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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    R802100002

    R802100002

    200V 9.3M N-CH POWER MOSFET WAFE

    Micro Commercial Co

    		 8,060 -
    RFQ

    -

    		 - - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRF7492

    IRF7492

    MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO

    Infineon Technologies

    		 6,059 -
    RFQ
    		IRF7492

    데이터시트

         		HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3.7A (Ta) 10V 79mOhm @ 2.2A, 10V 2.5V @ 250µA 59 nC @ 10 V ±20V 1820 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IXTY1N120PTRL

    IXTY1N120PTRL

    MOSFET N-CH 1200V 1A TO252

    IXYS

    		 4,113 -
    RFQ

    -

    		 Polar TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 1A (Tc) 10V 20Ohm @ 500mA, 10V 4.5V @ 50µA 17.6 nC @ 10 V ±30V 445 pF @ 25 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    IXTA1N100

    IXTA1N100

    MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO263

    IXYS

    		 8,391 -
    RFQ
    		IXTA1N100

    데이터시트

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 1.5A (Tc) 10V 11Ohm @ 1A, 10V 4.5V @ 25µA 14.5 nC @ 10 V ±30V 400 pF @ 25 V - 54W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
    IRF3515STRL

    IRF3515STRL

    MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 3,614 -
    RFQ
    		IRF3515STRL

    데이터시트

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 41A (Tc) 10V 45mOhm @ 25A, 10V 4.5V @ 250µA 107 nC @ 10 V ±30V 2260 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IXTA10P15T

    IXTA10P15T

    MOSFET P-CH 150V 10A TO263

    Littelfuse Inc.

    		 6,897 -
    RFQ
    		IXTA10P15T

    데이터시트

         		TrenchP™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 10A (Tc) 10V 350mOhm @ 5A, 10V 4.5V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±15V 2210 pF @ 25 V - 83W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    HUFA75345G3

    HUFA75345G3

    MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3

    onsemi

    		 5,643 -
    RFQ
    		HUFA75345G3

    데이터시트

         		UltraFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 7mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 275 nC @ 20 V ±20V 4000 pF @ 25 V - 325W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    ZXMN6A09KTC

    ZXMN6A09KTC

    MOSFET N-CH 60V 7.7A TO252-3

    Diodes Incorporated

    		 5,525 -
    RFQ
    		ZXMN6A09KTC

    데이터시트

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 7.7A (Ta) 4.5V, 10V 40mOhm @ 7.3A, 10V 3V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V 1426 pF @ 30 V - 2.15W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252-3
    SIR878DP-T1-GE3

    SIR878DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    		 8,695 -
    RFQ
    		SIR878DP-T1-GE3

    데이터시트

         		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 15A, 10V 2.8V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±20V 1250 pF @ 50 V - 5W (Ta), 44.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    PJD40N15_L2_00001

    PJD40N15_L2_00001

    150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

    Panjit International Inc.

    		 8,902 -
    RFQ
    		PJD40N15_L2_00001

    데이터시트

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 5A (Ta), 40A (Tc) 10V 35mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±20V 2207 pF @ 75 V - 2W (Ta), 131W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    IXTA08N100D2HV-TRL

    IXTA08N100D2HV-TRL

    MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV

    Littelfuse Inc.

    		 8,425 -
    RFQ
    		IXTA08N100D2HV-TRL

    데이터시트

         		Depletion TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 800mA (Tj) 0V 21Ohm @ 400mA, 0V 4V @ 25µA 14.6 nC @ 5 V ±20V 325 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263HV
    AUIRF6215

    AUIRF6215

    MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB

    Infineon Technologies

    		 5,419 -
    RFQ
    		AUIRF6215

    데이터시트

         		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 13A (Tc) 10V 290mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFBC40ASTRRPBF

    IRFBC40ASTRRPBF

    MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

    Vishay Siliconix

    		 7,819 -
    RFQ
    		IRFBC40ASTRRPBF

    데이터시트

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.2A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±30V 1036 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRL3103D1STRR

    IRL3103D1STRR

    MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK

    Vishay Siliconix

    		 4,842 -
    RFQ

    -

    		 FETKY™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 64A (Tc) - 14mOhm @ 34A, 10V 1V @ 250µA 43 nC @ 4.5 V - 1900 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRL8113

    IRL8113

    MOSFET N-CH 30V 105A TO220AB

    Infineon Technologies

    		 6,752 -
    RFQ
    		IRL8113

    데이터시트

         		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 105A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 21A, 10V 2.25V @ 250µA 35 nC @ 4.5 V ±20V 2840 pF @ 15 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    TSM10ND60CI

    TSM10ND60CI

    600V, 10A, SINGLE N-CHANNEL POW

    Taiwan Semiconductor Corporation

    		 9,234 -
    RFQ

    -

    		 - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V 600mOhm @ 3A, 10V 3.8V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V 1928 pF @ 50 V - 56.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220
    TSM10ND65CI

    TSM10ND65CI

    650V, 10A, SINGLE N-CHANNEL POW

    Taiwan Semiconductor Corporation

    		 7,916 -
    RFQ

    -

    		 - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10A (Tc) 10V 800mOhm @ 3A, 10V 3.8V @ 250µA 39.6 nC @ 10 V ±30V 1863 pF @ 50 V - 56.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220
    ISC007N06NM6ATMA1

    ISC007N06NM6ATMA1

    TRENCH 40<-<100V

    Infineon Technologies

    		 9,877 -
    RFQ

    -

    		 - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    STS12NH3LL

    STS12NH3LL

    MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

    STMicroelectronics

    		 7,639 -
    RFQ
    		STS12NH3LL

    데이터시트

         		STripFET™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12A (Tc) 4.5V, 10V 10.5mOhm @ 6A, 10V 1V @ 250µA 12 nC @ 4.5 V ±16V 965 pF @ 25 V - 2.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    IRFB17N60KPBF

    IRFB17N60KPBF

    MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB

    Vishay Siliconix

    		 6,562 -
    RFQ
    		IRFB17N60KPBF

    데이터시트

         		- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 17A (Tc) 10V 420mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 99 nC @ 10 V ±30V 2700 pF @ 25 V - 340W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
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