FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IPL65R115CFD7AUMA1

IPL65R115CFD7AUMA1

COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE

Infineon Technologies

3,000 -
RFQ
IPL65R115CFD7AUMA1

데이터시트

CoolMOS™ 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 115mOhm @ 9.7A, 10V 4.5V @ 480µA 41 nC @ 10 V ±20V 1942 pF @ 400 V - 144W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
RSJ550N10TL

RSJ550N10TL

MOSFET N-CH 100V 55A LPTS

Rohm Semiconductor

886 -
RFQ
RSJ550N10TL

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 55A (Ta) 4V, 10V 16.8mOhm @ 27.5A, 10V 2.5V @ 1mA 143 nC @ 10 V ±20V 6150 pF @ 25 V - 100W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTS
SPP20N65C3XKSA1

SPP20N65C3XKSA1

MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3

Infineon Technologies

454 -
RFQ
SPP20N65C3XKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20.7A (Tc) 10V 190mOhm @ 13.1A, 10V 3.9V @ 1mA 114 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
STD13NM60ND

STD13NM60ND

MOSFET N-CH 600V 11A DPAK

STMicroelectronics

9,424 -
RFQ
STD13NM60ND

데이터시트

FDmesh™ II TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 24.5 nC @ 10 V ±25V 845 pF @ 50 V - 109W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
RCJ331N25TL

RCJ331N25TL

250V 33A, NCH, TO-263S, POWER MO

Rohm Semiconductor

1,990 -
RFQ
RCJ331N25TL

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 33A (Tc) 10V 105mOhm @ 16.5A, 10V 5V @ 1mA 80 nC @ 10 V ±30V 4500 pF @ 25 V - 1.56W (Ta), 211W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263S
FCP099N65S3

FCP099N65S3

MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3

onsemi

800 -
RFQ
FCP099N65S3

데이터시트

SuperFET® III TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 99mOhm @ 15A, 10V 4.5V @ 3mA 61 nC @ 10 V ±30V 2480 pF @ 400 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
STF13NM60ND

STF13NM60ND

MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP

STMicroelectronics

662 -
RFQ
STF13NM60ND

데이터시트

FDmesh™ II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 24.5 nC @ 10 V ±25V 845 pF @ 50 V - 25W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
RCJ451N20TL

RCJ451N20TL

200V 45A, NCH, TO-263S, POWER MO

Rohm Semiconductor

986 -
RFQ
RCJ451N20TL

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 45A (Tc) 10V 55mOhm @ 22.5A, 10V 5V @ 1mA 80 nC @ 10 V ±30V 4200 pF @ 25 V - 1.56W (Ta), 211W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263S
IXFP10N80P

IXFP10N80P

MOSFET N-CH 800V 10A TO220AB

Littelfuse Inc.

240 -
RFQ
IXFP10N80P

데이터시트

HiPerFET™, Polar TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 10A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 5A, 10V 5.5V @ 2.5mA 40 nC @ 10 V ±30V 2050 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IPW65R125CFD7XKSA1

IPW65R125CFD7XKSA1

HIGH POWER_NEW

Infineon Technologies

235 -
RFQ
IPW65R125CFD7XKSA1

데이터시트

CoolMOS™ CFD7 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 19A (Tc) 10V 125mOhm @ 8.5A, 10V 4.5V @ 420µA 36 nC @ 10 V ±20V 1694 pF @ 400 V - 98W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
STWA30N65DM6AG

STWA30N65DM6AG

MOSFET N-CH 650V 28A TO247

STMicroelectronics

600 -
RFQ
STWA30N65DM6AG

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 28A (Tc) 10V 110mOhm @ 14A, 10V 4.75V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±25V 2000 pF @ 100 V - 284W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247 Long Leads
IXTQ22N60P

IXTQ22N60P

MOSFET N-CH 600V 22A TO3P

Littelfuse Inc.

105 -
RFQ
IXTQ22N60P

데이터시트

Polar TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 22A (Tc) 10V 350mOhm @ 11A, 10V 5.5V @ 250µA 62 nC @ 10 V ±30V 3600 pF @ 25 V - 400W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
AOB125A60L

AOB125A60L

MOSFET N-CH 600V 28A TO263

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

1,255 -
RFQ
AOB125A60L

데이터시트

aMOS5™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 28A (Tc) 10V 125mOhm @ 14A, 10V 4.5V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±20V 2993 pF @ 100 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRFBC40LCPBF-BE3

IRFBC40LCPBF-BE3

MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB

Vishay Siliconix

843 -
RFQ
IRFBC40LCPBF-BE3

데이터시트

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.2A (Tc) - 1.2Ohm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
SIHA125N60EF-GE3

SIHA125N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 11A TO220

Vishay Siliconix

992 -
RFQ
SIHA125N60EF-GE3

데이터시트

EF TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 125mOhm @ 12A, 10V 5V @ 250µA 47 nC @ 10 V ±30V 1533 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
IPL60R095CFD7AUMA1

IPL60R095CFD7AUMA1

MOSFET N CH

Infineon Technologies

1,750 -
RFQ
IPL60R095CFD7AUMA1

데이터시트

CoolMOS™ CFD7 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Tc) 10V 95mOhm @ 1.4A, 10V 4.5V @ 570µA 51 nC @ 10 V ±20V 2103 pF @ 400 V - 147W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4-1
STB13N80K5

STB13N80K5

MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK

STMicroelectronics

909 -
RFQ
STB13N80K5

데이터시트

SuperMESH5™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 12A (Tc) 10V 450mOhm @ 6A, 10V 5V @ 100µA 29 nC @ 10 V ±30V 870 pF @ 100 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IXFP16N50P3

IXFP16N50P3

MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB

IXYS

183 -
RFQ
IXFP16N50P3

데이터시트

HiPerFET™, Polar3™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 16A (Tc) 10V 360mOhm @ 8A, 10V 5V @ 2.5mA 29 nC @ 10 V ±30V 1515 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRFBC40ASTRLPBF

IRFBC40ASTRLPBF

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Vishay Siliconix

550 -
RFQ
IRFBC40ASTRLPBF

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.2A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±30V 1036 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
NP160N055TUK-E1-AY

NP160N055TUK-E1-AY

MOSFET N-CH 55V 160A TO263-7

Renesas Electronics Corporation

1,540 -
RFQ
NP160N055TUK-E1-AY

데이터시트

- TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 160A (Tc) 10V 2.1mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 189 nC @ 10 V ±20V 11250 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 250W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
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