FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
NVMFS6B14NLWFT1G

NVMFS6B14NLWFT1G

MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN

onsemi

6,519 -
RFQ

-

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 11A (Ta), 55A (Tc) 4.5V, 10V 13mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 8 nC @ 4.5 V ±16V 1680 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
STFU10N80K5

STFU10N80K5

MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP

STMicroelectronics

7,699 -
RFQ
STFU10N80K5

데이터시트

MDmesh™ K5 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 9A (Tc) 10V 600mOhm @ 4.5A, 10V 5V @ 100µA 22 nC @ 10 V ±30V 635 pF @ 100 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
IRL60S216

IRL60S216

MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK

Infineon Technologies

8,938 -
RFQ
IRL60S216

데이터시트

HEXFET®, StrongIRFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 195A (Tc) 4.5V, 10V 1.95mOhm @ 100A, 10V 2.4V @ 250µA 255 nC @ 4.5 V ±20V 15330 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
IXFH102N15T

IXFH102N15T

MOSFET N-CH 150V 102A TO247AD

Littelfuse Inc.

3,596 -
RFQ
IXFH102N15T

데이터시트

HiPerFET™, Trench TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 102A (Tc) 10V 18mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 1mA 87 nC @ 10 V ±20V 5220 pF @ 25 V - 455W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IRFIBF30G

IRFIBF30G

MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3

Vishay Siliconix

5,163 -
RFQ
IRFIBF30G

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 1.9A (Tc) 10V 3.7Ohm @ 1.1A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRFS9N60A

IRFS9N60A

MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK

Vishay Siliconix

5,030 -
RFQ
IRFS9N60A

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9.2A (Tc) 10V 750mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 49 nC @ 10 V ±30V 1400 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRFSL11N50A

IRFSL11N50A

MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3

Vishay Siliconix

7,662 -
RFQ

-

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 11A (Tc) 10V 550mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 51 nC @ 10 V ±30V 1426 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262-3
IRFS9N60ATRL

IRFS9N60ATRL

MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK

Vishay Siliconix

5,219 -
RFQ
IRFS9N60ATRL

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9.2A (Tc) 10V 750mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 49 nC @ 10 V ±30V 1400 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRFS9N60ATRR

IRFS9N60ATRR

MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK

Vishay Siliconix

9,111 -
RFQ
IRFS9N60ATRR

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9.2A (Tc) 10V 750mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 49 nC @ 10 V ±30V 1400 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
FQA90N15

FQA90N15

MOSFET N-CH 150V 90A TO3PN

onsemi

3,898 -
RFQ
FQA90N15

데이터시트

QFET® TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 90A (Tc) 10V 18mOhm @ 45A, 10V 4V @ 250µA 285 nC @ 10 V ±25V 8700 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PN
SIHP38N60EF-GE3

SIHP38N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB

Vishay Siliconix

6,159 -
RFQ
SIHP38N60EF-GE3

데이터시트

EF TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 40A (Tc) 10V 70mOhm @ 23.5A, 10V 4V @ 250µA 189 nC @ 10 V ±30V 3576 pF @ 100 V - 313W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
STB40NS15T4

STB40NS15T4

MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK

STMicroelectronics

9,101 -
RFQ
STB40NS15T4

데이터시트

MESH OVERLAY™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 40A (Tc) 10V 52mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2420 pF @ 25 V - 300W (Tc) -65°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
STB80PF55T4

STB80PF55T4

MOSFET P-CH 55V 80A D2PAK

STMicroelectronics

9,028 -
RFQ
STB80PF55T4

데이터시트

STripFET™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 18mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 258 nC @ 10 V ±16V 5500 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
SI4336DY-T1-E3

SI4336DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 17A 8SO

Vishay Siliconix

7,838 -
RFQ
SI4336DY-T1-E3

데이터시트

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 17A (Ta) 4.5V, 10V 3.25mOhm @ 25A, 10V 3V @ 250µA 50 nC @ 4.5 V ±20V 5600 pF @ 15 V - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
FDMS0308CS

FDMS0308CS

MOSFET N-CH 30V 22A 8PQFN

onsemi

2,105 -
RFQ
FDMS0308CS

데이터시트

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 22A (Ta) - 3mOhm @ 21A, 10V 3V @ 1mA 66 nC @ 10 V - 4225 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 65W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
SUM110N08-07P-E3

SUM110N08-07P-E3

MOSFET N-CH 75V 110A TO263

Vishay Siliconix

9,011 -
RFQ

-

TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 110A (Tc) 10V 7mOhm @ 20A, 10V 4.5V @ 250µA 105 nC @ 10 V ±20V 4250 pF @ 30 V - 3.75W (Ta), 208.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
SUM110N05-06L-E3

SUM110N05-06L-E3

MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK

Vishay Siliconix

4,739 -
RFQ

-

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Cut Tape (CT) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 110A (Tc) - 6mOhm @ 30A, 10V 3V @ 250µA 100 nC @ 10 V - 3300 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
SICW080N120H-BP

SICW080N120H-BP

SIC MOSFET,TO-247AB

Micro Commercial Co

2,666 -
RFQ

-

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 33A (Tc) 20V 110mOhm @ 15A, 20V 4.5V @ 20mA 131 nC @ 20 V +25V, -10V 2644 pF @ 800 V - 224W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AB
TK14G65W5,RQ

TK14G65W5,RQ

MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK

Toshiba Semiconductor and Storage

5,112 -
RFQ
TK14G65W5,RQ

데이터시트

DTMOSIV TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 13.7A (Ta) 10V 300mOhm @ 6.9A, 10V 4.5V @ 690µA 40 nC @ 10 V ±30V 1300 pF @ 300 V - 130W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
TSM60NB260CI

TSM60NB260CI

600V, 13A, SINGLE N-CHANNEL POWE

Taiwan Semiconductor Corporation

7,565 -
RFQ

-

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V 260mOhm @ 3.9A, 10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±30V 1273 pF @ 100 V - 32.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220
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