FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRFS4615PBF

IRFS4615PBF

MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK

Infineon Technologies

4,844 -
RFQ
IRFS4615PBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 33A (Tc) 10V 42mOhm @ 21A, 10V 5V @ 100µA 40 nC @ 10 V ±20V 1750 pF @ 50 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFS5615PBF

IRFS5615PBF

MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK

Infineon Technologies

4,903 -
RFQ
IRFS5615PBF

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 33A (Tc) 10V 42mOhm @ 21A, 10V 5V @ 100µA 40 nC @ 10 V ±20V 1750 pF @ 50 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRLR3636PBF

IRLR3636PBF

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

Infineon Technologies

7,986 -
RFQ
IRLR3636PBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 6.8mOhm @ 50A, 10V 2.5V @ 100µA 49 nC @ 4.5 V ±16V 3779 pF @ 50 V - 143W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRLS3034-7PPBF

IRLS3034-7PPBF

MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK

Infineon Technologies

7,219 -
RFQ
IRLS3034-7PPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 240A (Tc) 4.5V, 10V 1.4mOhm @ 200A, 10V 2.5V @ 250µA 180 nC @ 4.5 V ±20V 10990 pF @ 40 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
IRLS3034PBF

IRLS3034PBF

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

Infineon Technologies

2,137 -
RFQ
IRLS3034PBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 4.5V, 10V 1.7mOhm @ 195A, 10V 2.5V @ 250µA 162 nC @ 4.5 V ±20V 10315 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRLS3036PBF

IRLS3036PBF

MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK

Infineon Technologies

3,027 -
RFQ
IRLS3036PBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 195A (Tc) 4.5V, 10V 2.4mOhm @ 165A, 10V 2.5V @ 250µA 140 nC @ 4.5 V ±16V 11210 pF @ 50 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRLS4030-7PPBF

IRLS4030-7PPBF

MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK

Infineon Technologies

6,728 -
RFQ
IRLS4030-7PPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 190A (Tc) 4.5V, 10V 3.9mOhm @ 110A, 10V 2.5V @ 250µA 140 nC @ 4.5 V ±16V 11490 pF @ 50 V - 370W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
IRLS4030PBF

IRLS4030PBF

MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK

Infineon Technologies

6,558 -
RFQ
IRLS4030PBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 4.5V, 10V 4.3mOhm @ 110A, 10V 2.5V @ 250µA 130 nC @ 4.5 V ±16V 11360 pF @ 50 V - 370W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF1324LPBF

IRF1324LPBF

MOSFET N-CH 24V 195A TO262

Infineon Technologies

2,609 -
RFQ
IRF1324LPBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 195A (Tc) 10V 1.65mOhm @ 195A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 7590 pF @ 24 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRF1324STRLPBF

IRF1324STRLPBF

MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK

Infineon Technologies

7,368 -
RFQ
IRF1324STRLPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 195A (Tc) 10V 1.65mOhm @ 195A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 7590 pF @ 24 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFB3307ZGPBF

IRFB3307ZGPBF

MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB

Infineon Technologies

3,015 -
RFQ
IRFB3307ZGPBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 120A (Tc) 10V 5.8mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 110 nC @ 10 V ±20V 4750 pF @ 50 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFB4110GPBF

IRFB4110GPBF

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

Infineon Technologies

6,972 -
RFQ
IRFB4110GPBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 210 nC @ 10 V ±20V 9620 pF @ 50 V - 370W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFB4115GPBF

IRFB4115GPBF

MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB

Infineon Technologies

7,817 -
RFQ
IRFB4115GPBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 104A (Tc) 10V 11mOhm @ 62A, 10V 5V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 5270 pF @ 50 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFB4321GPBF

IRFB4321GPBF

MOSFET N-CH 150V 83A TO220AB

Infineon Technologies

8,168 -
RFQ
IRFB4321GPBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 83A (Tc) 10V 15mOhm @ 33A, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V 4460 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFB4410ZGPBF

IRFB4410ZGPBF

MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB

Infineon Technologies

7,391 -
RFQ
IRFB4410ZGPBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 97A (Tc) 10V 9mOhm @ 58A, 10V 4V @ 150µA 120 nC @ 10 V ±20V 4820 pF @ 50 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFSL3004PBF

IRFSL3004PBF

MOSFET N-CH 40V 195A TO262

Infineon Technologies

2,450 -
RFQ
IRFSL3004PBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Ta) 10V 1.75mOhm @ 195A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 9200 pF @ 25 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRFSL4020PBF

IRFSL4020PBF

MOSFET N-CH 200V 18A TO262

Infineon Technologies

4,079 -
RFQ
IRFSL4020PBF

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 18A (Tc) 10V 105mOhm @ 11A, 10V 4.9V @ 100µA 29 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 50 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRFSL4115PBF

IRFSL4115PBF

MOSFET N-CH 150V 195A TO262

Infineon Technologies

3,045 -
RFQ
IRFSL4115PBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 195A (Tc) 10V 12.1mOhm @ 62A, 10V 5V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 5270 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRLSL3034PBF

IRLSL3034PBF

MOSFET N-CH 40V 195A TO262

Infineon Technologies

8,988 -
RFQ
IRLSL3034PBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 4.5V, 10V 1.7mOhm @ 195A, 10V 2.5V @ 250µA 162 nC @ 4.5 V ±20V 10315 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
FCPF22N60NT

FCPF22N60NT

MOSFET N-CH 600V 22A TO220F

onsemi

9,806 -
RFQ
FCPF22N60NT

데이터시트

SupreMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 22A (Tc) 10V 165mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±45V 1950 pF @ 100 V - 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
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