FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
TK090U65Z,RQ

TK090U65Z,RQ

DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ

Toshiba Semiconductor and Storage

2,118 -
RFQ
TK090U65Z,RQ 데이터시트 DTMOSVI 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Ta) 10V 90mOhm @ 15A, 10V 4V @ 1.27mA 47 nC @ 10 V ±30V 2780 pF @ 300 V - 230W (Tc) 150°C - - Surface Mount TOLL
NTHL110N65S3F

NTHL110N65S3F

MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3

onsemi

895 -
RFQ
NTHL110N65S3F 데이터시트 - TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 110mOhm @ 15A, 10V 5V @ 3mA 58 nC @ 10 V ±30V 2560 pF @ 400 V - 240W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IPW60R125C6FKSA1

IPW60R125C6FKSA1

MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3

Infineon Technologies

272 -
RFQ
IPW60R125C6FKSA1 데이터시트 CoolMOS™ TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 125mOhm @ 14.5A, 10V 3.5V @ 960µA 96 nC @ 10 V ±20V 2127 pF @ 100 V - 219W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
FCH110N65F-F155

FCH110N65F-F155

MOSFET N-CH 650V 35A TO247

onsemi

761 -
RFQ
FCH110N65F-F155 데이터시트 FRFET®, SuperFET® II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 35A (Tc) 10V 110mOhm @ 17.5A, 10V 5V @ 3.5mA 145 nC @ 10 V ±20V 4895 pF @ 100 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
DMTH8001STLWQ-13

DMTH8001STLWQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10

Diodes Incorporated

3,013 -
RFQ
DMTH8001STLWQ-13 데이터시트 - 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 270A (Tc) 10V 1.7mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 138 nC @ 10 V ±20V 8894 pF @ 50 V - 6W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount POWERDI1012-8
IPB65R099CFD7AATMA1

IPB65R099CFD7AATMA1

MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3

Infineon Technologies

884 -
RFQ
IPB65R099CFD7AATMA1 데이터시트 CoolMOS™ CFD7A TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 99mOhm @ 12.5A, 10V 4.5V @ 630µA 53 nC @ 10 V ±20V 2513 pF @ 400 V - 127W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-3
STW15NK50Z

STW15NK50Z

MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3

STMicroelectronics

581 -
RFQ
STW15NK50Z 데이터시트 SuperMESH™ TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 14A (Tc) 10V 340mOhm @ 7A, 10V 4.5V @ 100µA 106 nC @ 10 V ±30V 2260 pF @ 25 V - 160W (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
STB25N80K5

STB25N80K5

MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK

STMicroelectronics

518 -
RFQ
STB25N80K5 데이터시트 SuperMESH5™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 19.5A (Tc) 10V 260mOhm @ 19.5A, 10V 5V @ 100µA 40 nC @ 10 V ±30V 1600 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IPL65R095CFD7AUMA1

IPL65R095CFD7AUMA1

COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE

Infineon Technologies

2,970 -
RFQ
IPL65R095CFD7AUMA1 데이터시트 CoolMOS™ 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 29A (Tc) 10V 95mOhm @ 12.5A, 10V 4.5V @ 630µA 53 nC @ 10 V ±20V 2513 pF @ 400 V - 171W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
PJMH120N60EC_T0_00601

PJMH120N60EC_T0_00601

600V/ 120MOHM / 30A/ EASY TO DRI

Panjit International Inc.

1,800 -
RFQ
PJMH120N60EC_T0_00601 데이터시트 - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 120mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 51 nC @ 10 V ±30V 1960 pF @ 400 V - 235W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
TK28V65W5,LQ

TK28V65W5,LQ

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Toshiba Semiconductor and Storage

2,500 -
RFQ
TK28V65W5,LQ 데이터시트 - 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 27.6A (Ta) 10V 140mOhm @ 13.8A, 10V 4.5V @ 1.6mA 90 nC @ 10 V ±30V 3000 pF @ 300 V - 240W (Tc) 150°C - - Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
IPTC063N15NM5ATMA1

IPTC063N15NM5ATMA1

OPTIMOS 5 POWER MOSFET

Infineon Technologies

1,800 -
RFQ
IPTC063N15NM5ATMA1 데이터시트 OptiMOS™ 5 16-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 16.2A (Ta), 122A (Tc) 8V, 10V 6.3mOhm @ 50A, 10V 4.6V @ 163µA 63 nC @ 10 V ±20V 4800 pF @ 75 V - 3.8W (Ta), 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-16-2
STP21N90K5

STP21N90K5

MOSFET N-CH 900V 18.5A TO220-3

STMicroelectronics

965 -
RFQ
STP21N90K5 데이터시트 SuperMESH5™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 18.5A (Tc) 10V 299mOhm @ 9A, 10V 5V @ 100µA 43 nC @ 10 V ±30V 1645 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
FCP130N60

FCP130N60

MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3

onsemi

515 -
RFQ
FCP130N60 데이터시트 SuperFET® II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 28A (Tc) 10V 130mOhm @ 14A, 10V 3.5V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 3590 pF @ 380 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
RCJ700N20TL

RCJ700N20TL

MOSFET N-CH 200V 70A LPTS

Rohm Semiconductor

926 -
RFQ
RCJ700N20TL 데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 70A (Tc) 10V 42.7mOhm @ 35A, 10V 5V @ 1mA 125 nC @ 10 V ±30V 6900 pF @ 25 V - 1.56W (Ta), 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTS
IXTQ96N20P

IXTQ96N20P

MOSFET N-CH 200V 96A TO3P

Littelfuse Inc.

285 -
RFQ
IXTQ96N20P 데이터시트 Polar TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 96A (Tc) 10V 24mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 250µA 145 nC @ 10 V ±20V 4800 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
IXTH20N65X2

IXTH20N65X2

MOSFET N-CH 650V 20A TO247

Littelfuse Inc.

114 -
RFQ
IXTH20N65X2 데이터시트 Ultra X2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20A (Tc) 10V 185mOhm @ 10A, 10V 4.5V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±30V 1450 pF @ 25 V - 290W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
SIHH14N65EF-T1-GE3

SIHH14N65EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8

Vishay Siliconix

3,000 -
RFQ
SIHH14N65EF-T1-GE3 데이터시트 - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Tc) 10V 271mOhm @ 7A, 10V 4V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±30V 1749 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
FDBL0330N80

FDBL0330N80

MOSFET N-CH 80V 220A 8HPSOF

onsemi

1,966 -
RFQ
FDBL0330N80 데이터시트 PowerTrench® 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 220A (Tc) 10V 3mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 112 nC @ 10 V ±20V 6320 pF @ 40 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-HPSOF
SIHB080N60E-GE3

SIHB080N60E-GE3

E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-

Vishay Siliconix

1,722 -
RFQ
SIHB080N60E-GE3 데이터시트 E TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 35A (Tc) 10V 80mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±30V 2557 pF @ 100 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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