FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
SPI20N60CFDHKSA1

SPI20N60CFDHKSA1

MOSFET N-CH 650V 20.7A TO262-3

Infineon Technologies

3,020 -
RFQ
SPI20N60CFDHKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20.7A (Tc) 10V 220mOhm @ 13.1A, 10V 5V @ 1mA 124 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3-1
SPP07N60CFDHKSA1

SPP07N60CFDHKSA1

MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-3

Infineon Technologies

9,548 -
RFQ
SPP07N60CFDHKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 6.6A (Tc) 10V 700mOhm @ 4.6A, 10V 5V @ 300µA 47 nC @ 10 V ±20V 790 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
SPP08P06PHXKSA1

SPP08P06PHXKSA1

MOSFET P-CH 60V 8.8A TO220-3

Infineon Technologies

4,682 -
RFQ
SPP08P06PHXKSA1

데이터시트

SIPMOS® TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 8.8A (Tc) 10V 300mOhm @ 6.2A, 10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V 420 pF @ 25 V - 42W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
SPP15N65C3HKSA1

SPP15N65C3HKSA1

MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3

Infineon Technologies

8,765 -
RFQ
SPP15N65C3HKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Tc) 10V 280mOhm @ 9.4A, 10V 3.9V @ 675µA 63 nC @ 10 V ±20V 1600 pF @ 25 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
SPP15P10PGHKSA1

SPP15P10PGHKSA1

MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3

Infineon Technologies

3,782 -
RFQ
SPP15P10PGHKSA1

데이터시트

SIPMOS® TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 15A (Tc) 10V 240mOhm @ 10.6A, 10V 2.1V @ 1.54mA 48 nC @ 10 V ±20V 1280 pF @ 25 V - 128W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
SPP15P10PLGHKSA1

SPP15P10PLGHKSA1

MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3

Infineon Technologies

6,613 -
RFQ
SPP15P10PLGHKSA1

데이터시트

SIPMOS® TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 15A (Tc) 4.5V, 10V 200mOhm @ 11.3A, 10V 2V @ 1.54mA 62 nC @ 10 V ±20V 1490 pF @ 25 V - 128W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
SPP24N60CFDHKSA1

SPP24N60CFDHKSA1

MOSFET N-CH 650V 21.7A TO220-3

Infineon Technologies

3,722 -
RFQ
SPP24N60CFDHKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 21.7A (Tc) 10V 185mOhm @ 15.4A, 10V 5V @ 1.2mA 143 nC @ 10 V ±20V 3160 pF @ 25 V - 240W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
SPS03N60C3BKMA1

SPS03N60C3BKMA1

MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3

Infineon Technologies

4,770 -
RFQ
SPS03N60C3BKMA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 3.2A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 2A, 10V 3.9V @ 135µA 17 nC @ 10 V ±20V 400 pF @ 25 V - 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-11
SPU03N60C3BKMA1

SPU03N60C3BKMA1

MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3

Infineon Technologies

2,683 -
RFQ
SPU03N60C3BKMA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 3.2A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 2A, 10V 3.9V @ 135µA 17 nC @ 10 V ±20V 400 pF @ 25 V - 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-21
SPW07N60CFDFKSA1

SPW07N60CFDFKSA1

MOSFET N-CH 650V 6.6A TO247-3

Infineon Technologies

5,105 -
RFQ
SPW07N60CFDFKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 6.6A (Tc) 10V 700mOhm @ 4.6A, 10V 5V @ 300µA 47 nC @ 10 V ±20V 790 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
MTM982400BBF

MTM982400BBF

MOSFET N-CH 40V 7A SO8-F1-B

Panasonic Electronic Components

7,479 -
RFQ
MTM982400BBF

데이터시트

- 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 7A (Ta) 5V, 10V 23mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA - ±20V 1750 pF @ 10 V - 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SO8-F1-B
IRF1324SPBF

IRF1324SPBF

MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK

Infineon Technologies

4,078 -
RFQ
IRF1324SPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 195A (Tc) 10V 1.65mOhm @ 195A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 7590 pF @ 24 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF6218SPBF

IRF6218SPBF

MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK

Infineon Technologies

3,954 -
RFQ
IRF6218SPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 27A (Tc) 10V 150mOhm @ 16A, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2210 pF @ 25 V - 250W (Tc) - - - Surface Mount D2PAK
IRF8734PBF

IRF8734PBF

MOSFET N-CH 30V 21A 8SO

Infineon Technologies

5,535 -
RFQ
IRF8734PBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 21A (Ta) 4.5V, 10V 3.5mOhm @ 21A, 10V 2.35V @ 50µA 30 nC @ 4.5 V ±20V 3175 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
IRFS3004-7PPBF

IRFS3004-7PPBF

MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK

Infineon Technologies

5,815 -
RFQ
IRFS3004-7PPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 240A (Tc) 10V 1.25mOhm @ 195A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 9130 pF @ 25 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
IRFS3004PBF

IRFS3004PBF

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

Infineon Technologies

2,470 -
RFQ
IRFS3004PBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Ta) 10V 1.75mOhm @ 195A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 9200 pF @ 25 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFS4020PBF

IRFS4020PBF

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

Infineon Technologies

8,907 -
RFQ
IRFS4020PBF

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 18A (Tc) 10V 105mOhm @ 11A, 10V 4.9V @ 100µA 29 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 50 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFS4115-7PPBF

IRFS4115-7PPBF

MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK

Infineon Technologies

3,123 -
RFQ
IRFS4115-7PPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 105A (Tc) 10V 11.8mOhm @ 63A, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 5320 pF @ 50 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
IRFS4115PBF

IRFS4115PBF

MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK

Infineon Technologies

2,895 -
RFQ
IRFS4115PBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 195A (Tc) 10V 12.1mOhm @ 62A, 10V 5V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 5270 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFS4127PBF

IRFS4127PBF

MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK

Infineon Technologies

3,105 -
RFQ
IRFS4127PBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 72A (Tc) 10V 22mOhm @ 44A, 10V 5V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 5380 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
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