FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IPU135N03L G

IPU135N03L G

MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3

Infineon Technologies

3,045 -
RFQ
IPU135N03L G

데이터시트

OptiMOS™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 13.5mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V 1000 pF @ 15 V - 31W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
MTP20N15EG

MTP20N15EG

MOSFET N-CH 150V 20A TO220AB

onsemi

8,985 -
RFQ
MTP20N15EG

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 20A (Tc) 10V 130mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 55.9 nC @ 10 V ±20V 1627 pF @ 25 V - 112W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
NTB5426NT4G

NTB5426NT4G

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

onsemi

9,790 -
RFQ
NTB5426NT4G

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 10V 6mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V 5800 pF @ 25 V - 215W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
NTD4863NA-1G

NTD4863NA-1G

MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A IPAK

onsemi

3,995 -
RFQ
NTD4863NA-1G

데이터시트

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 9.2A (Ta), 49A (Tc) - 9.3mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 13.5 nC @ 4.5 V - 990 pF @ 12 V - 1.27W (Ta), 36.6W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
NTD5803NT4G

NTD5803NT4G

MOSFET N-CH 40V 76A DPAK

onsemi

4,607 -
RFQ
NTD5803NT4G

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 76A (Tc) 5V, 10V 7.2mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 250µA 51 nC @ 10 V ±20V 3220 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
NTD5807NT4G

NTD5807NT4G

MOSFET N-CH 40V 23A DPAK

onsemi

9,051 -
RFQ
NTD5807NT4G

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 23A (Tc) 4.5V, 10V 31mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 603 pF @ 25 V - 33W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
NTP5411NG

NTP5411NG

MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB

onsemi

5,432 -
RFQ
NTP5411NG

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 10V 10mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 166W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
IRF6218STRLPBF

IRF6218STRLPBF

MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK

Infineon Technologies

6,009 -
RFQ
IRF6218STRLPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 27A (Tc) 10V 150mOhm @ 16A, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2210 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFSL4620PBF

IRFSL4620PBF

MOSFET N-CH 200V 24A TO262

Infineon Technologies

3,751 -
RFQ
IRFSL4620PBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 24A (Tc) 10V 77.5mOhm @ 15A, 10V 5V @ 100µA 38 nC @ 10 V ±20V 1710 pF @ 50 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRFU4620PBF

IRFU4620PBF

MOSFET N-CH 200V 24A IPAK

Infineon Technologies

6,725 -
RFQ
IRFU4620PBF

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 24A (Tc) 10V 78mOhm @ 15A, 10V 5V @ 100µA 38 nC @ 10 V ±20V 1710 pF @ 50 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
IRLSL3036PBF

IRLSL3036PBF

MOSFET N-CH 60V 195A TO262

Infineon Technologies

4,376 -
RFQ
IRLSL3036PBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 195A (Tc) 4.5V, 10V 2.4mOhm @ 165A, 10V 2.5V @ 250µA 140 nC @ 4.5 V ±16V 11210 pF @ 50 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
FDD8444L-F085

FDD8444L-F085

MOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA

onsemi

7,703 -
RFQ
FDD8444L-F085

데이터시트

PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 16A (Ta), 50A (Tc) 4.5V, 10V 5.2mOhm @ 50A, 10V 3V @ 250µA 60 nC @ 5 V ±20V 5530 pF @ 25 V - 153W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
2SJ0536G0L

2SJ0536G0L

MOSFET P-CH 30V 100MA SMINI3-F2

Panasonic Electronic Components

7,388 -
RFQ
2SJ0536G0L

데이터시트

- SC-85 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100mA (Ta) 5V 75Ohm @ 10mA, 5V 2V @ 1µA - ±20V - - 150mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SMini3-F2
2SK0601G0L

2SK0601G0L

MOSFET N-CH 80V 500MA MINIP3-F2

Panasonic Electronic Components

3,833 -
RFQ
2SK0601G0L

데이터시트

- TO-243AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 500mA (Ta) 10V 4Ohm @ 500mA, 10V 3.5V @ 1mA - 20V 45 pF @ 10 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount MiniP3-F2
2SK1374G0L

2SK1374G0L

MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI3-F2

Panasonic Electronic Components

3,001 -
RFQ
2SK1374G0L

데이터시트

- SC-85 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 50mA (Ta) 2.5V 50Ohm @ 10mA, 2.5V 1.1V @ 100µA - 10V 4.5 pF @ 5 V - 150mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SMini3-F2
IRLS3036-7PPBF

IRLS3036-7PPBF

MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK

Infineon Technologies

9,504 -
RFQ
IRLS3036-7PPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 240A (Tc) 4.5V, 10V 1.9mOhm @ 180A, 10V 2.5V @ 250µA 160 nC @ 4.5 V ±16V 11270 pF @ 50 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
IRFS4620PBF

IRFS4620PBF

MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK

Infineon Technologies

4,520 -
RFQ
IRFS4620PBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 24A (Tc) 10V 77.5mOhm @ 15A, 10V 5V @ 100µA 38 nC @ 10 V ±20V 1710 pF @ 50 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFS5620PBF

IRFS5620PBF

MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK

Infineon Technologies

8,090 -
RFQ
IRFS5620PBF

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 24A (Tc) 10V 77.5mOhm @ 15A, 10V 5V @ 100µA 38 nC @ 10 V ±20V 1710 pF @ 50 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFR4615PBF

IRFR4615PBF

MOSFET N-CH 150V 33A DPAK

Infineon Technologies

8,887 -
RFQ
IRFR4615PBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 33A (Tc) 10V 42mOhm @ 21A, 10V 5V @ 100µA 26 nC @ 10 V ±20V 1750 pF @ 50 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRFR4620PBF

IRFR4620PBF

MOSFET N-CH 200V 24A D-PAK

Infineon Technologies

2,169 -
RFQ
IRFR4620PBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 24A (Tc) 10V 78mOhm @ 15A, 10V 5V @ 100µA 38 nC @ 10 V ±20V 1710 pF @ 50 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
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