FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
RJL5012DPE-00#J3

RJL5012DPE-00#J3

MOSFET N-CH 500V 12A 4LDPAK

Renesas Electronics Corporation

7,665 -
RFQ
RJL5012DPE-00#J3

데이터시트

- SC-83 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 12A (Ta) 10V 700mOhm @ 6A, 10V - 27.8 nC @ 10 V ±30V 1050 pF @ 25 V - 100W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LDPAK
RJL5012DPP-M0#T2

RJL5012DPP-M0#T2

MOSFET N-CH 500V 12A TO220FL

Renesas Electronics Corporation

8,365 -
RFQ
RJL5012DPP-M0#T2

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 12A (Ta) 10V 700mOhm @ 6A, 10V - 27.8 nC @ 10 V ±30V 1050 pF @ 25 V - 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FL
RJL5014DPK-00#T0

RJL5014DPK-00#T0

MOSFET N-CH 500V 19A TO3P

Renesas Electronics Corporation

8,827 -
RFQ
RJL5014DPK-00#T0

데이터시트

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 19A (Ta) 10V 400mOhm @ 9.5A, 10V - 43 nC @ 10 V ±30V 1700 pF @ 25 V - 150W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
RJL5020DPK-00#T0

RJL5020DPK-00#T0

MOSFET N-CH 500V 38A TO3P

Renesas Electronics Corporation

9,043 -
RFQ
RJL5020DPK-00#T0

데이터시트

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 38A (Ta) 10V 135mOhm @ 19A, 10V - 140 nC @ 10 V ±30V 4750 pF @ 25 V - 200W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
RJL6012DPE-00#J3

RJL6012DPE-00#J3

MOSFET N-CH 600V 10A 4LDPAK

Renesas Electronics Corporation

8,732 -
RFQ

-

- SC-83 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Ta) 10V 1.1Ohm @ 5A, 10V - 28 nC @ 10 V ±30V 1050 pF @ 25 V - 100W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LDPAK
RJL6018DPK-00#T0

RJL6018DPK-00#T0

MOSFET N-CH 600V 27A TO3P

Renesas Electronics Corporation

6,534 -
RFQ

-

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 27A (Ta) 10V 265mOhm @ 13.5A, 10V - 98 nC @ 10 V ±30V 3830 pF @ 25 V - 200W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
RJL6020DPK-00#T0

RJL6020DPK-00#T0

MOSFET N-CH 600V 30A TO3P

Renesas Electronics Corporation

4,473 -
RFQ
RJL6020DPK-00#T0

데이터시트

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Ta) 10V 210mOhm @ 15A, 10V - 130 nC @ 10 V ±30V 4750 pF @ 25 V - 200W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
UPA2735GR-E1-AT

UPA2735GR-E1-AT

MOSFET P-CH 30V 16A 8SOP

Renesas Electronics Corporation

8,763 -
RFQ
UPA2735GR-E1-AT

데이터시트

- 8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 16A (Ta) 4.5V, 10V 5mOhm @ 16A, 10V - 195 nC @ 10 V ±20V 6250 pF @ 10 V - 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
UPA2736GR-E1-AT

UPA2736GR-E1-AT

MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP

Renesas Electronics Corporation

4,396 -
RFQ
UPA2736GR-E1-AT

데이터시트

- 8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta) 4.5V, 10V 7mOhm @ 14A, 10V - 80 nC @ 10 V ±20V 3400 pF @ 10 V - 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
UPA2737GR-E1-AT

UPA2737GR-E1-AT

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP

Renesas Electronics Corporation

9,694 -
RFQ
UPA2737GR-E1-AT

데이터시트

- 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 13mOhm @ 11A, 10V - 45 nC @ 10 V ±20V 1750 pF @ 10 V - 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
UPA2738GR-E1-AT

UPA2738GR-E1-AT

MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP

Renesas Electronics Corporation

9,283 -
RFQ
UPA2738GR-E1-AT

데이터시트

- 8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Ta) 4.5V, 10V 15mOhm @ 10A, 10V - 37 nC @ 10 V ±20V 1450 pF @ 10 V - 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
UPA2812T1L-E2-AT

UPA2812T1L-E2-AT

MOSFET P-CH 30V 30A 8HWSON

Renesas Electronics Corporation

7,333 -
RFQ
UPA2812T1L-E2-AT

데이터시트

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 4.8mOhm @ 30A, 10V - 100 nC @ 10 V ±20V 3740 pF @ 10 V - 1.5W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
UPA2813T1L-E2-AT

UPA2813T1L-E2-AT

MOSFET P-CH 30V 27A 8HWSON

Renesas Electronics Corporation

6,815 -
RFQ
UPA2813T1L-E2-AT

데이터시트

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 27A (Tc) 4.5V, 10V 6.2mOhm @ 27A, 10V - 80 nC @ 10 V ±20V 3130 pF @ 10 V - 1.5W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
UPA2821T1L-E1-AT

UPA2821T1L-E1-AT

MOSFET N-CH 30V 26A 8HWSON

Renesas Electronics Corporation

2,075 -
RFQ
UPA2821T1L-E1-AT

데이터시트

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 26A (Tc) 4.5V, 10V 3.8mOhm @ 26A, 10V - 51 nC @ 10 V ±20V 2490 pF @ 10 V - 1.5W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
UPA2822T1L-E1-AT

UPA2822T1L-E1-AT

MOSFET N-CH 30V 34A 8HWSON

Renesas Electronics Corporation

3,934 -
RFQ
UPA2822T1L-E1-AT

데이터시트

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 34A (Tc) 4.5V, 10V 2.6mOhm @ 34A, 10V - 83 nC @ 10 V ±20V 4660 pF @ 10 V - 1.5W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
DMG4N65CTI

DMG4N65CTI

MOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB

Diodes Incorporated

3,443 -
RFQ
DMG4N65CTI

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 4A (Tc) 10V 3Ohm @ 2A, 10V 5V @ 250µA 13.5 nC @ 10 V ±30V 900 pF @ 25 V - 8.35W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220AB
SIA439EDJ-T1-GE3

SIA439EDJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 28A PPAK SC70-6

Vishay Siliconix

3,415 -
RFQ
SIA439EDJ-T1-GE3

데이터시트

TrenchFET® PowerPAK® SC-70-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 28A (Tc) 1.8V, 4.5V 16.5mOhm @ 5A, 4.5V 1V @ 250µA 69 nC @ 8 V ±8V 2410 pF @ 10 V - 3.5W (Ta), 19W (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
EPC2018

EPC2018

GANFET N-CH 150V 12A DIE

EPC

4,747 -
RFQ
EPC2018

데이터시트

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 150 V 12A (Ta) 5V 25mOhm @ 6A, 5V 2.5V @ 3mA 7.5 nC @ 5 V +6V, -5V 540 pF @ 100 V - - -40°C ~ 125°C (TJ) - - Surface Mount Die
AUIRFS8408-7TRR

AUIRFS8408-7TRR

MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK

Infineon Technologies

3,489 -
RFQ
AUIRFS8408-7TRR

데이터시트

HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 240A (Tc) 10V 1mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 315 nC @ 10 V ±20V 10250 pF @ 25 V - 294W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-900
AUIRFS8405TRL

AUIRFS8405TRL

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

Infineon Technologies

9,205 -
RFQ
AUIRFS8405TRL

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 100µA 161 nC @ 10 V ±20V 5193 pF @ 25 V - 163W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
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