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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    IPU60R950C6BKMA1

    IPU60R950C6BKMA1

    MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251-3

    Infineon Technologies

    		 9,376 -
    RFQ
    		IPU60R950C6BKMA1

    데이터시트

         		CoolMOS™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4.4A (Tc) 10V 950mOhm @ 1.5A, 10V 3.5V @ 130µA 1.5 nC @ 10 V ±20V 280 pF @ 100 V - 37W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
    FDM15-06KC5

    FDM15-06KC5

    MOSFET N-CH 600V 15A I4PAC

    IXYS

    		 3,188 -
    RFQ
    		FDM15-06KC5

    데이터시트

         		CoolMOS™ ISOPLUSi5-PAK™ Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Tc) 10V 165mOhm @ 12A, 10V 3.5V @ 790µA 52 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 100 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
    FDM47-06KC5

    FDM47-06KC5

    MOSFET N-CH 600V 47A I4PAC

    IXYS

    		 9,813 -
    RFQ
    		FDM47-06KC5

    데이터시트

         		CoolMOS™, HiPerDyn™ ISOPLUSi5-PAK™ Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 45mOhm @ 44A, 10V 3.5V @ 3mA 190 nC @ 10 V ±20V 6800 pF @ 100 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
    TK20C60W,S1VQ

    TK20C60W,S1VQ

    MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 5,501 -
    RFQ

    -

    		 DTMOSIV TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Ta) 10V 155mOhm @ 10A, 10V 3.7V @ 1mA 48 nC @ 10 V ±30V 1680 pF @ 300 V - 165W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
    FM6K62010L

    FM6K62010L

    MOSFET N-CH 20V 2A WSMINI6

    Panasonic Electronic Components

    		 4,068 -
    RFQ
    		FM6K62010L

    데이터시트

         		- 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2A (Ta) 2.5V, 4V 105mOhm @ 1A, 4V 1.3V @ 1mA - ±10V 280 pF @ 10 V Schottky Diode (Isolated) 700mW (Ta) 125°C (TJ) - - Surface Mount WSMini6-F1-B
    FM6L52020L

    FM6L52020L

    MOSFET N-CH 20V 2.2A WSSMINI6-F1

    Panasonic Electronic Components

    		 9,837 -
    RFQ
    		FM6L52020L

    데이터시트

         		- 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.2A (Ta) 2.5V, 4V 105mOhm @ 1A, 4V 1.3V @ 1mA - ±10V 280 pF @ 10 V - 540mW (Ta) 125°C (TJ) - - Surface Mount WSSMini6-F1
    MTM131270BBF

    MTM131270BBF

    MOSFET P-CH 20V 2A MINI3-G3-B

    Panasonic Electronic Components

    		 2,981 -
    RFQ

    -

    		 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2A (Ta) 1.8 V, 4V 130mOhm @ 1A, 4V 1.1V @ 1mA - ±10V 300 pF @ 10 V - 700mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount MINI3-G3-B
    STULED656

    STULED656

    MOSFET N-CH 650V 6A IPAK

    STMicroelectronics

    		 7,394 -
    RFQ
    		STULED656

    데이터시트

         		- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 6A (Tc) 10V 1.3Ohm @ 2.7A, 10V 4.5V @ 50µA 34 nC @ 10 V ±30V 895 pF @ 100 V - 70W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251 (IPAK)
    2N6764T1

    2N6764T1

    MOSFET N-CH 100V 38A TO3

    Microsemi Corporation

    		 2,026 -
    RFQ
    		2N6764T1

    데이터시트

         		- TO-204AE Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 38A (Tc) 10V 65mOhm @ 38A, 10V 4V @ 250µA 125 nC @ 10 V ±20V - - 4W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3
    2N6768T1

    2N6768T1

    MOSFET N-CH 400V 14A TO254AA

    Microsemi Corporation

    		 9,950 -
    RFQ
    		2N6768T1

    데이터시트

         		- TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 14A (Tc) 10V 400mOhm @ 14A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V - - 4W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-254AA
    2N6770T1

