FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
2N6661JAN02

2N6661JAN02

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

Vishay Siliconix

7,635 -
RFQ
2N6661JAN02

데이터시트

- TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90 V 860mA (Tc) 5V, 10V 4Ohm @ 1A, 10V 2V @ 1mA - ±20V 50 pF @ 25 V - 725mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-39
2N6661JTXL02

2N6661JTXL02

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

Vishay Siliconix

6,235 -
RFQ
2N6661JTXL02

데이터시트

- TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90 V 860mA (Tc) 5V, 10V 4Ohm @ 1A, 10V 2V @ 1mA - ±20V 50 pF @ 25 V - 725mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-39
2N6661JTXV02

2N6661JTXV02

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

Vishay Siliconix

6,269 -
RFQ
2N6661JTXV02

데이터시트

- TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90 V 860mA (Tc) 5V, 10V 4Ohm @ 1A, 10V 2V @ 1mA - ±20V 50 pF @ 25 V - 725mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-39
IRFD113

IRFD113

MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP

Vishay Siliconix

2,644 -
RFQ
IRFD113

데이터시트

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 800mA (Tc) 10V 800mOhm @ 800mA, 10V 4V @ 250µA 7 nC @ 10 V ±20V 200 pF @ 25 V - 1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 4-HVMDIP
IRFD213

IRFD213

MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP

Vishay Siliconix

8,412 -
RFQ

-

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 450mA (Ta) - 2Ohm @ 270mA, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V - 140 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 4-HVMDIP
IRFD9123

IRFD9123

MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP

Vishay Siliconix

8,128 -
RFQ

-

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 1A (Ta) - 600mOhm @ 600mA, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V - 390 pF @ 25 V - - - - - Through Hole 4-HVMDIP
IRFP27N60K

IRFP27N60K

MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3

Vishay Siliconix

5,406 -
RFQ

-

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 27A (Tc) 10V 220mOhm @ 16A, 10V 5V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±30V 4660 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
SI4196DY-T1-GE3

SI4196DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 8A 8SO

Vishay Siliconix

8,644 -
RFQ
SI4196DY-T1-GE3

데이터시트

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 8A (Tc) 1.8V, 4.5V 27mOhm @ 8A, 4.5V 1V @ 250µA 22 nC @ 8 V ±8V 830 pF @ 10 V - 2W (Ta), 4.6W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
SI4752DY-T1-GE3

SI4752DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 25A 8SO

Vishay Siliconix

9,002 -
RFQ
SI4752DY-T1-GE3

데이터시트

SkyFET®, TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 25A (Tc) 4.5V, 10V 5.5mOhm @ 10A, 10V 2.2V @ 1mA 43 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 15 V Schottky Diode (Body) 3W (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
SI8469DB-T2-E1

SI8469DB-T2-E1

MOSFET P-CH 8V 4.6A 4MICROFOOT

Vishay Siliconix

9,082 -
RFQ
SI8469DB-T2-E1

데이터시트

TrenchFET® 4-UFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8 V 4.6A (Ta) 4.5V 64mOhm @ 1.5A, 4.5V 800mV @ 250µA 17 nC @ 4.5 V ±5V 900 pF @ 4 V - 780mW (Ta), 1.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-Microfoot
SI8805EDB-T2-E1

SI8805EDB-T2-E1

MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT

Vishay Siliconix

8,402 -
RFQ
SI8805EDB-T2-E1

데이터시트

TrenchFET® 4-XFBGA, CSPBGA Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8 V 2.2A (Ta) 1.2V, 4.5V 68mOhm @ 1.5A, 4.5V 700mV @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±5V - - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-Microfoot
SI8809EDB-T2-E1

SI8809EDB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT

Vishay Siliconix

4,764 -
RFQ
SI8809EDB-T2-E1

데이터시트

TrenchFET® 4-XFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 1.94 (Ta) 1.8V, 4.5V 90mOhm @ 1.5A, 4.5V 900mV @ 250µA 15 nC @ 8 V ±8V - - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-Microfoot
SIB404DK-T1-GE3

SIB404DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 9A PPAK SC75-6

Vishay Siliconix

4,617 -
RFQ
SIB404DK-T1-GE3

데이터시트

TrenchFET® PowerPAK® SC-75-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 9A (Tc) 4.5V 19mOhm @ 3A, 4.5V 800mV @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±5V - - 2.5W (Ta), 13W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
SIB437EDKT-T1-GE3

SIB437EDKT-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 9A PPAK TSC75-6

Vishay Siliconix

6,792 -
RFQ
SIB437EDKT-T1-GE3

데이터시트

TrenchFET® PowerPAK® TSC-75-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8 V 9A (Tc) 1.2V, 4.5V 34mOhm @ 3A, 4.5V 700mV @ 250µA 16 nC @ 4.5 V ±5V - - 2.4W (Ta), 13W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® TSC75-6
SIR814DP-T1-GE3

SIR814DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

2,110 -
RFQ
SIR814DP-T1-GE3

데이터시트

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 2.1mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 20 V - 6.25W (Ta), 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
SIS776DN-T1-GE3

SIS776DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8

Vishay Siliconix

4,175 -
RFQ
SIS776DN-T1-GE3

데이터시트

SkyFET®, TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Tc) 4.5V, 10V 6.2mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±20V 1360 pF @ 15 V Schottky Diode (Body) 3.8W (Ta), 52W (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
SQM120N03-1M5L_GE3

SQM120N03-1M5L_GE3

MOSFET N-CH 30V 120A TO263

Vishay Siliconix

4,546 -
RFQ
SQM120N03-1M5L_GE3

데이터시트

TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 1.5mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 270 nC @ 10 V ±20V 15605 pF @ 15 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263
SQM50N04-4M1_GE3

SQM50N04-4M1_GE3

MOSFET N-CH 40V 50A TO263

Vishay Siliconix

8,206 -
RFQ
SQM50N04-4M1_GE3

데이터시트

TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Tc) 10V 4.1mOhm @ 30A, 10V 3.5V @ 250µA 105 nC @ 10 V ±20V 6715 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
AUIRFP4409

AUIRFP4409

MOSFET N-CH 300V 38A TO247AC

Infineon Technologies

9,392 -
RFQ
AUIRFP4409

데이터시트

HEXFET® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 38A (Tc) 10V 69mOhm @ 24A, 10V 5V @ 250µA 125 nC @ 10 V ±20V 5168 pF @ 50 V - 341W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
AUIRFSL8409

AUIRFSL8409

MOSFET N-CH 40V 195A TO262

Infineon Technologies

4,342 -
RFQ
AUIRFSL8409

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Short Leads, I2PAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 10V 1.2mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 450 nC @ 10 V ±20V 14240 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-262
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