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0755-82798135FET, MOSFET
| 제조업체 | 시리즈 | 패키지/케이스 | 패키징 | 제품 상태 | FET 유형 | 기술 | 드레인-소스 전압(Vdss) | 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) | Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs | Vgs(th) (최대) @ Id | 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs | Vgs (최대) | 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds | FET 기능 | 전력 소모(최대) | 작동 온도 | 등급 | 자격 | 장착 유형 | 공급자 장치 패키지 |
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모두 초기화
모두 적용
결과
FET 및 MOSFET
TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.
당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.
다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.
| 사진 | 제조사 부품 번호 | 재고 상태 | 가격 | 수량 | 데이터시트 | 시리즈 | 패키지/케이스 | 패키징 | 제품 상태 | FET 유형 | 기술 | 드레인-소스 전압(Vdss) | 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) | Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs | Vgs(th) (최대) @ Id | 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs | Vgs (최대) | 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds | FET 기능 | 전력 소모(최대) | 작동 온도 | 등급 | 자격 | 장착 유형 | 공급자 장치 패키지 |
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MCP04N80-BPMOSFET N-CH |
3,209 | - |
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데이터시트 |
- | TO-220-3 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 4A | 10V | 1.2Ohm @ 2A, 10V | 4.5V @ 250µA | 13 nC @ 10 V | ±30V | 598 pF @ 50 V | - | 63W | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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MCU40P04-TPMOSFET P-CH |
2,723 | - |
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데이터시트 |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 40A | 10V | 14mOhm @ 12A, 10V | 3V @ 250µA | 72 nC @ 10 V | ±20V | 2960 pF @ 20 V | - | 1.25W | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
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LSIC1MO120G0120MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L |
9,987 | - |
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데이터시트 |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 27A (Tc) | 20V | 150mOhm @ 14A, 20V | 4V @ 7mA | 63 nC @ 20 V | +22V, -6V | 1130 pF @ 800 V | - | 156W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4L |
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LSIC1MO120G0080MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L |
7,766 | - |
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데이터시트 |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 39A (Tc) | 20V | 100mOhm @ 20A, 20V | 4V @ 10mA | 92 nC @ 20 V | +22V, -6V | 170 pF @ 800 V | - | 214W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4L |
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LSIC1MO120G0160MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L |
6,871 | - |
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데이터시트 |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 22A (Tc) | 20V | 200mOhm @ 10A, 20V | 4V @ 5mA | 50 nC @ 20 V | +22V, -6V | 890 pF @ 800 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4L |
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AUXNSF2804STRL7PMOSFET N-CH |
9,055 | - |
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- |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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TK430A60F,S4X(SMOSFET N-CH |
6,663 | - |
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데이터시트 |
U-MOSIX | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 13A (Ta) | 10V | 430mOhm @ 6.5A, 10V | 4V @ 1.75mA | 48 nC @ 10 V | ±30V | 1940 pF @ 300 V | - | 45W (Tc) | 150°C | - | - | Through Hole | TO-220SIS |
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TK370A60F,S4X(SMOSFET N-CH |
4,152 | - |
|
데이터시트 |
U-MOSIX | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 15A (Ta) | 10V | 370mOhm @ 7.5A, 10V | 4V @ 2.04mA | 55 nC @ 10 V | ±30V | 2200 pF @ 300 V | - | 45W (Tc) | 150°C | - | - | Through Hole | TO-220SIS |
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FQD9N25TM-SBEK002MOSFET N-CH 250V 7.4A TO252AA |
6,769 | - |
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- |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 7.4A (Tc) | 10V | 420mOhm @ 3.7A, 10V | 5V @ 250µA | 20 nC @ 10 V | ±30V | 700 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 55W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA |
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FDP13AN06A0-SW82126MOSFET N-CH 60V TO220-3 |
3,392 | - |
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- |
- | TO-220-3 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 10.9A (Ta), 62A (Tc) | 6V, 10V | 13.5mOhm @ 62A, 10V | 4V @ 250µA | 29 nC @ 10 V | ±20V | 1350 pF @ 25 V | - | 115W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
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IGT40R070D1ATMA1GAN HV |
2,653 | - |
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데이터시트 |
CoolGaN™ | 8-PowerSFN | Bulk | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 400 V | 31A (Tc) | - | - | 1.6V @ 2.6mA | - | -10V | 382 pF @ 320 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HSOF-8-3 |
|
IGOT60R070D1E8220AUMA1GAN HV |
9,087 | - |
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- |
CoolGaN™ | 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) | Bulk | Obsolete | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 600 V | 31A (Tc) | - | - | 1.6V @ 2.6mA | - | -10V | 380 pF @ 400 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-DSO-20-87 |
|
IGT60R070D1E8220ATMA1GAN HV |
3,479 | - |
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- |
CoolGaN™ | 8-PowerSFN | Bulk | Obsolete | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 600 V | 31A (Tc) | - | - | 1.6V @ 2.6mA | - | -10V | 380 pF @ 400 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HSOF-8-3 |
|
IGO60R070D1E8220AUMA1GAN HV |
4,134 | - |
|
- |
CoolGaN™ | 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) | Bulk | Obsolete | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 600 V | 31A (Tc) | - | - | 1.6V @ 2.6mA | - | -10V | 380 pF @ 400 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-DSO-20-85 |
|
PHM2230DLS/1XMOSFET |
8,234 | - |
|
- |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
PSMN0R7-25YLD/1XMOSFET |
2,768 | - |
|
데이터시트 |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
PSMN3R0-30YLD/1XMOSFET |
3,140 | - |
|
데이터시트 |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
BUK9Y7R6-40E/DMANXMOSFET |
5,397 | - |
|
데이터시트 |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
PHM2230DLSXMOSFET |
7,564 | - |
|
- |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
PSMN1R0-25YLD/1XMOSFET |
3,631 | - |
|
데이터시트 |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |

