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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    MSC025SMA330B4

    MSC025SMA330B4

    MOSFET SIC 3300 V 25 MOHM TO-247

    Microchip Technology

    		 5,810 -
    RFQ
    		MSC025SMA330B4 데이터시트 - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 3300 V 104A (Tc) 20V 31mOhm @ 40A, 20V 2.7V @ 7mA 410 nC @ 20 V +23V, -10V 8720 pF @ 2640 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    IPB042N10NF2SATMA1

    IPB042N10NF2SATMA1

    TRENCH >=100V

    Infineon Technologies

    		 5,414 -
    RFQ
    		IPB042N10NF2SATMA1 데이터시트 * - Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key - - - - - - - - - - - - - - - - -
    CMS03N06T-HF

    CMS03N06T-HF

    MOSFET N-CH 60V 3A SOT23-3

    Comchip Technology

    		 7,640 -
    RFQ
    		CMS03N06T-HF 데이터시트 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 3A (Ta) 4.5V, 10V 105mOhm @ 3A, 10V 2V @ 250µA 14.6 nC @ 10 V ±20V 510 pF @ 30 V - 1.7W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    CMS09N10D-HF

    CMS09N10D-HF

    MOSFET N-CH 100V 9.6A DPAK

    Comchip Technology

    		 3,960 -
    RFQ
    		CMS09N10D-HF 데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9.6A (Tc) 10V 140mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA 15.5 nC @ 10 V ±20V 690 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    CMS12P03Q8-HF

    CMS12P03Q8-HF

    MOSFET P-CH 30V 12A 8SOP

    Comchip Technology

    		 2,880 -
    RFQ
    		CMS12P03Q8-HF 데이터시트 - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12A (Tc) 4.5V, 10V 15mOhm @ 10A, 10V 2.2V @ 250µA 44.4 nC @ 10 V ±20V 2419 pF @ 15 V - 3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    AUIRFU8403-701TRL

    AUIRFU8403-701TRL

    MOSFET

    Infineon Technologies

    		 8,521 -
    RFQ
    		AUIRFU8403-701TRL 데이터시트 HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 3.1mOhm @ 76A, 10V 3.9V @ 100µA 99 nC @ 10 V ±20V 3171 pF @ 25 V - 99W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-21
    P3M173K0T3

    P3M173K0T3

    SICFET N-CH 1700V 4A TO-220-3

    PN Junction Semiconductor

    		 7,965 -
    RFQ
    		P3M173K0T3 데이터시트 P3M TO-220-2 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1700 V 4A 15V 2.6Ohm @ 600mA, 15V 2.2V @ 600µA (Typ) - +19V, -8V - - 75W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-2L
    P3M12025K4

    P3M12025K4

    SICFET N-CH 1200V 112A TO-247-4

    PN Junction Semiconductor

    		 4,264 -
    RFQ
    		P3M12025K4 데이터시트 P3M TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 112A 15V 35mOhm @ 50A, 15V 2.2V @ 50mA (Typ) - +19V, -8V - - 577W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    P3M171K0K3

    P3M171K0K3

    SICFET N-CH 1700V 6A TO-247-3

    PN Junction Semiconductor

    		 3,426 -
    RFQ
    		P3M171K0K3 데이터시트 P3M TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1700 V 6A 15V 1.4Ohm @ 2A, 15V 2.2V @ 2mA (Typ) - +19V, -8V - - 68W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3L
    P3M12080K3

    P3M12080K3

    SICFET N-CH 1200V 47A TO-247-3

    PN Junction Semiconductor

    		 2,339 -
    RFQ
    		P3M12080K3 데이터시트 P3M TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 47A 15V 96mOhm @ 20A, 15V 2.4V @ 5mA (Typ) - +21V, -8V - - 221W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3L
    P3M06040K3

    P3M06040K3

    SICFET N-CH 650V 68A TO247-3

    PN Junction Semiconductor

    		 7,418 -
    RFQ
    		P3M06040K3 데이터시트 P3M TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 68A 15V 50mOhm @ 40A, 15V 2.4V @ 7.5mA (Typ) - +20V, -8V - - 254W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3L
    P3M12160K3

    P3M12160K3

    SICFET N-CH 1200V 19A TO-247-3

    PN Junction Semiconductor

    		 4,073 -
    RFQ
    		P3M12160K3 데이터시트 P3M TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 19A 15V 192mOhm @ 10A, 15V 2.4V @ 2.5mA (Typ) - +21V, -8V - - 110W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3L
    P3M12080K4

    P3M12080K4

    SICFET N-CH 1200V 47A TO-247-4

    PN Junction Semiconductor

    		 4,112 -
    RFQ
    		P3M12080K4 데이터시트 P3M TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 47A 15V 96mOhm @ 20A, 15V 2.4V @ 5mA (Typ) - +21V, -8V - - 221W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    P3M06060T3

    P3M06060T3

    SICFET N-CH 650V 46A TO220-3

    PN Junction Semiconductor

    		 6,339 -
    RFQ
    		P3M06060T3 데이터시트 P3M TO-220-2 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 46A 15V 79mOhm @ 20A, 15V 2.2V @ 20mA (Typ) - +20V, -8V - - 170W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-2L
    FDPF18N50T-G

    FDPF18N50T-G

    FDPF18N50T-G

    onsemi

    		 9,360 -
    RFQ
    		FDPF18N50T-G 데이터시트 - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRFU2405PBFAKLA1

    IRFU2405PBFAKLA1

    MOSFET N-CH

    Infineon Technologies

    		 9,785 -
    RFQ
    		IRFU2405PBFAKLA1 데이터시트 * - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDMT800120DC-22897

    FDMT800120DC-22897

    FET 120V 4.2 MOHM PQFN88

    onsemi

    		 2,846 -
    RFQ
    		FDMT800120DC-22897 데이터시트 PowerTrench® 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 20A (Ta), 128A (Tc) 6V, 10V 4.2mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 107 nC @ 10 V ±20V 7850 pF @ 60 V - 3.2W (Ta), 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-Dual Cool™88
    STP270N8F7W

    STP270N8F7W

    MOSFET N CH 80V 180A TO-220AB

    STMicroelectronics

    		 6,875 -
    RFQ
    		STP270N8F7W 데이터시트 - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 180A (Tc) 10V 2.5mOhm @ 90A, 10V 4V @ 250µA 193 nC @ 10 V ±20V 13600 pF @ 50 V - 315W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    DMJ65H430SCTI

    DMJ65H430SCTI

    MOSFET BVDSS: 501V~650V ITO-220A

    Diodes Incorporated

    		 7,837 -
    RFQ
    		DMJ65H430SCTI 데이터시트 - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 14A (Tc) 10V 430mOhm @ 5A, 10V 5V @ 250µA 24.5 nC @ 10 V ±30V 775 pF @ 100 V - 2.5W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO220AB-N (Type HE)
    DMN3112SQ-7

    DMN3112SQ-7

    MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

    Diodes Incorporated

    		 8,562 -
    RFQ
    		DMN3112SQ-7 데이터시트 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.8A (Ta) 4.5V, 10V 57mOhm @ 5.8A, 10V 2.2V @ 250µA - ±20V 268 pF @ 5 V - 1.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount SOT-23-3
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