FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRL3103S

IRL3103S

MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK

Infineon Technologies

8,744 -
RFQ
IRL3103S

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 64A (Tc) 4.5V, 10V 12mOhm @ 34A, 10V 1V @ 250µA 33 nC @ 4.5 V ±16V 1650 pF @ 25 V - 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRL3103L

IRL3103L

MOSFET N-CH 30V 64A TO262

Infineon Technologies

6,350 -
RFQ
IRL3103L

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 64A (Tc) 4.5V, 10V 12mOhm @ 34A, 10V 1V @ 250µA 33 nC @ 4.5 V ±16V 1650 pF @ 25 V - 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IXTQ18N60P

IXTQ18N60P

MOSFET N-CH 600V 18A TO3P

Littelfuse Inc.

3,519 -
RFQ
IXTQ18N60P

데이터시트

Polar TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 10V 420mOhm @ 9A, 10V 5.5V @ 250µA 49 nC @ 10 V ±30V 2500 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
IXFA22N60P3

IXFA22N60P3

MOSFET N-CH 600V 22A TO263AA

Littelfuse Inc.

4,545 -
RFQ
IXFA22N60P3

데이터시트

HiPerFET™, Polar3™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 22A (Tc) 10V 390mOhm @ 11A, 10V 5V @ 1.5mA 38 nC @ 10 V ±30V 2600 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA (IXFA)
FDD5670

FDD5670

MOSFET N-CH 60V 52A TO252

onsemi

2,169 -
RFQ
FDD5670

데이터시트

PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 52A (Ta) 6V, 10V 15mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 73 nC @ 10 V ±20V 2739 pF @ 15 V - 3.8W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
BUK9615-100A,118

BUK9615-100A,118

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

Nexperia USA Inc.

3,208 -
RFQ
BUK9615-100A,118

데이터시트

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 75A (Tc) 5V, 10V 14.4mOhm @ 25A, 10V 2V @ 1mA - ±10V 8600 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
SI6410DQ-T1-E3

SI6410DQ-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 8TSSOP

Vishay Siliconix

7,534 -
RFQ

-

TrenchFET® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7.8A (Ta) 4.5V, 10V 14mOhm @ 7.8A, 10V 1V @ 250µA (Min) 33 nC @ 5 V ±20V - - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
SI7194DP-T1-GE3

SI7194DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

2,046 -
RFQ
SI7194DP-T1-GE3

데이터시트

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 2mOhm @ 20A, 10V 2.6V @ 250µA 145 nC @ 10 V ±20V 6590 pF @ 15 V - 5.4W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
IRFH5250DTR2PBF

IRFH5250DTR2PBF

MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN

Infineon Technologies

9,631 -
RFQ
IRFH5250DTR2PBF

데이터시트

- 8-PowerVDFN Cut Tape (CT) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 40A (Ta), 100A (Tc) - 1.4mOhm @ 50A, 10V 2.35V @ 150µA 83 nC @ 10 V - 6115 pF @ 13 V - - - - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
SI7860DP-T1-E3

SI7860DP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

8,016 -
RFQ

-

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 8mOhm @ 18A, 10V 3V @ 250µA 18 nC @ 4.5 V ±20V - - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
SUD17N25-165-E3

SUD17N25-165-E3

MOSFET N-CH 250V 17A TO252

Vishay Siliconix

9,188 -
RFQ

-

TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 17A (Tc) 10V 165mOhm @ 14A, 10V 4V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±20V 1950 pF @ 25 V - 3W (Ta), 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
SUD50P04-15-E3

SUD50P04-15-E3

MOSFET P-CH 40V 50A TO252

Vishay Siliconix

3,892 -
RFQ
SUD50P04-15-E3

데이터시트

TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 15mOhm @ 30A, 10V 1V @ 250µA (Min) 130 nC @ 10 V ±20V 5400 pF @ 25 V - 3W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
IRFR825TRPBF

IRFR825TRPBF

MOSFET N-CH 500V 6A DPAK

Infineon Technologies

5,895 -
RFQ
IRFR825TRPBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 6A (Tc) 10V 1.3Ohm @ 3.7A, 10V 5V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 1346 pF @ 25 V - 119W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
STH80N10F7-2

STH80N10F7-2

MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2

STMicroelectronics

7,800 -
RFQ
STH80N10F7-2

데이터시트

DeepGATE™, STripFET™ VII TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 80A (Tc) 10V 9.5mOhm @ 40A, 10V 4.5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±20V 3100 pF @ 50 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount H2PAK-2
SQC40016E_DFFR

SQC40016E_DFFR

N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

Vishay Siliconix

3,316 -
RFQ

-

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NVMFS5C404NLT1G

NVMFS5C404NLT1G

MOSFET N-CH 40V 49A/352A 5DFN

onsemi

7,181 -
RFQ
NVMFS5C404NLT1G

데이터시트

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 49A (Ta), 352A (Tc) 4.5V, 10V 0.75mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 181 nC @ 10 V ±20V 12168 pF @ 25 V - 3.9W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
SIHF35N60EF-GE3

SIHF35N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 32A TO220

Vishay Siliconix

7,955 -
RFQ
SIHF35N60EF-GE3

데이터시트

EF TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 32A (Tc) 10V 97mOhm @ 17A, 10V 4V @ 250µA 134 nC @ 10 V ±30V 2568 pF @ 100 V - 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
AUIRF3805S-7TRL

AUIRF3805S-7TRL

MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK

Infineon Technologies

8,236 -
RFQ
AUIRF3805S-7TRL

데이터시트

HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 160A (Tc) 10V 2.6mOhm @ 140A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 7820 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
SICW100N065H4-BP

SICW100N065H4-BP

SIC MOSFET,TO-247-4

Micro Commercial Co

7,312 -
RFQ
SICW100N065H4-BP

데이터시트

- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 32A (Tc) 20V 130mOhm @ 12A, 20V 4.5V @ 10mA 66 nC @ 20 V +20V, -5V 910 pF @ 400 V - 166W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
DIW085N06

DIW085N06

MOSFET TO-247-3L N 65V 85A

Diotec Semiconductor

9,856 -
RFQ
DIW085N06

데이터시트

- TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 65 V 85A (Tc) 10V 9.1mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V 3704 pF @ 34 V - 240W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
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