FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
AUIRFSL8405

AUIRFSL8405

MOSFET N-CH 40V 120A TO262

Infineon Technologies

9,560 -
RFQ
AUIRFSL8405

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 100µA 161 nC @ 10 V ±20V 5193 pF @ 25 V - 163W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
AUIRFU8403

AUIRFU8403

MOSFET N-CH 40V 100A IPAK

Infineon Technologies

2,184 -
RFQ
AUIRFU8403

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 3.1mOhm @ 76A, 10V 3.9V @ 100µA 99 nC @ 10 V ±20V 3171 pF @ 25 V - 99W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
AUIRFS8403

AUIRFS8403

MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK

Infineon Technologies

4,240 -
RFQ
AUIRFS8403

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 123A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 70A, 10V 3.9V @ 100µA 93 nC @ 10 V ±20V 3183 pF @ 25 V - 99W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
AUIRFSL8403

AUIRFSL8403

MOSFET N-CH 40V 123A TO262

Infineon Technologies

4,648 -
RFQ
AUIRFSL8403

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 123A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 70A, 10V 3.9V @ 100µA 93 nC @ 10 V ±20V 3183 pF @ 25 V - 99W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
AUIRFS8405

AUIRFS8405

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

Infineon Technologies

8,521 -
RFQ
AUIRFS8405

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 100µA 161 nC @ 10 V ±20V 5193 pF @ 25 V - 163W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
AUIRFS8407

AUIRFS8407

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

Infineon Technologies

2,661 -
RFQ
AUIRFS8407

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 10V 1.8mOhm @ 100A, 10V 4V @ 150µA 225 nC @ 10 V ±20V 7330 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
AUIRFS8408

AUIRFS8408

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

Infineon Technologies

9,745 -
RFQ
AUIRFS8408

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 324 nC @ 10 V ±20V 10820 pF @ 25 V - 294W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
AUIRFS8408-7P

AUIRFS8408-7P

MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK

Infineon Technologies

6,741 -
RFQ
AUIRFS8408-7P

데이터시트

HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 240A (Tc) 10V 1mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 315 nC @ 10 V ±20V 10250 pF @ 25 V - 294W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-900
AUIRFS8409

AUIRFS8409

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

Infineon Technologies

2,470 -
RFQ
AUIRFS8409

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 10V 1.2mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 450 nC @ 10 V ±20V 14240 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
AUIRFR8401

AUIRFR8401

MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

Infineon Technologies

6,127 -
RFQ
AUIRFR8401

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 4.25mOhm @ 60A, 10V 3.9V @ 50µA 63 nC @ 10 V ±20V 2200 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
AUIRFU8405

AUIRFU8405

MOSFET N-CH 40V 100A IPAK

Infineon Technologies

5,228 -
RFQ
AUIRFU8405

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 1.98mOhm @ 90A, 10V 3.9V @ 100µA 155 nC @ 10 V ±20V 5171 pF @ 25 V - 163W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
AUIRFU8401

AUIRFU8401

MOSFET N-CH 40V 100A IPAK

Infineon Technologies

5,759 -
RFQ
AUIRFU8401

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 4.25mOhm @ 60A, 10V 3.9V @ 500µA 63 nC @ 10 V ±20V 2200 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
SK8603180L

SK8603180L

MOSFET N-CH 30V 15A/39A 8HSO

Panasonic Electronic Components

3,110 -
RFQ

-

- 8-PowerSMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 15A (Ta), 39A (Tc) 4.5V, 10V 7.1mOhm @ 10A, 10V 3V @ 1.45mA 9.2 nC @ 4.5 V ±20V 1680 pF @ 10 V - 2.4W (Ta), 19W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount HSO8-F4-B
SK8603190L

SK8603190L

MOSFET N-CH 30V 12A/19A 8HSO

Panasonic Electronic Components

4,273 -
RFQ

-

- 8-PowerSMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12A (Ta), 19A (Tc) 4.5V, 10V 10mOhm @ 8A, 10V 3V @ 1.01mA 6.3 nC @ 4.5 V ±20V 1092 pF @ 10 V - 2.7W (Ta), 19W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount HSO8-F4-B
SCT2120AFC

SCT2120AFC

SICFET N-CH 650V 29A TO220AB

Rohm Semiconductor

2,037 -
RFQ
SCT2120AFC

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 29A (Tc) 18V 156mOhm @ 10A, 18V 4V @ 3.3mA 61 nC @ 18 V +22V, -6V 1200 pF @ 500 V - 165W (Tc) 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFH4213TRPBF

IRFH4213TRPBF

MOSFET N-CH 25V 41A PQFN

Infineon Technologies

3,365 -
RFQ
IRFH4213TRPBF

데이터시트

HEXFET® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 41A (Ta) 4.5V, 10V 1.35mOhm @ 50A, 10V 2.1V @ 100µA 54 nC @ 10 V ±20V 3420 pF @ 13 V - 3.6W (Ta), 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PQFN (5x6)
IRFHM4226TRPBF

IRFHM4226TRPBF

MOSFET N CH 25V 28A PQFN

Infineon Technologies

8,716 -
RFQ
IRFHM4226TRPBF

데이터시트

HEXFET® 8-TQFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 28A (Ta) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 30A, 10V 2.1V @ 50µA 32 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 13 V - 2.7W (Ta), 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount -
TK8A10K3,S5Q

TK8A10K3,S5Q

MOSFET N-CH 100V 8A TO220SIS

Toshiba Semiconductor and Storage

7,485 -
RFQ
TK8A10K3,S5Q

데이터시트

U-MOSIV TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 8A (Ta) 10V 120mOhm @ 4A, 10V 4V @ 1mA 12.9 nC @ 10 V ±20V 530 pF @ 10 V - 18W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
HUF76629D3ST-F085

HUF76629D3ST-F085

MOSFET N-CH 100V 20A TO252

onsemi

9,278 -
RFQ
HUF76629D3ST-F085

데이터시트

UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 52mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±16V 1280 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
HUF76419S3ST-F085

HUF76419S3ST-F085

MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

onsemi

5,935 -
RFQ

-

PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 29A (Tc) 10V 35mOhm @ 29A, 10V 3V @ 250µA 28.5 nC @ 10 V ±16V 870 pF @ 25 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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