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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    IXFH26N65X3

    IXFH26N65X3

    DISCRETE MOSFET 26A 650V X3 TO24

    Littelfuse Inc.

    		 4,487 -
    RFQ

    -

    		 - - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    STL80N4LLF3

    STL80N4LLF3

    MOSFET N-CH 40V 80A POWERFLAT

    STMicroelectronics

    		 5,739 -
    RFQ
    		STL80N4LLF3

    데이터시트

         		STripFET™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 10A, 10V 1V @ 250µA 28 nC @ 4.5 V ±16V 2530 pF @ 25 V - 80W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
    IRF100P218XKMA1

    IRF100P218XKMA1

    MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC

    Infineon Technologies

    		 5,237 -
    RFQ
    		IRF100P218XKMA1

    데이터시트

         		StrongIRFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 209A (Tc) 6V, 10V 1.28mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 278µA 555 nC @ 10 V ±20V 25000 pF @ 50 V - 556W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    IXFH96N15P

    IXFH96N15P

    MOSFET N-CH 150V 96A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    		 6,968 -
    RFQ
    		IXFH96N15P

    데이터시트

         		HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 96A (Tc) 10V 24mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 4mA 110 nC @ 10 V ±20V 3500 pF @ 25 V - 480W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    SI7848DP-T1-E3

    SI7848DP-T1-E3

    MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    		 9,130 -
    RFQ
    		SI7848DP-T1-E3

    데이터시트

         		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 10.4A (Ta) 4.5V, 10V 9mOhm @ 14A, 10V 3V @ 250µA 28 nC @ 5 V ±20V - - 1.83W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    G3R350MT12J

    G3R350MT12J

    SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7

    GeneSiC Semiconductor

    		 6,745 -
    RFQ
    		G3R350MT12J

    데이터시트

         		G3R™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 11A (Tc) 15V 420mOhm @ 4A, 15V 2.69V @ 2mA 12 nC @ 15 V ±15V 334 pF @ 800 V - 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    TSM60NC196CI

    TSM60NC196CI

    600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL POWE

    Taiwan Semiconductor Corporation

    		 4,336 -
    RFQ
    		TSM60NC196CI

    데이터시트

         		- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 196mOhm @ 9.5A, 10V 5V @ 1mA 39 nC @ 10 V ±30V 1535 pF @ 300 V - 70W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220
    IRLL024Z

    IRLL024Z

    MOSFET N-CH 55V 5A SOT223

    Infineon Technologies

    		 7,445 -
    RFQ
    		IRLL024Z

    데이터시트

         		HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 5A (Tc) 4.5V, 10V 60mOhm @ 3A, 10V 3V @ 250µA 11 nC @ 5 V ±16V 380 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    IXFC26N50P

    IXFC26N50P

    MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220

    IXYS

    		 6,220 -
    RFQ

    -

    		 HiPerFET™, PolarHT™ ISOPLUS220™ Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 15A (Tc) 10V 260mOhm @ 13A, 10V 5.5V @ 4mA 65 nC @ 10 V ±30V 3600 pF @ 25 V - 130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS220™
    IXFC22N60P

    IXFC22N60P

    MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220

    IXYS

    		 6,764 -
    RFQ

    -

    		 HiPerFET™, PolarHT™ ISOPLUS220™ Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 360mOhm @ 11A, 10V 5V @ 4mA 58 nC @ 10 V ±30V 4000 pF @ 25 V - 130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS220™
    STF35N65M5

    STF35N65M5

    MOSFET N-CH 650V 27A TO220FP

    STMicroelectronics

    		 5,160 -
    RFQ
    		STF35N65M5

    데이터시트

         		MDmesh™ V TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 27A (Tc) 10V 98mOhm @ 13.5A, 10V 5V @ 250µA 83 nC @ 10 V ±25V 3750 pF @ 100 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IXTH48N20

    IXTH48N20

    MOSFET N-CH 200V 48A TO247

    IXYS

    		 3,507 -
    RFQ

    -

    		 - TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 48A (Tc) 10V 50mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 25 V - 275W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    STW24NM65N

    STW24NM65N

    MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3

    STMicroelectronics

    		 8,057 -
    RFQ
    		STW24NM65N

    데이터시트

         		MDmesh™ II TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 19A (Tc) 10V 190mOhm @ 9.5A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±25V 2500 pF @ 50 V - 160W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    SICW060N065H-BP

    SICW060N065H-BP

    SIC MOSFETS,TO-247AB

    Micro Commercial Co

    		 3,764 -
    RFQ
    		SICW060N065H-BP

    데이터시트

         		- TO-247-3 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 60A (Tc) 18V 75mOhm @ 20A, 18V 4.5V @ 20mA 121 nC @ 18 V +22V, -10V 1850 pF @ 400 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AB
    SICW050N065H-BP

    SICW050N065H-BP

    SIC MOSFET,TO-247AB

    Micro Commercial Co

    		 8,650 -
    RFQ

    -

    		 - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 60A (Tc) 20V 65mOhm @ 20A, 20V 4.5V @ 20mA 121 nC @ 20 V +25V, -10V 1850 pF @ 400 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AB
    SICW080N120H4-BP

    SICW080N120H4-BP

    SIC MOSFET,TO-247-4

    Micro Commercial Co

    		 5,959 -
    RFQ
    		SICW080N120H4-BP

    데이터시트

         		- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 33A (Tc) 20V 110mOhm @ 15A, 20V 4.5V @ 20mA 131 nC @ 20 V +20V, -5V 2644 pF @ 800 V - 224W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    2SK4177-DL-E

    2SK4177-DL-E

    MOSFET N-CH 1500V 2A SMP-FD

    onsemi

    		 9,844 -
    RFQ
    		2SK4177-DL-E

    데이터시트

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1500 V 2A (Ta) 10V 13Ohm @ 1A, 10V - 37.5 nC @ 10 V ±20V 380 pF @ 30 V - 80W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount SMP-FD
    IPA030N10N3GXKSA1

    IPA030N10N3GXKSA1

    MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FP

    Infineon Technologies

    		 5,345 -
    RFQ
    		IPA030N10N3GXKSA1

    데이터시트

         		OptiMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 79A (Tc) 6V, 10V 3mOhm @ 79A, 10V 3.5V @ 270µA 206 nC @ 10 V ±20V 14800 pF @ 50 V - 41W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
    SIHS20N50C-E3

    SIHS20N50C-E3

    MOSFET N-CH 500V 20A SUPER247

    Vishay Siliconix

    		 3,192 -
    RFQ

    -

    		 - TO-274AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 20A (Tc) 10V 270mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 76 nC @ 10 V ±30V 2942 pF @ 25 V - 250mW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
    APT9M100B

    APT9M100B

    MOSFET N-CH 1000V 9A TO247

    Microchip Technology

    		 5,926 -
    RFQ
    		APT9M100B

    데이터시트

         		POWER MOS 8™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 9A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 5A, 10V 5V @ 1mA 80 nC @ 10 V ±30V 2605 pF @ 25 V - 335W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
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