단일 IGBT

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전력 - 최대 스위칭 에너지 입력 유형 게이트 충전 Td(켜짐/꺼짐) @ 25°C 테스트 조건 역방향 복구 시간(trr) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

단일 IGBT

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 IGBT를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 스위칭, 전력 변환 및 제어 회로 설계에 사용되는 단일 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 제품을 포함합니다.

당사는 단일 IGBT 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 IGBT 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전력 - 최대 스위칭 에너지 입력 유형 게이트 충전 Td(켜짐/꺼짐) @ 25°C 테스트 조건 역방향 복구 시간(trr) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
APT85GR120B2

APT85GR120B2

IGBT NPT 1200V 170A TMAX

Microchip Technology

28 -
RFQ
APT85GR120B2

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active NPT 1200 V 170 A 340 A 3.2V @ 15V, 85A 962 W 6mJ (on), 3.8mJ (off) Standard 660 nC 43ns/300ns 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™
AFGY160T65SPD-B4

AFGY160T65SPD-B4

IGBT TRENCH FS 650V 240A TO247-3

onsemi

28 -
RFQ
AFGY160T65SPD-B4

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 240 A 480 A 2.05V @ 15V, 160A 882 W 12.4mJ (on), 5.7mJ (off) Standard 245 nC 53ns/98ns 400V, 160A, 5Ohm, 15V 132 ns -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q100 Through Hole TO-247-3
APT50GN120L2DQ2G

APT50GN120L2DQ2G

IGBT NPT FIELD STOP 1200V 134A

Microchip Technology

35 -
RFQ
APT50GN120L2DQ2G

데이터시트

- TO-264-3, TO-264AA Tube Active NPT, Trench Field Stop 1200 V 134 A 150 A 2.1V @ 15V, 50A 543 W 4495µJ (off) Standard 315 nC 28ns/320ns 800V, 50A, 2.2Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole -
IXXR110N65B4H1

IXXR110N65B4H1

IGBT 650V 150A 455W ISOPLUS247

IXYS

28 -
RFQ
IXXR110N65B4H1

데이터시트

GenX4™, XPT™ TO-247-3 Tube Active PT 650 V 150 A 460 A 2.2V @ 15V, 110A 455 W 2.2mJ (on), 1.05mJ (off) Standard 183 nC 38ns/156ns 400V, 55A, 2Ohm, 15V 100 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

IGBT PT 600V 198A

Microchip Technology

13 -
RFQ
APT65GP60L2DQ2G

데이터시트

POWER MOS 7® TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 600 V 198 A 250 A 2.7V @ 15V, 65A 833 W 605µJ (on), 895µJ (off) Standard 210 nC 30ns/90ns 400V, 65A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole -
IXBA16N170AHV

IXBA16N170AHV

REVERSE CONDUCTING IGBT

IXYS

8 -
RFQ
IXBA16N170AHV

데이터시트

BIMOSFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active - 1700 V 16 A 40 A 6V @ 15V, 10A 150 W 2.5mJ (off) Standard 65 nC 15ns/250ns 1360V, 10A, 10Ohm, 15V 25 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263HV
IXXK300N60B3

IXXK300N60B3

IGBT 600V 550A 2300W TO264

IXYS

9 -
RFQ
IXXK300N60B3

데이터시트

GenX3™, XPT™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 600 V 550 A 1140 A 1.6V @ 15V, 100A 2300 W 3.45mJ (on), 2.86mJ (off) Standard 460 nC 50ns/190ns 400V, 100A, 1Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXXK)
STGD4H60DF

STGD4H60DF

IGBT TRENCH FS 600V 8A DPAK

STMicroelectronics

256 -
RFQ
STGD4H60DF

데이터시트

H TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Trench Field Stop 600 V 8 A 16 A 1.95V @ 15V, 3A 75 W 68µJ (on), 45µJ (off) Standard 35 nC 35ns/121ns 400V, 3A, 47Ohm, 15V 73 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK (TO-252) type C2
GT20J341,S4X(S

GT20J341,S4X(S

DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220S

Toshiba Semiconductor and Storage

75 -
RFQ
GT20J341,S4X(S

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Tube Active - 600 V 20 A 80 A 2V @ 15V, 20A 45 W 500µJ (on), 400µJ (off) Standard - 60ns/240ns 300V, 20A, 33Ohm, 15V 90 ns 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
STGWA30M65DF2AG

