FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
STB21NM60N-1

STB21NM60N-1

MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK

STMicroelectronics

9,618 -
RFQ
STB21NM60N-1

데이터시트

MDmesh™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 17A (Tc) 10V 220mOhm @ 8.5A, 10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±25V 1900 pF @ 50 V - 140W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
SIHF28N60EF-GE3

SIHF28N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 28A TO220

Vishay Siliconix

5,923 -
RFQ
SIHF28N60EF-GE3

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 28A (Tc) 10V 123mOhm @ 14A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±30V 2714 pF @ 100 V - 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
IXFA18N65X3

IXFA18N65X3

DISCRETE MOSFET 18A 650V X3 TO26

Littelfuse Inc.

6,760 -
RFQ

-

- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
SICW100N065H-BP

SICW100N065H-BP

SIC MOSFET,TO-247AB

Micro Commercial Co

6,034 -
RFQ

-

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 32A (Tc) 20V 130mOhm @ 12A, 20V 4.5V @ 10mA 66 nC @ 20 V +25V, -10V 910 pF @ 400 V - 166W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AB
2SK2916(F)

2SK2916(F)

MOSFET N-CH 500V 14A TO3PIS

Toshiba Semiconductor and Storage

7,889 -
RFQ
2SK2916(F)

데이터시트

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 14A (Ta) 10V 400mOhm @ 7A, 10V 4V @ 1mA 58 nC @ 10 V ±30V 2600 pF @ 10 V - 80W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)IS
TSM16ND50CI

TSM16ND50CI

500V, 16A, SINGLE N-CHANNEL POW

Taiwan Semiconductor Corporation

3,345 -
RFQ

-

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 16A (Tc) 10V 350mOhm @ 4A, 10V 4.5V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±30V 2551 pF @ 50 V - 59.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220
STW60NE10

STW60NE10

MOSFET N-CH 100V 60A TO247-3

STMicroelectronics

7,058 -
RFQ
STW60NE10

데이터시트

STripFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 60A (Tc) 10V 22mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 185 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 25 V - 180W (Tc) 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
STW13NB60

STW13NB60

MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3

STMicroelectronics

7,253 -
RFQ
STW13NB60

데이터시트

PowerMESH™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V 540mOhm @ 6.5A, 10V 5V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±30V 2600 pF @ 25 V - 190W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IPB100N10S305ATMA2

IPB100N10S305ATMA2

MOSFET_(75V 120V(

Infineon Technologies

5,095 -
RFQ
IPB100N10S305ATMA2

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 100A (Tc) 10V 5.1mOhm @ 100A, 10V 4V @ 240µA 176 nC @ 10 V ±20V 11570 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-3-2
SPB16N50C3ATMA1

SPB16N50C3ATMA1

MOSFET N-CH 560V 16A TO263-3

Infineon Technologies

9,717 -
RFQ
SPB16N50C3ATMA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 560 V 16A (Tc) 10V 280mOhm @ 10A, 10V 3.9V @ 675µA 66 nC @ 10 V ±20V 1600 pF @ 25 V - 160W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
IRF5210STRRPBF

IRF5210STRRPBF

MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK

Infineon Technologies

7,298 -
RFQ
IRF5210STRRPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 38A (Tc) 10V 60mOhm @ 38A, 10V 4V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 2780 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
RSH140N03TB1

RSH140N03TB1

MOSFET N-CH 30V 14A 8SOP

Rohm Semiconductor

5,340 -
RFQ
RSH140N03TB1

데이터시트

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta) 4V, 10V - - - ±20V - - 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
SQ4401EY-T1_BE3

SQ4401EY-T1_BE3

MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC

Vishay Siliconix

2,805 -
RFQ

-

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 17.3A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 10.5A, 10V 2.5V @ 250µA 115 nC @ 10 V ±20V 4250 pF @ 20 V - 7.14W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOIC
IXTQ102N15T

IXTQ102N15T

MOSFET N-CH 150V 102A TO3P

IXYS

4,005 -
RFQ
IXTQ102N15T

데이터시트

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 102A (Tc) 10V 18mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 1mA 87 nC @ 10 V ±20V 5220 pF @ 25 V - 455W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
STB21NM50N

STB21NM50N

MOSFET N-CH 500V 18A D2PAK

STMicroelectronics

9,612 -
RFQ
STB21NM50N

데이터시트

MDmesh™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 18A (Tc) 10V 190mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±25V 1950 pF @ 25 V - 140W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
STP21NM60ND

STP21NM60ND

MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB

STMicroelectronics

2,047 -
RFQ
STP21NM60ND

데이터시트

FDmesh™ II TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 17A (Tc) 10V 220mOhm @ 8.5A, 10V 5V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±25V 1800 pF @ 50 V - 140W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
IRF1607

IRF1607

MOSFET N-CH 75V 142A TO220AB

Infineon Technologies

3,399 -
RFQ
IRF1607

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 142A (Tc) 10V 7.5mOhm @ 85A, 10V 4V @ 250µA 320 nC @ 10 V ±20V 7750 pF @ 25 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRL3716S

IRL3716S

MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK

Infineon Technologies

8,853 -
RFQ
IRL3716S

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 180A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 90A, 10V 3V @ 250µA 79 nC @ 4.5 V ±20V 5090 pF @ 10 V - 210W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFIBE20G

IRFIBE20G

MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220-3

Vishay Siliconix

8,070 -
RFQ
IRFIBE20G

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 1.4A (Tc) 10V 6.5Ohm @ 840mA, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 530 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRL3803

IRL3803

MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB

Infineon Technologies

3,791 -
RFQ
IRL3803

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 140A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 71A, 10V 1V @ 250µA 140 nC @ 4.5 V ±16V 5000 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
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