
RFQ
IKFW75N65ES5XKSA1

데이터시트

Trenchstop™ 5 TO-247-3 Bulk Active Trench Field Stop 650 V 80 A 240 A 1.7V @ 15V, 60A 148 W 1.48mJ (on), 660µJ (off) Standard 144 nC 24ns/152ns 400V, 60A, 8Ohm, 15V 71 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-HSIP247-3-2
APT25GP120BG

APT25GP120BG

IGBT PT 1200V 69A TO247

Microchip Technology

18 -
RFQ
APT25GP120BG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active PT 1200 V 69 A 90 A 3.9V @ 15V, 25A 417 W 500µJ (on), 438µJ (off) Standard 110 nC 12ns/70ns 600V, 25A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
IXGH10N170

IXGH10N170

IGBT 1700V 20A 110W TO247

IXYS

55 -
RFQ
IXGH10N170

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active NPT 1700 V 20 A 70 A 4V @ 15V, 10A 110 W - Standard 32 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
IXXH100N60C3

IXXH100N60C3

IGBT 600V 190A 830W TO247AD

IXYS

17 -
RFQ
IXXH100N60C3

데이터시트

GenX3™, XPT™ TO-247-3 Tube Active PT 600 V 190 A 380 A 2.2V @ 15V, 70A 830 W 2mJ (on), 950µJ (off) Standard 150 nC 30ns/90ns 360V, 70A, 2Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXXH)
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