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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    ISK036N03LM5AULA1

    ISK036N03LM5AULA1

    TRENCH <= 40V PG-VSON-6

    Infineon Technologies

    		 3,818 -
    RFQ
    		ISK036N03LM5AULA1

    데이터시트

         		OptiMOS™ 5 6-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 44A (Tc) 4.5V, 10V 3.6mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 21.5 nC @ 10 V ±16V 1400 pF @ 15 V - 11W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-6-1
    IPT039N15N5XTMA1

    IPT039N15N5XTMA1

    TRENCH >=100V PG-HSOF-8

    Infineon Technologies

    		 3,173 -
    RFQ

    -

    		 OptiMOS™ 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 190A (Tc) 8V, 10V 3.9mOhm @ 50A, 10V 4.6V @ 257µA 98 nC @ 10 V ±20V 7700 pF @ 75 V - 319W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8
    IAUS300N04S4N007ATMA1

    IAUS300N04S4N007ATMA1

    MOSFET_(20V 40V) PG-HSOG-8

    Infineon Technologies

    		 2,411 -
    RFQ
    		IAUS300N04S4N007ATMA1

    데이터시트

         		OptiMOS™ 8-PowerSMD, Gull Wing Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 300A (Tc) 10V 0.74mOhm @ 100A, 10V 4V @ 275µA 342 nC @ 10 V ±20V 27356 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOG-8-1
    IMT65R022M1HXTMA1

    IMT65R022M1HXTMA1

    SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8

    Infineon Technologies

    		 8,536 -
    RFQ

    -

    		 * - Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IMT65R039M1HXTMA1

    IMT65R039M1HXTMA1

    SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8

    Infineon Technologies

    		 9,446 -
    RFQ
    		IMT65R039M1HXTMA1

    데이터시트

         		* - Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPB80P03P405ATMA2

    IPB80P03P405ATMA2

    MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3

    Infineon Technologies

    		 3,626 -
    RFQ
    		IPB80P03P405ATMA2

    데이터시트

         		OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 80A (Tc) 10V 4.7mOhm @ 80A, 10V 4V @ 253µA 130 nC @ 10 V ±20V 10300 pF @ 25 V - 137W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    GPI65060DFN

    GPI65060DFN

    GANFET N-CH 650V 60A DFN8X8

    GaNPower

    		 3,790 -
    RFQ
    		GPI65060DFN

    데이터시트

         		- Die Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 60A 6V - 1.2V @ 3.5mA 16 nC @ 6 V +7.5V, -12V 420 pF @ 400 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
    GPIHV30SB5L

    GPIHV30SB5L

    GANFET N-CH 1200V 30A TO263-5L

    GaNPower

    		 6,073 -
    RFQ
    		GPIHV30SB5L

    데이터시트

         		- Die Tube Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 1200 V 30A 6V - 1.4V @ 3.5mA 8.25 nC @ 6 V +7.5V, -12V 236 pF @ 400 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
    PJP6NA90_T0_00001

    PJP6NA90_T0_00001

    900V N-CHANNEL MOSFET

    Panjit International Inc.

    		 8,995 -
    RFQ
    		PJP6NA90_T0_00001

    데이터시트

         		- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 6A (Ta) 10V 2.3Ohm @ 3A, 10V 4V @ 250µA 23.6 nC @ 10 V ±30V 915 pF @ 25 V - 167W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    PJP100P03_T0_00001

    PJP100P03_T0_00001

    30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    		 8,758 -
    RFQ
    		PJP100P03_T0_00001

    데이터시트

         		- TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 15.8A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 107 nC @ 10 V ±20V 6067 pF @ 25 V - 2W (Ta), 119W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    PCFC041N60EW

    PCFC041N60EW

    MOSFET N-CH SMD

    onsemi

    		 6,805 -
    RFQ

    -

    		 * - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    BSS84-F169

    BSS84-F169

    MOSFET

    onsemi

    		 5,750 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SC9611MX

    SC9611MX

    MOSFET N-CH SMD

    onsemi

    		 6,334 -
    RFQ

    -

    		 * - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTMJS0D9N03CGTWG

    NTMJS0D9N03CGTWG

    MOSFET N-CH 30V LFPAK8

    onsemi

    		 4,424 -
    RFQ
    		NTMJS0D9N03CGTWG

    데이터시트

         		- SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Ta), 315A (Tc) 10V 0.9mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 200µA 131.4 nC @ 10 V ±20V 9550 pF @ 15 V - 3.9W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-LFPAK
    FDN5630-G

    FDN5630-G

    MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3

    onsemi

    		 9,116 -
    RFQ

    -

    		 PowerTrench® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 1.7A (Ta) 6V, 10V 100mOhm @ 1.7A, 10V 3V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V 560 pF @ 15 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    FDP045N10A-F032

    FDP045N10A-F032

    MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3

    onsemi

    		 6,307 -
    RFQ

    -

    		 PowerTrench® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250mA 74 nC @ 10 V ±20V 5270 pF @ 50 V - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    FDP075N15A-F032

    FDP075N15A-F032

    MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3

    onsemi

    		 2,191 -
    RFQ

    -

    		 PowerTrench® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 130A (Tc) 10V 7.5mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 7350 pF @ 75 V - 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    FDT3612-SB82273

    FDT3612-SB82273

    MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4

    onsemi

    		 6,034 -
    RFQ

    -

    		 PowerTrench® TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 3.7A (Ta) 6V, 10V 120mOhm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 632 pF @ 50 V - 1.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223-4
    DMP1018UCB9-7

    DMP1018UCB9-7

    MOSFET P-CH 12V 7.6A U-WLB1515-9

    Diodes Incorporated

    		 5,597 -
    RFQ

    -

    		 - 9-UFBGA, WLBGA Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 7.6A (Ta) 2.5V, 4.5V 18mOhm @ 2A, 4.5V 1.3V @ 250µA 4.9 nC @ 4.5 V -6V 457 pF @ 6 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount U-WLB1515-9
    NTC080N120SC1

    NTC080N120SC1

    SIC MOS WAFER SALES 80MOHM 1200V

    onsemi

    		 7,882 -
    RFQ
    		NTC080N120SC1

    데이터시트

         		- Die Tray Obsolete N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 31A (Tc) 20V 110mOhm @ 20A, 20V 4.3V @ 5mA 56 nC @ 20 V +25V, -15V 1112 pF @ 800 V - 178W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount Die
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