FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
2SK2266(TE24R,Q)

2SK2266(TE24R,Q)

MOSFET N-CH 60V 45A TO220SM

Toshiba Semiconductor and Storage

9,841 -
RFQ
2SK2266(TE24R,Q)

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 45A (Ta) 4V, 10V 30mOhm @ 25A, 10V 2V @ 1mA 60 nC @ 10 V ±20V 1800 pF @ 10 V - 65W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-220SM
2SK2376(Q)

2SK2376(Q)

MOSFET N-CH 60V 45A TO220FL

Toshiba Semiconductor and Storage

4,802 -
RFQ
2SK2376(Q)

데이터시트

- TO-220-3, Short Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 45A (Ta) 4V, 10V 17mOhm @ 25A, 10V 2V @ 1mA 110 nC @ 10 V ±20V 3350 pF @ 10 V - 100W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FL
2SK3309(Q)

2SK3309(Q)

MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL

Toshiba Semiconductor and Storage

8,487 -
RFQ
2SK3309(Q)

데이터시트

- TO-220-3, Short Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 450 V 10A (Ta) 10V 650mOhm @ 5A, 10V 5V @ 1mA 23 nC @ 10 V ±30V 920 pF @ 10 V - 65W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FL
2SK3309(TE24L,Q)

2SK3309(TE24L,Q)

MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM

Toshiba Semiconductor and Storage

2,032 -
RFQ
2SK3309(TE24L,Q)

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 450 V 10A (Ta) 10V 650mOhm @ 5A, 10V 5V @ 1mA 23 nC @ 10 V ±30V 920 pF @ 10 V - 65W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-220SM
TK12A60U(Q,M)

TK12A60U(Q,M)

MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS

Toshiba Semiconductor and Storage

6,700 -
RFQ
TK12A60U(Q,M)

데이터시트

DTMOSII TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Ta) 10V 400mOhm @ 6A, 10V 5V @ 1mA 14 nC @ 10 V ±30V 720 pF @ 10 V - 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
TK12J60U(F)

TK12J60U(F)

MOSFET N-CH 600V 12A TO3P

Toshiba Semiconductor and Storage

9,402 -
RFQ
TK12J60U(F)

데이터시트

DTMOSII TO-3P-3, SC-65-3 Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Ta) 10V 400mOhm @ 6A, 10V 5V @ 1mA 14 nC @ 10 V ±30V 720 pF @ 10 V - 144W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)
TK15J60U(F)

TK15J60U(F)

MOSFET N-CH 600V 15A TO3P

Toshiba Semiconductor and Storage

8,910 -
RFQ
TK15J60U(F)

데이터시트

DTMOSII TO-3P-3, SC-65-3 Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Ta) 10V 300mOhm @ 7.5A, 10V 5V @ 1mA 17 nC @ 10 V ±30V 950 pF @ 10 V - 170W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)
TK20J60U(F)

TK20J60U(F)

MOSFET N-CH 600V 20A TO3P

Toshiba Semiconductor and Storage

6,347 -
RFQ
TK20J60U(F)

데이터시트

DTMOSII TO-3P-3, SC-65-3 Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Ta) 10V 190mOhm @ 10A, 10V 5V @ 1mA 27 nC @ 10 V ±30V 1470 pF @ 10 V - 190W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)
TK55D10J1(Q)

TK55D10J1(Q)

MOSFET N-CH 100V 55A TO220

Toshiba Semiconductor and Storage

3,005 -
RFQ
TK55D10J1(Q)

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 55A (Ta) 4.5V, 10V 10.5mOhm @ 27A, 10V 2.3V @ 1mA 110 nC @ 10 V ±20V 5700 pF @ 10 V - 140W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220(W)
TK60D08J1(Q)

TK60D08J1(Q)

MOSFET N-CH 75V 60A TO220

Toshiba Semiconductor and Storage

9,983 -
RFQ
TK60D08J1(Q)

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 60A (Ta) 4.5V, 10V 7.8mOhm @ 30A, 10V 2.3V @ 1mA 86 nC @ 10 V ±20V 5450 pF @ 10 V - 140W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220(W)
TK70D06J1(Q)

