FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
BUK7609-75A,118

BUK7609-75A,118

MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

Nexperia USA Inc.

7,895 -
RFQ
BUK7609-75A,118

데이터시트

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 75A (Tc) 10V 9mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 6760 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
IPD90R1K2C3BTMA1

IPD90R1K2C3BTMA1

MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3

Infineon Technologies

9,789 -
RFQ
IPD90R1K2C3BTMA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 5.1A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 2.8A, 10V 3.5V @ 310µA 28 nC @ 10 V ±20V 710 pF @ 100 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
RRS075P03FRATB

RRS075P03FRATB

MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

Rohm Semiconductor

7,261 -
RFQ
RRS075P03FRATB

데이터시트

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7.5A (Ta) 4V, 10V 21mOhm @ 7.5A, 10V 2.5V @ 1mA 21 nC @ 5 V ±20V 1900 pF @ 10 V - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
IRF7809A

IRF7809A

MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SO

Infineon Technologies

4,940 -
RFQ
IRF7809A

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14.5A (Ta) 4.5V 8.5mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 75 nC @ 5 V ±12V 7300 pF @ 16 V - 2.5W (Ta) - - - Surface Mount 8-SO
IRF7353D2

IRF7353D2

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO

Infineon Technologies

8,915 -
RFQ
IRF7353D2

데이터시트

FETKY™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.5A (Ta) 4.5V, 10V 29mOhm @ 5.8A, 10V 1V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±20V 650 pF @ 25 V Schottky Diode (Isolated) 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
SUP60N02-4M5P-E3

SUP60N02-4M5P-E3

MOSFET N-CH 20V 60A TO220AB

Vishay Siliconix

3,756 -
RFQ
SUP60N02-4M5P-E3

데이터시트

TrenchFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 4.5mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 50 nC @ 4.5 V ±20V 5950 pF @ 10 V - 3.75W (Ta), 120W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRL3402

IRL3402

MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB

Infineon Technologies

6,035 -
RFQ
IRL3402

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 85A (Tc) 4.5V, 7V 8mOhm @ 51A, 7V 700mV @ 250µA (Min) 78 nC @ 4.5 V ±10V 3300 pF @ 15 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IPC218N04N3X1SA1

IPC218N04N3X1SA1

MOSFET N-CH 40V 2A SAWN ON FOIL

Infineon Technologies

8,908 -
RFQ
IPC218N04N3X1SA1

데이터시트

OptiMOS™ Die Bulk Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 2A (Tj) 10V 50mOhm @ 2A, 10V 4V @ 200µA - - - - - - - - Surface Mount Sawn on foil
IWM013N06NM5XUMA1

IWM013N06NM5XUMA1

TRENCH 40<-<100V

Infineon Technologies

8,437 -
RFQ
IWM013N06NM5XUMA1

데이터시트

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRF3711

IRF3711

MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB

Infineon Technologies

5,461 -
RFQ
IRF3711

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 110A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V ±20V 2980 pF @ 10 V - 3.1W (Ta), 120W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF1010EZL

IRF1010EZL

MOSFET N-CH 60V 75A TO262

Infineon Technologies

7,995 -
RFQ
IRF1010EZL

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 75A (Tc) 10V 8.5mOhm @ 51A, 10V 4V @ 100µA 86 nC @ 10 V ±20V 2810 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
TSM70N750CH

TSM70N750CH

700V, 6A, SINGLE N-CHANNEL POWER

Taiwan Semiconductor Corporation

5,593 -
RFQ

-

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 6A (Tc) 10V 750mOhm @ 1.8A, 10V 4V @ 250µA 10.7 nC @ 10 V ±30V 555 pF @ 100 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251 (IPAK)
TSM70N750CP

TSM70N750CP

700V, 6A, SINGLE N-CHANNEL POWER

Taiwan Semiconductor Corporation

9,978 -
RFQ

-

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 6A (Tc) 10V 750mOhm @ 1.8A, 10V 4V @ 250µA 10.7 nC @ 10 V ±30V 555 pF @ 100 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
IXTA120N075T2

IXTA120N075T2

MOSFET N-CH 75V 120A TO263

Littelfuse Inc.

7,113 -
RFQ
IXTA120N075T2

데이터시트

TrenchT2™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 120A (Tc) 10V 7.7mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 4740 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
IRF624S

IRF624S

MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK

Vishay Siliconix

3,632 -
RFQ
IRF624S

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 4.4A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 2.6A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 260 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
SI7868ADP-T1-GE3

SI7868ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

2,821 -
RFQ
SI7868ADP-T1-GE3

데이터시트

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 2.25mOhm @ 20A, 10V 1.6V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±16V 6110 pF @ 10 V - 5.4W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
IRFU1205

IRFU1205

MOSFET N-CH 55V 44A IPAK

Infineon Technologies

9,209 -
RFQ
IRFU1205

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 44A (Tc) 10V 27mOhm @ 26A, 10V 4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
IRFD224PBF

IRFD224PBF

MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP

Vishay Siliconix

3,581 -
RFQ
IRFD224PBF

데이터시트

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 630mA (Ta) 10V 1.1Ohm @ 380mA, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 260 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 4-HVMDIP
FDS2070N3

FDS2070N3

MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO

onsemi

4,281 -
RFQ
FDS2070N3

데이터시트

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 4.1A (Ta) 6V, 10V 78mOhm @ 4.1A, 10V 4V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±20V 1884 pF @ 75 V - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO FLMP
MTB30P06VT4G

MTB30P06VT4G

MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK

onsemi

8,660 -
RFQ
MTB30P06VT4G

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 30A (Tc) 10V 80mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±15V 2190 pF @ 25 V - 3W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
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