FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
MCP04N80-BP

MCP04N80-BP

MOSFET N-CH

Micro Commercial Co

3,209 -
RFQ
MCP04N80-BP

데이터시트

- TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4A 10V 1.2Ohm @ 2A, 10V 4.5V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±30V 598 pF @ 50 V - 63W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
MCU40P04-TP

MCU40P04-TP

MOSFET P-CH

Micro Commercial Co

2,723 -
RFQ
MCU40P04-TP

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 40A 10V 14mOhm @ 12A, 10V 3V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V 2960 pF @ 20 V - 1.25W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
LSIC1MO120G0120

LSIC1MO120G0120

MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L

Littelfuse Inc.

9,987 -
RFQ
LSIC1MO120G0120

데이터시트

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 27A (Tc) 20V 150mOhm @ 14A, 20V 4V @ 7mA 63 nC @ 20 V +22V, -6V 1130 pF @ 800 V - 156W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
LSIC1MO120G0080

LSIC1MO120G0080

MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L

Littelfuse Inc.

7,766 -
RFQ
LSIC1MO120G0080

데이터시트

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 39A (Tc) 20V 100mOhm @ 20A, 20V 4V @ 10mA 92 nC @ 20 V +22V, -6V 170 pF @ 800 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
LSIC1MO120G0160

LSIC1MO120G0160

MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L

Littelfuse Inc.

6,871 -
RFQ
LSIC1MO120G0160

데이터시트

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 22A (Tc) 20V 200mOhm @ 10A, 20V 4V @ 5mA 50 nC @ 20 V +22V, -6V 890 pF @ 800 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
AUXNSF2804STRL7P

AUXNSF2804STRL7P

MOSFET N-CH

Infineon Technologies

9,055 -
RFQ

-

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
TK430A60F,S4X(S

TK430A60F,S4X(S

MOSFET N-CH

Toshiba Semiconductor and Storage

6,663 -
RFQ
TK430A60F,S4X(S

데이터시트

U-MOSIX TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Ta) 10V 430mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 1.75mA 48 nC @ 10 V ±30V 1940 pF @ 300 V - 45W (Tc) 150°C - - Through Hole TO-220SIS
TK370A60F,S4X(S

TK370A60F,S4X(S

MOSFET N-CH

Toshiba Semiconductor and Storage

4,152 -
RFQ
TK370A60F,S4X(S

데이터시트

U-MOSIX TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Ta) 10V 370mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 2.04mA 55 nC @ 10 V ±30V 2200 pF @ 300 V - 45W (Tc) 150°C - - Through Hole TO-220SIS
FQD9N25TM-SBEK002

FQD9N25TM-SBEK002

MOSFET N-CH 250V 7.4A TO252AA

onsemi

6,769 -
RFQ

-

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 7.4A (Tc) 10V 420mOhm @ 3.7A, 10V 5V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±30V 700 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 55W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
FDP13AN06A0-SW82126

FDP13AN06A0-SW82126

MOSFET N-CH 60V TO220-3

onsemi

3,392 -
RFQ

-

- TO-220-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 10.9A (Ta), 62A (Tc) 6V, 10V 13.5mOhm @ 62A, 10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V 1350 pF @ 25 V - 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IGT40R070D1ATMA1

IGT40R070D1ATMA1

GAN HV

Infineon Technologies

2,653 -
RFQ
IGT40R070D1ATMA1

데이터시트

CoolGaN™ 8-PowerSFN Bulk Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 400 V 31A (Tc) - - 1.6V @ 2.6mA - -10V 382 pF @ 320 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-3
IGOT60R070D1E8220AUMA1

IGOT60R070D1E8220AUMA1

GAN HV

Infineon Technologies

9,087 -
RFQ

-

CoolGaN™ 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) Bulk Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 31A (Tc) - - 1.6V @ 2.6mA - -10V 380 pF @ 400 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-20-87
IGT60R070D1E8220ATMA1

IGT60R070D1E8220ATMA1

GAN HV

Infineon Technologies

3,479 -
RFQ

-

CoolGaN™ 8-PowerSFN Bulk Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 31A (Tc) - - 1.6V @ 2.6mA - -10V 380 pF @ 400 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-3
IGO60R070D1E8220AUMA1

IGO60R070D1E8220AUMA1

GAN HV

Infineon Technologies

4,134 -
RFQ

-

CoolGaN™ 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) Bulk Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 31A (Tc) - - 1.6V @ 2.6mA - -10V 380 pF @ 400 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-20-85
PHM2230DLS/1X

PHM2230DLS/1X

MOSFET

Nexperia USA Inc.

8,234 -
RFQ

-

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
PSMN0R7-25YLD/1X

PSMN0R7-25YLD/1X

MOSFET

Nexperia USA Inc.

2,768 -
RFQ
PSMN0R7-25YLD/1X

데이터시트

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
PSMN3R0-30YLD/1X

PSMN3R0-30YLD/1X

MOSFET

Nexperia USA Inc.

3,140 -
RFQ
PSMN3R0-30YLD/1X

데이터시트

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
BUK9Y7R6-40E/DMANX

BUK9Y7R6-40E/DMANX

MOSFET

Nexperia USA Inc.

5,397 -
RFQ
BUK9Y7R6-40E/DMANX

데이터시트

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
PHM2230DLSX

PHM2230DLSX

MOSFET

Nexperia USA Inc.

7,564 -
RFQ

-

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
PSMN1R0-25YLD/1X

PSMN1R0-25YLD/1X

MOSFET

Nexperia USA Inc.

3,631 -
RFQ
PSMN1R0-25YLD/1X

데이터시트

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
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