TK70D06J1(Q)

MOSFET N-CH 60V 70A TO220

Toshiba Semiconductor and Storage

6,899 -
RFQ
TK70D06J1(Q)

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 70A (Ta) 4.5V, 10V 6.4mOhm @ 35A, 10V 2.3V @ 1mA 87 nC @ 10 V ±20V 5450 pF @ 10 V - 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220(W)
TPC6006-H(TE85L,F)

TPC6006-H(TE85L,F)

MOSFET N-CH 40V 3.9A VS-6

Toshiba Semiconductor and Storage

2,549 -
RFQ
TPC6006-H(TE85L,F)

데이터시트

U-MOSIII-H SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 3.9A (Ta) 4.5V, 10V 75mOhm @ 1.9A, 10V 2.3V @ 1mA 4.4 nC @ 10 V ±20V 251 pF @ 10 V - 700mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
TPC6104(TE85L,F,M)

TPC6104(TE85L,F,M)

MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6

Toshiba Semiconductor and Storage

6,047 -
RFQ
TPC6104(TE85L,F,M)

데이터시트

U-MOSIII SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.5A (Ta) 1.8V, 4.5V 40mOhm @ 2.8A, 4.5V 1.2V @ 200µA 19 nC @ 5 V ±8V 1430 pF @ 10 V - 700mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
TPC6107(TE85L,F,M)

TPC6107(TE85L,F,M)

MOSFET P-CH 20V 4.5A VS-6

Toshiba Semiconductor and Storage

4,588 -
RFQ
TPC6107(TE85L,F,M)

데이터시트

U-MOSIV SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.5A (Ta) 2V, 4.5V 55mOhm @ 2.2A, 4.5V 1.2V @ 200µA 9.8 nC @ 5 V ±12V 680 pF @ 10 V - 700mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
TPC8014(TE12L,Q,M)

TPC8014(TE12L,Q,M)

MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP

Toshiba Semiconductor and Storage

2,801 -
RFQ
TPC8014(TE12L,Q,M)

데이터시트

- 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 14mOhm @ 5.5A, 10V 2.5V @ 1mA 39 nC @ 10 V ±20V 1860 pF @ 10 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
TPC8018-H(TE12LQM)

TPC8018-H(TE12LQM)

MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP

Toshiba Semiconductor and Storage

6,240 -
RFQ
TPC8018-H(TE12LQM)

데이터시트

- 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 18A (Ta) 4.5V, 10V 4.6mOhm @ 9A, 10V 2.3V @ 1mA 38 nC @ 10 V ±20V 2265 pF @ 10 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
TPC8021-H(TE12LQ,M

TPC8021-H(TE12LQ,M

MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP

Toshiba Semiconductor and Storage

4,798 -
RFQ
TPC8021-H(TE12LQ,M

데이터시트

- 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 17mOhm @ 5.5A, 10V 2.3V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±20V 640 pF @ 10 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
TPC8022-H(TE12LQ,M

TPC8022-H(TE12LQ,M

MOSFET N-CH 40V 7.5A 8SOP

Toshiba Semiconductor and Storage

3,273 -
RFQ
TPC8022-H(TE12LQ,M

데이터시트

- 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 7.5A (Ta) 4.5V, 10V 27mOhm @ 3.8A, 10V 2.3V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±20V 650 pF @ 10 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
TPC8031-H(TE12LQM)

TPC8031-H(TE12LQM)

MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP

Toshiba Semiconductor and Storage

7,968 -
RFQ
TPC8031-H(TE12LQM)

데이터시트

- 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) - 13.3mOhm @ 5.5A, 10V 2.5V @ 1mA 21 nC @ 10 V - 2150 pF @ 10 V - - 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
TPC8032-H(TE12LQM)

TPC8032-H(TE12LQM)

MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP

Toshiba Semiconductor and Storage

4,024 -
RFQ
TPC8032-H(TE12LQM)

데이터시트

- 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 15A (Ta) - 6.5mOhm @ 7.5A, 10V 2.5V @ 1mA 33 nC @ 10 V - 2846 pF @ 10 V - - 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
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