STGWA30M65DF2AG

AUTOMOTIVE-GRADE TRENCH GATE FIE

STMicroelectronics

50 -
RFQ
STGWA30M65DF2AG

데이터시트

M TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 87 A 120 A 2V @ 15V, 30A 441 W 756µJ (on), 1.057mJ (off) Standard 81.6 nC 21.6ns/138ns 400V, 30A, 10Ohm, 15V 151 ns -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247 Long Leads
GT30J65MRB,S1E

GT30J65MRB,S1E

650V SILICON N-CHANNEL IGBT, TO-

Toshiba Semiconductor and Storage

64 -
RFQ

-

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active - 650 V 60 A - 1.8V @ 15V, 30A 200 W 1.4mJ (on), 220µJ (off) Standard 70 nC 75ns/400ns 400V, 15A, 56Ohm, 15V 200 ns 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)
STGWA25IH135DF2

STGWA25IH135DF2

IGBT TRENCH FS 1.35KV 50A TO247

STMicroelectronics

46 -
RFQ
STGWA25IH135DF2

데이터시트

IH2 TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 1350 V 50 A 100 A 2.2V @ 15V, 20A 340 W 1mJ (off) Standard 166 nC - 600V, 20A, 10Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247 Long Leads
RGW40NL65HRBTL

RGW40NL65HRBTL

IGBT TRENCH FS 650V 48A TO263L

Rohm Semiconductor

1,000 -
RFQ
RGW40NL65HRBTL

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Trench Field Stop 650 V 48 A 80 A 1.9V @ 15V, 20A 144 W 110µJ (on), 160µJ (off) Standard 59 nC 33ns/129ns 400V, 10A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263L
GT40QR21(STA1,E,D

GT40QR21(STA1,E,D

IGBT 1200V 40A TO3P

Toshiba Semiconductor and Storage

82 -
RFQ
GT40QR21(STA1,E,D

데이터시트

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active - 1200 V 40 A 80 A 2.7V @ 15V, 40A 230 W -, 290µJ (off) Standard - - 280V, 40A, 10Ohm, 20V 600 ns 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)
RGW50NL65DHRBTL

RGW50NL65DHRBTL

IGBT TRENCH FS 650V 57A TO263L

Rohm Semiconductor

1,000 -
RFQ
RGW50NL65DHRBTL

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Trench Field Stop 650 V 57 A 100 A 1.9V @ 15V, 25A 165 W 110µJ (on), 230µJ (off) Standard 73 nC 31ns/119ns 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V 71 ns -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263L
RGS50NL65HRBTL

RGS50NL65HRBTL

IGBT TRENCH FS 650V 50A TO263L

Rohm Semiconductor

1,000 -
RFQ
RGS50NL65HRBTL

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Trench Field Stop 650 V 50 A 75 A 2.1V @ 15V, 25A 206 W 810µJ (on), 650µJ (off) Standard 31 nC 28ns/91ns 400V, 25A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263L
RGW60NL65DHRBTL

RGW60NL65DHRBTL

IGBT TRENCH FS 650V 67A TO263L

Rohm Semiconductor

1,000 -
RFQ
RGW60NL65DHRBTL

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Trench Field Stop 650 V 67 A 120 A 1.9V @ 15V, 30A 187 W 180µJ (on), 250µJ (off) Standard 84 nC 34ns/122ns 400V, 15A, 10Ohm, 15V 96 ns -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263L
GT50N322A

GT50N322A

IGBT 1000V 50A TO3P

Toshiba Semiconductor and Storage

52 -
RFQ
GT50N322A

데이터시트

- TO-3P-3, SC-65-3 Tray Active - 1000 V 50 A 120 A 2.8V @ 15V, 60A 156 W - Standard - - - 800 ns 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)
GT50JR21(STA1,E,S)

GT50JR21(STA1,E,S)

PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS

Toshiba Semiconductor and Storage

37 -
RFQ
GT50JR21(STA1,E,S)

데이터시트

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active - 600 V 50 A 100 A 2V @ 15V, 50A 230 W - Standard - - - - 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)
APT25GP90BG

APT25GP90BG

IGBT PT 900V 72A TO247

Microchip Technology

51 -
RFQ
APT25GP90BG

데이터시트

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active PT 900 V 72 A 110 A 3.9V @ 15V, 25A 417 W 370µJ (off) Standard 110 nC 13ns/55ns 600V, 25A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
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