    2N6770T1

    MOSFET N-CH 500V 12A TO254AA

    Microsemi Corporation

    		 9,671 -
    RFQ
    		2N6770T1

    데이터시트

         		- TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 12A (Tc) 10V 500mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V - - 4W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-254AA
    APT100MC120JCU2

    APT100MC120JCU2

    SICFET N-CH 1200V 143A SOT227

    Microchip Technology

    		 8,508 -
    RFQ
    		APT100MC120JCU2

    데이터시트

         		- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Last Time Buy N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 143A (Tc) 20V 17mOhm @ 100A, 20V 2.3V @ 2mA 360 nC @ 20 V +25V, -10V 5960 pF @ 1000 V - 600W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227
    IRFP460BPBF

    IRFP460BPBF

    MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC

    Vishay Siliconix

    		 3,528 -
    RFQ
    		IRFP460BPBF

    데이터시트

         		- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 20A (Tc) 10V 250mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V 3094 pF @ 100 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    SIB410DK-T1-GE3

    SIB410DK-T1-GE3

    MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SC75-6

    Vishay Siliconix

    		 6,115 -
    RFQ
    		SIB410DK-T1-GE3

    데이터시트

         		TrenchFET® PowerPAK® SC-75-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9A (Tc) 1.8V, 4.5V 42mOhm @ 3.8A, 4.5V 1V @ 250µA 15 nC @ 8 V ±8V 560 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 13W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
    IPB65R045C7ATMA1

    IPB65R045C7ATMA1

    MOSFET N-CH 650V 46A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 9,993 -
    RFQ
    		IPB65R045C7ATMA1

    데이터시트

         		CoolMOS™ C7 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 46A (Tc) 10V 45mOhm @ 24.9A, 10V 4V @ 1.25mA 93 nC @ 10 V ±20V 4340 pF @ 400 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    IPB65R225C7ATMA1

    IPB65R225C7ATMA1

    MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 5,619 -
    RFQ
    		IPB65R225C7ATMA1

    데이터시트

         		CoolMOS™ C7 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 225mOhm @ 4.8A, 10V 4V @ 240µA 20 nC @ 10 V ±20V 996 pF @ 400 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    IRFS7434-7PPBF

    IRFS7434-7PPBF

    MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 4,115 -
    RFQ
    		IRFS7434-7PPBF

    데이터시트

         		HEXFET®, StrongIRFET™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 240A (Tc) 6V, 10V 1mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 315 nC @ 10 V ±20V 10250 pF @ 25 V - 245W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
    IRFR7446PBF

    IRFR7446PBF

    MOSFET N-CH 40V 56A TO252

    Infineon Technologies

    		 9,720 -
    RFQ
    		IRFR7446PBF

    데이터시트

         		HEXFET®, StrongIRFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 56A (Tc) 6V, 10V 3.9mOhm @ 56A, 10V 3.9V @ 100µA 130 nC @ 10 V ±20V 3150 pF @ 25 V - 98W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    PSMN3R9-60XSQ

    PSMN3R9-60XSQ

    MOSFET N-CH 60V 75A TO220F

    NXP USA Inc.

    		 2,255 -
    RFQ
    		PSMN3R9-60XSQ

    데이터시트

         		- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 75A (Tc) 10V 4mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 103 nC @ 10 V ±20V 5494 pF @ 25 V - 55W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
    UPA2600T1R-E2-AX

    UPA2600T1R-E2-AX

    MOSFET N-CH 20V 7A 6HUSON

    Renesas Electronics Corporation

    		 4,118 -
    RFQ
    		UPA2600T1R-E2-AX

    데이터시트

         		- 6-WFDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 7A (Ta) 2.5V, 4.5V 19.1mOhm @ 3.5A, 2.5V - 7.9 nC @ 10 V ±12V 870 pF @ 10 V - 2.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-HUSON (2x2)
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