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0755-82798135FET, MOSFET
FET 및 MOSFET
TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.
당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.
다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.
| 사진 | 제조사 부품 번호 | 재고 상태 | 가격 | 수량 | 데이터시트 | 시리즈 | 패키지/케이스 | 패키징 | 제품 상태 | FET 유형 | 기술 | 드레인-소스 전압(Vdss) | 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) | Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs | Vgs(th) (최대) @ Id | 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs | Vgs (최대) | 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds | FET 기능 | 전력 소모(최대) | 작동 온도 | 등급 | 자격 | 장착 유형 | 공급자 장치 패키지 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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2N6661JAN02MOSFET N-CH 90V 860MA TO39 |
7,635 | - |
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데이터시트 |
- | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 90 V | 860mA (Tc) | 5V, 10V | 4Ohm @ 1A, 10V | 2V @ 1mA | - | ±20V | 50 pF @ 25 V | - | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-39 |
|
2N6661JTXL02MOSFET N-CH 90V 860MA TO39 |
6,235 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 90 V | 860mA (Tc) | 5V, 10V | 4Ohm @ 1A, 10V | 2V @ 1mA | - | ±20V | 50 pF @ 25 V | - | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-39 |
|
2N6661JTXV02MOSFET N-CH 90V 860MA TO39 |
6,269 | - |
|
데이터시트 |
- | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 90 V | 860mA (Tc) | 5V, 10V | 4Ohm @ 1A, 10V | 2V @ 1mA | - | ±20V | 50 pF @ 25 V | - | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-39 |
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IRFD113MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP |
2,644 | - |
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데이터시트 |
- | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 800mA (Tc) | 10V | 800mOhm @ 800mA, 10V | 4V @ 250µA | 7 nC @ 10 V | ±20V | 200 pF @ 25 V | - | 1W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | 4-HVMDIP |
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IRFD213MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP |
8,412 | - |
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- |
- | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 450mA (Ta) | - | 2Ohm @ 270mA, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 nC @ 10 V | - | 140 pF @ 25 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | 4-HVMDIP |
|
IRFD9123MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP |
8,128 | - |
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- |
- | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 1A (Ta) | - | 600mOhm @ 600mA, 10V | 4V @ 250µA | 18 nC @ 10 V | - | 390 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | 4-HVMDIP |
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IRFP27N60KMOSFET N-CH 600V 27A TO247-3 |
5,406 | - |
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- |
- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 27A (Tc) | 10V | 220mOhm @ 16A, 10V | 5V @ 250µA | 180 nC @ 10 V | ±30V | 4660 pF @ 25 V | - | 500W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AC |
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SI4196DY-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 8A 8SO |
8,644 | - |
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데이터시트 |
TrenchFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 8A (Tc) | 1.8V, 4.5V | 27mOhm @ 8A, 4.5V | 1V @ 250µA | 22 nC @ 8 V | ±8V | 830 pF @ 10 V | - | 2W (Ta), 4.6W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
|
SI4752DY-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 25A 8SO |
9,002 | - |
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데이터시트 |
SkyFET®, TrenchFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 25A (Tc) | 4.5V, 10V | 5.5mOhm @ 10A, 10V | 2.2V @ 1mA | 43 nC @ 10 V | ±20V | 1700 pF @ 15 V | Schottky Diode (Body) | 3W (Ta), 6.25W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
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SI8469DB-T2-E1MOSFET P-CH 8V 4.6A 4MICROFOOT |
9,082 | - |
|
데이터시트 |
TrenchFET® | 4-UFBGA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 8 V | 4.6A (Ta) | 4.5V | 64mOhm @ 1.5A, 4.5V | 800mV @ 250µA | 17 nC @ 4.5 V | ±5V | 900 pF @ 4 V | - | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-Microfoot |
|
SI8805EDB-T2-E1MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT |
8,402 | - |
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데이터시트 |
TrenchFET® | 4-XFBGA, CSPBGA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 8 V | 2.2A (Ta) | 1.2V, 4.5V | 68mOhm @ 1.5A, 4.5V | 700mV @ 250µA | 10 nC @ 4.5 V | ±5V | - | - | 500mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-Microfoot |
|
SI8809EDB-T2-E1MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT |
4,764 | - |
|
데이터시트 |
TrenchFET® | 4-XFBGA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 1.94 (Ta) | 1.8V, 4.5V | 90mOhm @ 1.5A, 4.5V | 900mV @ 250µA | 15 nC @ 8 V | ±8V | - | - | 500mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-Microfoot |
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SIB404DK-T1-GE3MOSFET N-CH 12V 9A PPAK SC75-6 |
4,617 | - |
|
데이터시트 |
TrenchFET® | PowerPAK® SC-75-6 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 12 V | 9A (Tc) | 4.5V | 19mOhm @ 3A, 4.5V | 800mV @ 250µA | 15 nC @ 4.5 V | ±5V | - | - | 2.5W (Ta), 13W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® SC-75-6 |
|
SIB437EDKT-T1-GE3MOSFET P-CH 8V 9A PPAK TSC75-6 |
6,792 | - |
|
데이터시트 |
TrenchFET® | PowerPAK® TSC-75-6 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 8 V | 9A (Tc) | 1.2V, 4.5V | 34mOhm @ 3A, 4.5V | 700mV @ 250µA | 16 nC @ 4.5 V | ±5V | - | - | 2.4W (Ta), 13W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® TSC75-6 |
|
SIR814DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
2,110 | - |
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데이터시트 |
TrenchFET® | PowerPAK® SO-8 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 60A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.1mOhm @ 20A, 10V | 2.3V @ 250µA | 86 nC @ 10 V | ±20V | 3800 pF @ 20 V | - | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 |
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SIS776DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8 |
4,175 | - |
|
데이터시트 |
SkyFET®, TrenchFET® | PowerPAK® 1212-8 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 35A (Tc) | 4.5V, 10V | 6.2mOhm @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 36 nC @ 10 V | ±20V | 1360 pF @ 15 V | Schottky Diode (Body) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) | -50°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 |
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SQM120N03-1M5L_GE3MOSFET N-CH 30V 120A TO263 |
4,546 | - |
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데이터시트 |
TrenchFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 120A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.5mOhm @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 270 nC @ 10 V | ±20V | 15605 pF @ 15 V | - | 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 |
|
SQM50N04-4M1_GE3MOSFET N-CH 40V 50A TO263 |
8,206 | - |
|
데이터시트 |
TrenchFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 50A (Tc) | 10V | 4.1mOhm @ 30A, 10V | 3.5V @ 250µA | 105 nC @ 10 V | ±20V | 6715 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
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AUIRFP4409MOSFET N-CH 300V 38A TO247AC |
9,392 | - |
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데이터시트 |
HEXFET® | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 38A (Tc) | 10V | 69mOhm @ 24A, 10V | 5V @ 250µA | 125 nC @ 10 V | ±20V | 5168 pF @ 50 V | - | 341W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AC |
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AUIRFSL8409MOSFET N-CH 40V 195A TO262 |
4,342 | - |
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데이터시트 |
HEXFET® | TO-262-3 Short Leads, I2PAK | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 195A (Tc) | 10V | 1.2mOhm @ 100A, 10V | 3.9V @ 250µA | 450 nC @ 10 V | ±20V | 14240 pF @ 25 V | - | 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-262 |
