FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

모두 초기화
모두 적용
결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
FDD6796

FDD6796

MOSFET N-CH 25V 20A/40A DPAK

onsemi

4,430 -
RFQ
FDD6796

데이터시트

PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 20A (Ta), 40A (Tc) 4.5V, 10V 5.7mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V 2315 pF @ 13 V - 3.7W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
FDD6780

FDD6780

MOSFET N-CH 25V 16.5A/30A DPAK

onsemi

2,486 -
RFQ
FDD6780

데이터시트

PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 16.5A (Ta), 30A (Tc) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 16.5A, 10V 3V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V 1590 pF @ 13 V - 3.7W (Ta), 32.6W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
TK15A60U(STA4,Q,M)

TK15A60U(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 600V 15A TO220SIS

Toshiba Semiconductor and Storage

5,141 -
RFQ
TK15A60U(STA4,Q,M)

데이터시트

DTMOSII TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Ta) 10V 300mOhm @ 7.5A, 10V 5V @ 1mA 17 nC @ 10 V ±30V 950 pF @ 10 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
TK20A60U(Q,M)

TK20A60U(Q,M)

MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS

Toshiba Semiconductor and Storage

8,246 -
RFQ
TK20A60U(Q,M)

데이터시트

DTMOSII TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Ta) 10V 190mOhm @ 10A, 10V 5V @ 1mA 27 nC @ 10 V ±30V 1470 pF @ 10 V - 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
TPC6109-H(TE85L,FM

TPC6109-H(TE85L,FM

MOSFET P-CH 30V 5A VS-6

Toshiba Semiconductor and Storage

7,807 -
RFQ
TPC6109-H(TE85L,FM

데이터시트

U-MOSIII-H SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5A (Ta) 4.5V, 10V 59mOhm @ 2.5A, 10V 1.2V @ 200µA 12.3 nC @ 10 V ±20V 490 pF @ 10 V - 700mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
IRF1018ESLPBF

IRF1018ESLPBF

MOSFET N-CH 60V 79A TO262

Infineon Technologies

4,297 -
RFQ
IRF1018ESLPBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 79A (Tc) 10V 8.4mOhm @ 47A, 10V 4V @ 100µA 69 nC @ 10 V ±20V 2290 pF @ 50 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
64-2105PBF

64-2105PBF

MOSFET N-CH 40V 75A TO262

Infineon Technologies

4,064 -
RFQ
64-2105PBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 10V 3.7mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 4340 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRFP4410ZPBF

IRFP4410ZPBF

MOSFET N-CH 100V 97A TO247AC

Infineon Technologies

5,431 -
RFQ
IRFP4410ZPBF

데이터시트

HEXFET® TO-247-3 Bag Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 97A (Tc) 10V 9mOhm @ 58A, 10V 4V @ 150µA 120 nC @ 10 V ±20V 4820 pF @ 50 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRFS4410ZPBF

IRFS4410ZPBF

MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK

Infineon Technologies

4,964 -
RFQ
IRFS4410ZPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 97A (Tc) 10V 9mOhm @ 58A, 10V 4V @ 150µA 120 nC @ 10 V ±20V 4820 pF @ 50 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFSL3607PBF

IRFSL3607PBF

MOSFET N-CH 75V 80A TO262

Infineon Technologies

6,527 -
RFQ
IRFSL3607PBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 80A (Tc) 10V 9mOhm @ 46A, 10V 4V @ 100µA 84 nC @ 10 V ±20V 3070 pF @ 50 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRFSL3806PBF

IRFSL3806PBF

MOSFET N-CH 60V 43A TO262

Infineon Technologies

7,745 -
RFQ
IRFSL3806PBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 43A (Tc) 10V 15.8mOhm @ 25A, 10V 4V @ 50µA 30 nC @ 10 V ±20V 1150 pF @ 50 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRFSL4227PBF

IRFSL4227PBF

MOSFET N-CH 200V 62A TO262

Infineon Technologies

9,142 -
RFQ
IRFSL4227PBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 62A (Tc) 10V 26mOhm @ 46A, 10V 5V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±30V 4600 pF @ 25 V - 330W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRFSL4310ZPBF

IRFSL4310ZPBF

MOSFET N-CH 100V 120A TO262

Infineon Technologies

4,474 -
RFQ
IRFSL4310ZPBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 6mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170 nC @ 10 V ±20V 6860 pF @ 50 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRFU1018EPBF

IRFU1018EPBF

MOSFET N-CH 60V 56A IPAK

Infineon Technologies

8,948 -
RFQ
IRFU1018EPBF

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 56A (Tc) 10V 8.4mOhm @ 47A, 10V 4V @ 100µA 69 nC @ 10 V ±20V 2290 pF @ 50 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
IRFU2307ZPBF

IRFU2307ZPBF

MOSFET N-CH 75V 42A IPAK

Infineon Technologies

5,317 -
RFQ
IRFU2307ZPBF

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 42A (Tc) 10V 16mOhm @ 32A, 10V 4V @ 100µA 75 nC @ 10 V ±20V 2190 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
IRFU2607ZPBF

IRFU2607ZPBF

MOSFET N-CH 75V 42A IPAK

Infineon Technologies

5,740 -
RFQ
IRFU2607ZPBF

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 42A (Tc) 10V 22mOhm @ 30A, 10V 4V @ 50µA 51 nC @ 10 V ±20V 1440 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
IRFU3806PBF

IRFU3806PBF

MOSFET N-CH 60V 43A IPAK

Infineon Technologies

2,752 -
RFQ
IRFU3806PBF

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 43A (Tc) 10V 15.8mOhm @ 25A, 10V 4V @ 50µA 30 nC @ 10 V ±20V 1150 pF @ 50 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
IRLU3114ZPBF

IRLU3114ZPBF

MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK

Infineon Technologies

2,538 -
RFQ
IRLU3114ZPBF

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 42A (Tc) 4.5V, 10V 4.9mOhm @ 42A, 10V 2.5V @ 100µA 56 nC @ 4.5 V ±16V 3810 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
IRLU8721-701PBF

IRLU8721-701PBF

MOSFET N-CH 30V 65A I-PAK

Infineon Technologies

2,435 -
RFQ
IRLU8721-701PBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-4, DPAK (3 Leads + Tab) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 65A (Tc) 4.5V, 10V 8.4mOhm @ 25A, 10V 2.35V @ 25µA 13 nC @ 4.5 V ±20V 1030 pF @ 15 V - 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount I-PAK (LF701)
2SK3064G0L

2SK3064G0L

MOSFET N-CH 30V 100MA SMINI3-F2

Panasonic Electronic Components

2,562 -
RFQ
2SK3064G0L

데이터시트

- SC-85 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100mA (Ta) 5V 50Ohm @ 10mA, 5V 2V @ 1µA - ±20V - - 150mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SMini3-F2
TomatoElec

검색

TomatoElec

제품

TomatoElec

전화번호

TomatoElec

사용자