FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRF6721STR1PBF

IRF6721STR1PBF

MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

Infineon Technologies

7,867 -
RFQ
IRF6721STR1PBF

데이터시트

HEXFET® DirectFET™ Isometric SQ Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta), 60A (Tc) 4.5V, 10V 7.3mOhm @ 14A, 10V 2.4V @ 25µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1430 pF @ 15 V - 2.2W (Ta), 42W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ SQ
IRFS3806PBF

IRFS3806PBF

MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK

Infineon Technologies

6,840 -
RFQ
IRFS3806PBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 43A (Tc) 10V 15.8mOhm @ 25A, 10V 4V @ 50µA 30 nC @ 10 V ±20V 1150 pF @ 50 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF1018ESPBF

IRF1018ESPBF

MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK

Infineon Technologies

8,599 -
RFQ
IRF1018ESPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 79A (Tc) 10V 8.4mOhm @ 47A, 10V 4V @ 100µA 69 nC @ 10 V ±20V 2290 pF @ 50 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFR3607PBF

IRFR3607PBF

MOSFET N-CH 75V 56A DPAK

Infineon Technologies

4,475 -
RFQ
IRFR3607PBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 56A (Tc) 10V 9mOhm @ 46A, 10V 4V @ 100µA 84 nC @ 10 V ±20V 3070 pF @ 50 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRFB4233PBF

IRFB4233PBF

MOSFET N-CH 230V 56A TO220AB

Infineon Technologies

2,578 -
RFQ
IRFB4233PBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 230 V 56A (Tc) 10V 37mOhm @ 28A, 10V 5V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±30V 5510 pF @ 25 V - 370W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRL1404ZSPBF

IRL1404ZSPBF

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

Infineon Technologies

5,464 -
RFQ
IRL1404ZSPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 3.1mOhm @ 75A, 10V 2.7V @ 250µA 110 nC @ 5 V ±16V 5080 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRLR3114ZPBF

IRLR3114ZPBF

MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

Infineon Technologies

9,589 -
RFQ
IRLR3114ZPBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 42A (Tc) 4.5V, 10V 4.9mOhm @ 42A, 10V 2.5V @ 100µA 56 nC @ 4.5 V ±16V 3810 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRF5305LPBF

IRF5305LPBF

MOSFET P-CH 55V 31A TO262

Infineon Technologies

5,553 -
RFQ
IRF5305LPBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 31A (Tc) 10V 60mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRL1404ZLPBF

IRL1404ZLPBF

MOSFET N-CH 40V 120A TO262

Infineon Technologies

4,998 -
RFQ
IRL1404ZLPBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 3.1mOhm @ 75A, 10V 2.7V @ 250µA 110 nC @ 5 V ±16V 5080 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
64-6006PBF

64-6006PBF

MOSFET N-CH 300V 46A TO247AC

Infineon Technologies

6,330 -
RFQ
64-6006PBF

데이터시트

HEXFET® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 46A (Tc) 10V 59mOhm @ 33A, 10V 5V @ 250µA 247 nC @ 10 V ±30V 7370 pF @ 25 V - 430W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRFS3207PBF

IRFS3207PBF

MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK

Infineon Technologies

6,657 -
RFQ
IRFS3207PBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 170A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V 7600 pF @ 50 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFS4310ZPBF

IRFS4310ZPBF

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Infineon Technologies

4,297 -
RFQ
IRFS4310ZPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 6mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170 nC @ 10 V ±20V 6860 pF @ 50 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF5210LPBF

IRF5210LPBF

MOSFET P-CH 100V 38A TO262

Infineon Technologies

7,512 -
RFQ
IRF5210LPBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 38A (Tc) 10V 60mOhm @ 38A, 10V 4V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 2780 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRF6215LPBF

IRF6215LPBF

MOSFET P-CH 150V 13A TO262

Infineon Technologies

6,672 -
RFQ
IRF6215LPBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 13A (Tc) 10V 290mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
AUXAKF1405ZS-7P

AUXAKF1405ZS-7P

MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK

Infineon Technologies

8,822 -
RFQ
AUXAKF1405ZS-7P

데이터시트

HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 120A (Tc) 10V 4.9mOhm @ 88A, 10V 4V @ 150µA 230 nC @ 10 V ±20V 5360 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
IRFSL38N20DPBF

IRFSL38N20DPBF

MOSFET N-CH 200V 43A TO262

Infineon Technologies

6,095 -
RFQ
IRFSL38N20DPBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 43A (Tc) - 54mOhm @ 26A, 10V 5V @ 250µA 91 nC @ 10 V - 2900 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-262
IRFR3806PBF

IRFR3806PBF

MOSFET N-CH 60V 43A DPAK

Infineon Technologies

2,010 -
RFQ
IRFR3806PBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 43A (Tc) 10V 15.8mOhm @ 25A, 10V 4V @ 50µA 30 nC @ 10 V ±20V 1150 pF @ 50 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRFSL4310PBF

IRFSL4310PBF

MOSFET N-CH 100V 130A TO262

Infineon Technologies

5,765 -
RFQ
IRFSL4310PBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 130A (Tc) 10V 7mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 250 nC @ 10 V ±20V 7670 pF @ 50 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRFR1018EPBF

IRFR1018EPBF

MOSFET N-CH 60V 56A DPAK

Infineon Technologies

4,795 -
RFQ
IRFR1018EPBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 56A (Tc) 10V 8.4mOhm @ 47A, 10V 4V @ 100µA 69 nC @ 10 V ±20V 2290 pF @ 50 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRFS4229PBF

IRFS4229PBF

MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK

Infineon Technologies

4,680 -
RFQ
IRFS4229PBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 45A (Tc) 10V 48mOhm @ 26A, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V 4560 pF @ 25 V - 330W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
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